EVG®510鍵合機(jī)特征 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器 靈活的設(shè)計(jì)和配置，用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選的渦輪泵（<1E-5mbar） 可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合 開(kāi)室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù) 生產(chǎn)兼容 高通量，具有快速加熱和泵送規(guī)格 通過(guò)自動(dòng)楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 開(kāi)室設(shè)計(jì)，可快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8m2 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容 技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴 可選：1E-5mbarEVG鍵合機(jī)鍵合卡盤(pán)承載來(lái)自對(duì)準(zhǔn)器對(duì)準(zhǔn)的晶圓堆疊，用來(lái)執(zhí)行隨后的鍵合過(guò)程。青海鍵合機(jī)美元價(jià)格

EVG®850TB 自動(dòng)化臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 全自動(dòng)將臨時(shí)晶圓晶圓鍵合到剛性載體上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動(dòng)的臨時(shí)鍵合系統(tǒng)可在一個(gè)自動(dòng)化工具中實(shí)現(xiàn)整個(gè)臨時(shí)鍵合過(guò)程-從臨時(shí)鍵合劑的施加，烘焙，將設(shè)備晶圓與載體晶圓的對(duì)準(zhǔn)和鍵合開(kāi)始。與所有EVG的全自動(dòng)工具一樣，設(shè)備布局是模塊化的，這意味著可以根據(jù)特定過(guò)程對(duì)吞吐量進(jìn)行優(yōu)化?？蛇x的在線計(jì)量模塊允許通過(guò)反饋回路進(jìn)行全過(guò)程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開(kāi)放平臺(tái)，因此可以使用不同類型的臨時(shí)鍵合粘合劑，例如旋涂熱塑性塑料，熱固性材料或膠帶。青海鍵合機(jī)美元價(jià)格EVG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合、等離子活化直接鍵合。

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開(kāi)室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器可選的頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石刷的參數(shù)：材質(zhì)：PVA可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）自動(dòng)化晶圓處理系統(tǒng)掃描區(qū)域兼容晶圓處理機(jī)器人領(lǐng)域EVG320，使24小時(shí)自動(dòng)化盒對(duì)盒或FOUP到FOUP操作，達(dá)到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會(huì)引起任何金屬離子污染。可選功能：ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644）

EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動(dòng)無(wú)應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動(dòng)，無(wú)應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對(duì)卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔，然后將其對(duì)齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù)，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無(wú)關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動(dòng)，無(wú)應(yīng)力和無(wú)空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對(duì)準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG®850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對(duì)準(zhǔn) 加熱層壓晶圓級(jí)涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。

在鍵合過(guò)程中，將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢(shì)被施加，使得負(fù)電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽(yáng)極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動(dòng)并向陰極移動(dòng)，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過(guò)靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來(lái)自玻璃的離子向陽(yáng)極遷移，并在到達(dá)邊界時(shí)與硅反應(yīng)，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個(gè)組件密封在一起。在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。黑龍江鍵合機(jī)推薦型號(hào)

EVG鍵合機(jī)通過(guò)在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。青海鍵合機(jī)美元價(jià)格

隨著現(xiàn)在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，儀器儀表行業(yè)發(fā)生了突飛猛進(jìn)的發(fā)展，再加上當(dāng)前計(jì)算機(jī)技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的進(jìn)步和發(fā)展，組建網(wǎng)絡(luò)而構(gòu)成實(shí)用的監(jiān)控系統(tǒng)，可以提高生產(chǎn)效率和共享信息資源方向發(fā)展。當(dāng)前儀器儀表行業(yè)產(chǎn)品發(fā)展呈現(xiàn)微型化、多功能化、智能化、網(wǎng)絡(luò)化四大發(fā)展趨勢(shì)。為迎接貿(mào)易型百年未有之大變局，行家認(rèn)為，要重新定義中國(guó)在世界經(jīng)濟(jì)版圖中的地位，要順應(yīng)形勢(shì)實(shí)現(xiàn)制造升級(jí)。以華立集團(tuán)在境外開(kāi)發(fā)“中國(guó)工業(yè)園”的成功案例來(lái)闡述，跨國(guó)經(jīng)營(yíng)要成為企業(yè)主動(dòng)的戰(zhàn)略選擇，在不確定性中更好地活下去，以全球化視野看問(wèn)題，很多困惑在全球化過(guò)程中會(huì)迎刃而解。儀器儀表行業(yè)已經(jīng)連續(xù)多年保持了經(jīng)濟(jì)高位運(yùn)行的態(tài)勢(shì)。即使當(dāng)全球受金融風(fēng)暴的影響，各個(gè)行業(yè)經(jīng)濟(jì)東圃有所放緩，但從全景發(fā)展情況看來(lái)，儀表行業(yè)的增長(zhǎng)速度并沒(méi)有放緩。我們必須承認(rèn)，在科學(xué)儀器上，我們跟其他地區(qū)相比，還有很大的差距。這個(gè)差距，就是我們提升的空間。合相關(guān)部門(mén)、大學(xué)和企業(yè)之力，中國(guó)的貿(mào)易型必將在不遠(yuǎn)的將來(lái)，在相關(guān)領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究和重點(diǎn)光學(xué)部件研發(fā)上取得突破，產(chǎn)品進(jìn)入世界中高階水平，企業(yè)得到臺(tái)階式上升，迎頭趕上，與全球出名企業(yè)并駕齊驅(qū)。青海鍵合機(jī)美元價(jià)格