FSM膜厚儀簡單介紹：FSM128厚度以及TSV和翹曲變形測試設備:美國FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年，總部位于圣何塞，多年來為半導體行業(yè)等高新行業(yè)提供各式精密的測量設備，客戶遍布全世界,主要產(chǎn)品包括:光學測量設備:三維輪廓儀、拉曼光譜、薄膜應力測量設備、紅外干涉厚度測量設備、電學測量設備:高溫四探針測量設備、非接觸式片電阻及漏電流測量設備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析(EOT)。請訪問我們的中文官網(wǎng)了解更多的信息。測量方式: 紅外干涉(非接觸式)。授權(quán)分銷膜厚儀鍍膜行業(yè)

FSM413SPANDFSM413C2C紅外干涉測量設備適用于所有可讓紅外線通過的材料：硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應用:襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)平整度厚度變化(TTV)溝槽深度過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度粗糙度薄膜厚度不同半導體材料的厚度環(huán)氧樹脂厚度襯底翹曲度晶圓凸點高度(bumpheight)MEMS薄膜測量TSV深度、側(cè)壁角度...FSM413SP半自動機臺人工取放芯片Wafer厚度3D圖形FSM413C2CFullyautomatic全自動機臺人工取放芯片可適配Cassette、SMIFPOD、FOUP.授權(quán)分銷膜厚儀鍍膜行業(yè)一般較短波長 (例如， F50-UV) 可用于測量較薄的薄膜，而較長波長可以測量更厚、更不平整和更不透明的薄膜。

厚度測量產(chǎn)品：我們的膜厚測量產(chǎn)品可適用于各種應用。我們大部分的產(chǎn)品皆備有庫存以便快速交貨。請瀏覽本公司網(wǎng)頁產(chǎn)品資訊或聯(lián)系我們的應用工程師針對您的厚度測量需求提供立即協(xié)助。單點厚度測量：一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統(tǒng)。測量1nm到13mm的單層薄膜或多層薄膜堆。大多數(shù)產(chǎn)品都有庫存而且可立即出貨。F20全世界銷量蕞hao的薄膜測量系統(tǒng)。有各種不同附件和波長覆蓋范圍。微米(顯微)級別光斑尺寸厚度測量當測量斑點只有1微米（μm）時，需要用公司自己的顯微鏡或者用岱美提供的整個系統(tǒng)。

F20系列是世界上蕞**的臺式薄膜厚度測量系統(tǒng)，只需按下一個按鈕，不到一秒鐘即可同時測量厚度和折射率。設置也非常簡單,只需把設備連接到您運行Windows?系統(tǒng)的計算機USB端口,并連接樣品平臺就可以了。F20系列不同型號的選擇，主要取決于您需要測量的薄膜厚度（確定所需的波長范圍）。型號厚度范圍*波長范圍F2015nm-70μm380-1050nmF20-EXR15nm-250μm380-1700nmF20-NIR100nm-250μm950-1700nmF20-UV1nm-40μm190-1100nmF20-UVX1nm-250μm190-1700nmF20-XTμm-450μm1440-1690nm*取決于薄膜種類Filmetrics膜厚測試儀通過分析薄膜的反射光譜來測量薄膜的厚度，通過非可見光的測量，可以測量薄至1nm或厚至13mm的薄膜。測量結(jié)果可在幾秒鐘顯示：薄膜厚度、顏色、折射率甚至是表面粗糙度。1.有五種不同波長選擇(波長范圍從紫外220nm至近紅外1700nm)2.蕞大樣品薄膜厚度的測量范圍是：3nm～25um3.精度高于、氧化物、氮化物；、Polyimides；3.光電鍍膜應用:硬化膜、抗反射膜、濾波片。1.光源有壽命，不用時請關(guān)閉2.光纖易損，不要彎折，不要頻繁插拔3.精密儀器。膜厚儀是一種用于測量薄膜或涂層的厚度的儀器。

F10-ARc:走在前端以較低的價格現(xiàn)在可以很容易地測量曲面樣品，包括眼鏡和其他光學鏡片的防反射涂層,瑾需其他設備一小部分的的價格就能在幾秒內(nèi)得到精確的色彩讀值和反射率測量.您也可選擇升級薄膜厚度測量軟件,操作上并不需要嚴格的訓練,您甚至可以直覺的藉由設定任何波長范圍之ZUI大,ZUI小和平均值.去定義顏色和反射率的合格標準.容易設定.易於維護.只需將F10-ARc插上到您計算機的USB端口,感謝Filmetrics的創(chuàng)新,F10-ARc幾乎不存在停機時間,加上40,000小時壽命的光源和自動板上波長校準，你不需擔心維護問題。膜厚儀在材料科學、化學工程、電子工程等領(lǐng)域中廣泛應用，用于質(zhì)量控制、研發(fā)和生產(chǎn)過程中的膜厚測量。山東膜厚儀研發(fā)可以用嗎

膜厚儀通過不同的測量原理來實現(xiàn)對膜厚的精確測量。授權(quán)分銷膜厚儀鍍膜行業(yè)

集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設計的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。測量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度授權(quán)分銷膜厚儀鍍膜行業(yè)