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寧夏質(zhì)量西門(mén)康可控硅銷(xiāo)售廠

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-10-20

   鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)??刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過(guò),因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說(shuō)明元件已損壞??煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。寧夏質(zhì)量西門(mén)康可控硅銷(xiāo)售廠

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,有三個(gè)電極,陽(yáng)極a,陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的??煽毓枘K的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說(shuō)明介紹:可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,如工業(yè)、通訊、等各類(lèi)電氣控制、電源等,根據(jù)還可通過(guò)可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能,并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺相等保護(hù)功能。寧夏使用西門(mén)康可控硅品牌電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。

可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi);從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。

 在門(mén)極G上加以正電壓或正脈沖信號(hào),則GT0導(dǎo)通;當(dāng)門(mén)極上信號(hào)消失后,GTO仍然保持導(dǎo)通狀態(tài),這與普通SCR性能完全一樣。這時(shí)如在門(mén)極與陰極之間加入反向電壓或較強(qiáng)的反向脈沖信號(hào),可使GTO關(guān)斷。GTO在門(mén)極加負(fù)脈沖關(guān)斷信號(hào)時(shí),有一個(gè)反向偏置工作安全區(qū)問(wèn)題。就是指一定條件下GT0能可靠關(guān)斷的陽(yáng)極電流和陽(yáng)極電壓的軌跡。以上圖可控硅模塊來(lái)說(shuō),怎么判斷可控硅模塊如下1、這種模塊已經(jīng)標(biāo)注有詳細(xì)的圖,在門(mén)極上部也清楚標(biāo)注有希拉數(shù)字4、5、6、7。也就是說(shuō)可控硅模塊無(wú)需極性判別。簡(jiǎn)單的判別,可用數(shù)字萬(wàn)用表的電阻擋位200Ω,測(cè)量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6,是否一一對(duì)應(yīng)。如不對(duì)應(yīng)表示模塊內(nèi)部已經(jīng)出現(xiàn)損壞了。正常時(shí)k1與G1正反向電阻值都為一樣14Ω。K2與G2的兩個(gè)端點(diǎn)的電阻也應(yīng)該是14Ω。如果測(cè)得陰極k與門(mén)極G電阻值等于o時(shí),說(shuō)明元件內(nèi)部己經(jīng)短路擊穿損壞。上面三個(gè)電流緊固電極(1~AK2)、(2~K1)、(3~A)。2、將萬(wàn)用表200MΩ擋位測(cè)量,它們之間的電阻值,均為∞無(wú)窮大均為好。如果它們?nèi)c(diǎn)之中其中有二點(diǎn)有電阻值,表明模塊已壞。3、可將用于整流作用的模塊可控硅單獨(dú)分為一只可控硅看,為安全起見(jiàn),采用24V直流穩(wěn)壓電源,與一直流24V5W燈泡如下圖進(jìn)行簡(jiǎn)單的判別。采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

   可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。中文名可控硅原理原稱(chēng)可控硅整流元件目錄1工作過(guò)程2主要用途?整流?無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)3產(chǎn)品特性可控硅原理工作過(guò)程編輯晶閘管T在工作過(guò)程中,它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)見(jiàn)圖2。它屬于NPNP四層器件,三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?,故除門(mén)極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱(chēng)為主端子,用T1、T2。表示,不再劃分成陽(yáng)極或陰極。其特點(diǎn)是,當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,的電壓均為正時(shí),T2是陽(yáng)極,T1是陰極。反之,當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),T1變成陽(yáng)極,T2為陰極??煽毓璧娜觞c(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。中國(guó)澳門(mén)出口西門(mén)康可控硅銷(xiāo)售廠家

它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,大功率驅(qū)動(dòng)器件,實(shí)現(xiàn)小功率控件控制大功率設(shè)備。寧夏質(zhì)量西門(mén)康可控硅銷(xiāo)售廠

可控硅模塊的分類(lèi)可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi),從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。寧夏質(zhì)量西門(mén)康可控硅銷(xiāo)售廠

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