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來源: 發(fā)布時間:2023-02-26

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    會使二極管芯片承受外力而損傷,造成二極管特性變壞,降低工作可靠性。發(fā)明內容本實用新型的目的是提供一種在安裝以及運行過程中能降低二極管芯片的機械應力和熱應力,能提高二極管工作可靠性的非絕緣雙塔型二極管模塊。本實用新型為達到上述目的的技術方案是一種非絕緣雙塔型二極管模塊,包括底板、二極管芯片、主電極以及外殼,其特征在于所述二極管芯片的下端面通過下過渡層固定連接在底板上,二極管芯片的上端面通過上渡層與連接橋板的一側固定連接,連接橋板是具有兩個以上折彎的條板,連接橋板的另一側通過絕緣體固定在底板上,頂部具有定位凹槽的外殼固定在底板上;所述的主電極為兩個以上折邊的條板,主電極的內側與連接橋板固定連接,主電極的另一側穿出外殼并覆在外殼頂部,且覆在外殼頂部的主電極上設有過孔與殼體上的定位凹槽對應,下過渡層、二極管芯片、上過渡層、連接橋板、絕緣體的外周以及主電極的一側灌注軟彈性膠密封。本實用新型采用上述技術方案后具有以下的優(yōu)點1、本實用新型將具有折彎的連接橋板的兩側分別固定在二極管芯片和主極板之間,而二極管芯片和連接橋板的一側分別連接在底板上,當二極管受到機械應力和熱應力后。天津哪里有模塊推薦貨源從變電端來看,IGBT是電力電子變壓器(PET)的關鍵器件。

    DD、KD二極管模塊、PWB系列焊機模塊5.進口可控硅分立器件優(yōu)派克EUPECT系列可控硅東芝TOSHIBASF系列可控硅、SG系列GTO西門康SEMIKRONSKT系列可控硅西碼WESTCODEN系列相控可控硅、R系列快速可控硅美國IRST**C*系列平板可控硅、ST**S*系列螺栓可控硅意大利POSEICOAT系列相控可控硅瑞士ABB5STP系列可控硅、5SGA系列GTODYNEXDCR系列可控硅6.進口二極管分立器件優(yōu)派克EUPECD**N*系列二極管、D**S*系列快速二極管西門康SEMIKRONSKN系列二極管,SKN*F、SKR*F系列快速二極管西碼WESTCODESM系列快速二極管、SW系列普通二極管美國IRSD**C**系列平板型二極管,**HF**、**HR**系列螺栓型二極管瑞士ABB5SDD系列焊接二極管、5SDD系列普通二極管7.進口單相整流橋、三相整流橋西門康SEMIKRONSKB、SKD、SKCH、SKDH、SKBT、SKDT系列整流橋富士FUJI6RI系列三相橋德國IXYSVBO、VHF、VUO、VVZ、VGO、VVZF、VTO、VTOF系列整流橋三社SanRexDF、DWF、DWR、PWB系列整流橋8.快恢復二極管德國IXYSDSEI、DH、MEO、MEE、MEA、MEK系列快恢復二極管韓國DawinDW、DA、DB系列快恢復二極管模塊美國安森美OnsemMUR系列快恢復二極管9.無感電容中國臺灣CDMPA系列無感電容EACOSTM系列IGBT直接安裝型無感電容EUROPTRON。

    不要做讓模塊電極的端子承受過大應力。2)IGBT模塊的散熱器應根據(jù)使用條件和環(huán)境及IGBT模塊參數(shù)進行匹配選擇,以保證GBT模塊工作時對散熱器的要求。為了減少接觸熱阻,推薦在散熱器與IGBT模塊之間涂上一層很薄的導熱硅脂。3)IGBT模塊安裝到散熱片上時,要先在模塊的反面涂上散熱絕緣混合劑(導熱膏),再用推薦的夾緊力距充分旋緊。另外,散熱片上安裝螺絲的位置之間的平坦度應控制在100μm以下,表面粗糙度應控制在10μm以下。散熱器表面如有凹陷,會導致接觸熱阻(Rth(c—f)的增加。另外,散熱器表面的平面度在上述范圍以外時,IGBT模塊安裝時(夾緊時)會給IGBT模塊內部的芯片與位于金屬基板間的絕緣基板增加應力,有可能產(chǎn)生絕緣破壞。4)IGBT模塊底板為銅板的模塊,在散熱器與IGBT模塊均勻受力后,從IGBT模塊邊緣可看出有少許導熱硅脂擠出為**佳。IGBT模塊底板為DBC基板的模塊,散熱器表面必須平整、光潔,采用絲網(wǎng)印刷或圓滾滾動的方法涂敷一薄層導熱硅脂后,使兩者均勻壓接。IGBT模塊直接固定在散熱器上時,每個螺釘需按說明書中給出的力矩旋緊,螺釘一定要受力均勻,力矩不足導致熱阻增加或運動中出現(xiàn)螺釘松動。兩點安裝緊固螺絲時。光控晶閘具有良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力。

IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個極控制。如圖1,IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電,使IGBT關斷。由圖2可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。當晶閘管模塊承受正極電壓時,晶閘管只能在柵承受正向電壓時才能開啟。黑龍江模塊歡迎選購

IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品。寧夏英飛凌模塊

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