所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。如圖1所示，本實(shí)用新型提供的一種igbt模塊，包括安裝板1、以及布置在所述安裝板1上側(cè)的igbt單管2，所述安裝板1上還連接有具有彈性的壓緊件3，所述壓緊件3將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時(shí)，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后，再松開(kāi)所述壓緊件即可實(shí)現(xiàn)所述igbt單管的固定。相比于目前通過(guò)螺釘固定所述igbt單管的方法，**節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時(shí)間，并且減少了總裝的零件數(shù)量，提高了igbt模塊的生產(chǎn)效率，還降低了因螺釘松動(dòng)而引起的igbt模塊損壞風(fēng)險(xiǎn)。如圖1和圖2所示，可選的，所述壓緊件3包括連接部31和具有彈性的壓緊部32，所述連接部31一端與所述壓緊部32相連，另一端與所述安裝板1相連，所述壓緊部3抵設(shè)在所述igbt單管2的上側(cè)，將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例，在使用所述壓緊件時(shí)。IGBT柵極結(jié)構(gòu)：平面柵機(jī)構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu)。上海哪些是模塊品牌

體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。

普通晶閘管的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開(kāi)關(guān)S，按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的?？煽毓枘K造價(jià)信息 天津貿(mào)易模塊報(bào)價(jià)表1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱晶閘管研制完成。

    但在中**MOSFET及IGBT主流器件市場(chǎng)上，90％主要依賴進(jìn)口，基本被國(guó)外歐美、日本企業(yè)壟斷。國(guó)外企業(yè)如英飛凌、ABB、三菱等廠商研發(fā)的IGBT器件產(chǎn)品規(guī)格涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產(chǎn)品系列。英飛凌、三菱、ABB在1700V以上電壓等級(jí)的工業(yè)IGBT領(lǐng)域占***優(yōu)勢(shì)；在3300V以上電壓等級(jí)的高壓IGBT技術(shù)領(lǐng)域幾乎處于壟斷地位。在大功率溝槽技術(shù)方面，英飛凌與三菱公司處于國(guó)際**水平。西門康、仙童等在1700V及以下電壓等級(jí)的消費(fèi)IGBT領(lǐng)域處于優(yōu)勢(shì)地位。盡管我國(guó)擁有**大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，但是目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國(guó)際大公司相比還存在很大差距，特別是IGBT等**器件差距更加明顯。**技術(shù)均掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)手中，IGBT技術(shù)集成度高的特點(diǎn)又導(dǎo)致了較高的市場(chǎng)集中度。跟國(guó)內(nèi)廠商相比，英飛凌、三菱和富士電機(jī)等國(guó)際廠商占有***的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。形成這種局面的原因主要是：1、國(guó)際廠商起步早，研發(fā)投入大，形成了較高的**壁壘。2、國(guó)外**制造業(yè)水平比國(guó)內(nèi)要高很多，一定程度上支撐了國(guó)際廠商的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前技術(shù)處于劣勢(shì)的局面，特別是要在產(chǎn)業(yè)鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領(lǐng)域封裝強(qiáng)于芯片的現(xiàn)狀。總的來(lái)說(shuō)。

    溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP（原來(lái)為NPN）晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然***一代功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS（on）特性。IGBT模塊在電動(dòng)汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

    與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。igbt的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。igbt驅(qū)動(dòng)電路圖：igbt驅(qū)動(dòng)電路圖一igbt驅(qū)動(dòng)電路圖二igbt驅(qū)動(dòng)電路圖三igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到***的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致IGBT和驅(qū)動(dòng)器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考。IGBT的開(kāi)關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT門極電容分布示意圖。若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）。上海進(jìn)口模塊品牌

IGBT其外部有三個(gè)電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發(fā)射極。上海哪些是模塊品牌

    不*上橋臂的開(kāi)關(guān)管要采用各自**的隔離電源，下橋臂的開(kāi)關(guān)管也要采用各自**的隔離電源，以避免回路噪聲，各路隔離電源要達(dá)到一定的絕緣等級(jí)要求。3）在連接IGBT電極端子時(shí)，主端子電極間不能有張力和壓力作用，連接線（條）必須滿足應(yīng)用，以免電極端子發(fā)熱在模塊上產(chǎn)生過(guò)熱?？刂菩盘?hào)線和驅(qū)動(dòng)電源線要離遠(yuǎn)些，盡量垂直，不要平行放置。4）光耦合器輸出與IGBT輸入之間在PCB上的走線應(yīng)盡量短，**好不要超過(guò)3cm。5）驅(qū)動(dòng)信號(hào)隔離要用高共模抑制比（CMR）的高速光耦合器，要求tp《μs，CMR》l0kV/μs，如6N137，TCP250等。6）IGBT模塊驅(qū)動(dòng)端子上的黑色套管是防靜電導(dǎo)電管，用接插件引線時(shí)，取下套管應(yīng)立即插上引線；或采用焊接引線時(shí)先焊接再剪斷套管。7）對(duì)IGBT端子進(jìn)行錫焊作業(yè)的時(shí)候，為了避免由烙鐵、烙鐵焊臺(tái)的泄漏產(chǎn)生靜電加到IGBT上，烙鐵前端等要用十分低的電阻接地。焊接G極時(shí)，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適。當(dāng)手工焊接時(shí)，溫度260℃±5℃，時(shí)間（10+1）s。波峰焊接時(shí)，PCB要預(yù)熱80~105℃，在245℃時(shí)浸入焊接3~4s。8）儀器測(cè)量時(shí)，應(yīng)采用1000電阻與G極串聯(lián)。在模塊的端子部測(cè)量驅(qū)動(dòng)電壓（VGE）時(shí)，應(yīng)確認(rèn)外加了既定的電壓。上海哪些是模塊品牌

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司依托可靠的品質(zhì)，旗下品牌英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼以高質(zhì)量的服務(wù)獲得廣大受眾的青睞。旗下英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼在電子元器件行業(yè)擁有一定的地位，品牌價(jià)值持續(xù)增長(zhǎng)，有望成為行業(yè)中的佼佼者。隨著我們的業(yè)務(wù)不斷擴(kuò)展，從IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等到眾多其他領(lǐng)域，已經(jīng)逐步成長(zhǎng)為一個(gè)獨(dú)特，且具有活力與創(chuàng)新的企業(yè)。值得一提的是，江蘇芯鉆時(shí)代致力于為用戶帶去更為定向、專業(yè)的電子元器件一體化解決方案，在有效降低用戶成本的同時(shí)，更能憑借科學(xué)的技術(shù)讓用戶極大限度地挖掘英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼的應(yīng)用潛能。