本文介紹了如何實(shí)現(xiàn)具有較大信號(hào)輸出的硅應(yīng)變計(jì)...發(fā)表于2017-06-0714:12?518次閱讀負(fù)反饋電阻在運(yùn)放電路中有什么作用？射頻電阻并聯(lián)同...在射頻和微波頻段使用的高功率電阻，大多數(shù)使用在Wilkinson功分器或者合路器產(chǎn)品中。為得到**好的...發(fā)表于2017-06-0709:01?1724次閱讀什么是泄漏電阻？泄漏電流的原因個(gè)絕緣電阻有關(guān)系嗎...通過絕緣體，導(dǎo)體或地線的電流很少（微安）。如果絕緣劣化會(huì)出現(xiàn)電流增加或吸收電流消失后有電流增加。（參...發(fā)表于2017-06-0617:17?2236次閱讀**電阻標(biāo)準(zhǔn)衡量值，電阻和電壓之間的交互關(guān)系我現(xiàn)在知道的是：金屬導(dǎo)體里的自由電子產(chǎn)生規(guī)律運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的電流，而電阻是由自由電子在導(dǎo)體中碰撞其他的分...發(fā)表于2017-06-0614:34?402次閱讀何為水泥電阻？四、五線共線電阻屏的設(shè)計(jì)與考量五線電阻技術(shù)觸摸屏的基層把兩個(gè)方向的電壓場(chǎng)通過精密電阻網(wǎng)絡(luò)都加在玻璃的導(dǎo)電工作面上，我們可以簡(jiǎn)單的理...發(fā)表于2017-06-0609:01?396次閱讀AC電機(jī)如何利用電容來調(diào)整速度？電學(xué)單位換算該如...就是說容抗與頻率成反比，與容量成反比。容抗也是有電壓降的。容量越小，容抗越大。作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。天津貿(mào)易模塊進(jìn)貨價(jià)

    本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術(shù)：igbt隨著結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)的升級(jí)，主流產(chǎn)品已經(jīng)從平面柵極(如圖1所示)升級(jí)成溝槽柵極(如圖2所示)，現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵結(jié)構(gòu)的制作方法如圖3所示，先在半導(dǎo)體襯底上光刻出溝槽，接著在該溝槽內(nèi)沉積**氧化層23(圖3a所示)，然后去除該**氧化層23(圖3b所示)，然后繼續(xù)在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(圖3c所示)，接著沉積多晶硅層1(圖3d所示)，接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示)，溝槽柵結(jié)構(gòu)雖然相比平面柵結(jié)構(gòu)電流密度大幅度提升，但由于溝槽柵結(jié)構(gòu)帶來的結(jié)電容的大幅度上升，造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應(yīng)用于高頻場(chǎng)景。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型為解決現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵igbt結(jié)電容較大的問題，提供了一種新的溝槽柵igbt結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下：一種溝槽柵igbt，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)設(shè)置兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)；兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)，兩個(gè)所述溝槽柵結(jié)構(gòu)對(duì)稱，溝槽內(nèi)設(shè)置有多晶硅層和包圍所述多晶硅層的氧化層，所述氧化層包括***氧化層和第二氧化層，所述***氧化層設(shè)置在溝道區(qū)，所述第二氧化層設(shè)置在非溝道區(qū)，所述第二氧化層的厚度大于所述***氧化層的厚度。進(jìn)一步地。河北大規(guī)模模塊批發(fā)左邊所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。

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    本實(shí)用新型涉及驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路。背景技術(shù)：風(fēng)電變流器系統(tǒng)電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開關(guān)速度快，產(chǎn)生很高的di/dt和du/dt，帶來emc電磁干擾問題，影響變流器的可靠運(yùn)行，甚至損壞igbt模塊，為了提高抗干擾能力，有以下兩種解決方案：1）、采用光纖傳遞控制信號(hào)，控制電路弱信號(hào)與igbt模塊的強(qiáng)信號(hào)實(shí)現(xiàn)電氣完全隔離，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高，但是光纖成本昂貴；2）、通常采用**的驅(qū)動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)芯片，例如風(fēng)電**驅(qū)動(dòng)器2sd300，采用專業(yè)的調(diào)制與解調(diào)芯片，通過脈沖變壓器傳遞驅(qū)動(dòng)信號(hào)，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高，大量應(yīng)用于風(fēng)電變流器領(lǐng)域。以上兩種方案雖然解決了風(fēng)電變流器emc抗干擾問題，但是成本相對(duì)較高，較為經(jīng)濟(jì)的解決方案是采用光耦來實(shí)現(xiàn)電氣隔離，但是光耦的原邊一般采用低壓電路（15v或者5v），容易受干擾。另外，大功率igbt模塊在運(yùn)行過程中產(chǎn)生高的di/dt和du/dt，會(huì)導(dǎo)致igbt模塊上下管門極誤觸發(fā)，導(dǎo)致igbt模塊上下管直通，產(chǎn)生短路電流，如果不及時(shí)保護(hù)就會(huì)導(dǎo)致igbt模塊損壞，嚴(yán)重影響變流器正常運(yùn)行。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于提供風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路。對(duì)IGBT模塊需求也在逐步擴(kuò)大，新興行業(yè)的加速發(fā)展將持續(xù)推動(dòng)IGBT市場(chǎng)的高速增長(zhǎng)。

    是一種非常直觀...發(fā)表于2018-01-1509:38?700次閱讀為物聯(lián)網(wǎng)未來發(fā)聲——物聯(lián)網(wǎng)微功率頻譜應(yīng)用研討會(huì)***上午，來自全國(guó)各地及海外的一百多家物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)企業(yè)、用戶單位和科研機(jī)構(gòu)**齊聚北京，共同參與了“為...發(fā)表于2018-01-1217:20?1299次閱讀功率和功耗一樣嗎_功耗和功率的區(qū)別功率是指物體在單位時(shí)間內(nèi)所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定，時(shí)間越短，功率值...發(fā)表于2018-01-1214:43?1024次閱讀浪涌電壓防護(hù)_電解電容浪涌電壓措施在電子設(shè)計(jì)中，浪涌主要指的是電源（只是主要指電源）剛開通的那一瞬息產(chǎn)生的強(qiáng)力脈沖，由于電路本身的非線...發(fā)表于2018-01-1111:11?301次閱讀什么是浪涌電壓_浪涌電壓產(chǎn)生原因浪涌也叫突波，就是超出正常電壓的瞬間過電壓，一般指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時(shí)間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流...發(fā)表于2018-01-1111:09?686次閱讀解析充電IC中的功率管理策略：動(dòng)態(tài)路徑管理***MPS小編要和大家聊一聊充電IC中的功率管理策略：動(dòng)態(tài)路徑管理。在照明、工業(yè)、消費(fèi)、交通、醫(yī)療、可再生能源、電力傳輸?shù)缺姸囝I(lǐng)域中獲得了***的應(yīng)用。貴州私人模塊

新能源汽車上用的IGBT模塊，客戶要求CTI值大于250V左右。天津貿(mào)易模塊進(jìn)貨價(jià)

    我國(guó)的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計(jì)、制造和模塊封裝技術(shù)目前都還處于起步階段。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計(jì)+代工”模式，即由設(shè)計(jì)公司提出芯片設(shè)計(jì)方案，由國(guó)內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。由于這些集成電路公司大多沒有**的功率器件生產(chǎn)線，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工，所以設(shè)計(jì)生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題，如芯片的減薄工藝，背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù)，更需要先進(jìn)的工藝設(shè)備，這些都是我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中急需解決的問題。從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿通型(LPT)等類型，在改善IGBT的開關(guān)性能和通態(tài)壓降等性能上做了大量工作。但是把上述設(shè)計(jì)在工藝上實(shí)現(xiàn)卻有相當(dāng)大的難度。尤其是薄片工藝和背面工藝。工藝上正面的絕緣鈍化，背面的減薄國(guó)內(nèi)的做的都不是很好。低溫藥芯錫絲薄片工藝，特定耐壓指標(biāo)的IGBT器件，芯片厚度也是特定的，需要減薄到200-100um，甚至到80um，現(xiàn)在國(guó)內(nèi)可以將晶圓減薄到175um，再低就沒有能力了。比如在100~200um的量級(jí)，當(dāng)硅片磨薄到如此地步后，后續(xù)的加工處理就比較困難了。天津貿(mào)易模塊進(jìn)貨價(jià)

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司是以IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)為一體的一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；電子元器件批發(fā)；電子元器件零售；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售；電力電子元器件銷售；電子設(shè)備銷售；電子測(cè)量?jī)x器銷售；機(jī)械電氣設(shè)備銷售；風(fēng)動(dòng)和電動(dòng)工具銷售；電氣設(shè)備銷售；光電子器件銷售；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售；半導(dǎo)體分立器件銷售；集成電路銷售；五金產(chǎn)品批發(fā)；五金產(chǎn)品零售；模具銷售；電器輔件銷售；電力設(shè)施器材銷售；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售；儀器儀表銷售；辦公設(shè)備銷售；辦公設(shè)備耗材銷售；辦公用品銷售；日用百貨銷售；機(jī)械設(shè)備銷售；超導(dǎo)材料銷售；密封用填料銷售；密封件銷售；高性能密封材料銷售；橡膠制品銷售；塑料制品銷售；文具用品批發(fā)；文具用品零售；金屬材料銷售；金屬制品銷售；金屬工具銷售；環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售；生態(tài)環(huán)境材料銷售；集成電路設(shè)計(jì)；集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)）企業(yè)，公司成立于2022-03-29，地址在昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201。至創(chuàng)始至今，公司已經(jīng)頗有規(guī)模。公司主要經(jīng)營(yíng)IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等，我們始終堅(jiān)持以可靠的產(chǎn)品質(zhì)量，良好的服務(wù)理念，優(yōu)惠的服務(wù)價(jià)格誠(chéng)信和讓利于客戶，堅(jiān)持用自己的服務(wù)去打動(dòng)客戶。英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼以符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品質(zhì)量為目標(biāo)，并始終如一地堅(jiān)守這一原則，正是這種高標(biāo)準(zhǔn)的自我要求，產(chǎn)品獲得市場(chǎng)及消費(fèi)者的高度認(rèn)可。我們本著客戶滿意的原則為客戶提供IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器產(chǎn)品售前服務(wù)，為客戶提供周到的售后服務(wù)。價(jià)格低廉優(yōu)惠，服務(wù)周到，歡迎您的來電！