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KY3-B2型可控硅移相觸發(fā)板一、概述KY3-B2型三相閉環(huán)觸發(fā)器是引進國外**的**可控硅移相觸發(fā)集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性和穩(wěn)定性，不隨環(huán)境溫度變化，無相序要求。內含完整的缺相、過流、過熱等故障保護功能；具有高精度、功能完善、使用簡單可靠、易調試、抗干擾性強等優(yōu)點。它可***的應用于工業(yè)各領域的電壓電流調節(jié)，適用于電阻性負載、電感性負載、變壓器一次側及各種整流裝置等。其主要應用于大功率電源、高頻設備交直流調壓、鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制及各種工業(yè)爐；整流變壓器、調工機、電爐變壓器一次側、充磁退磁調節(jié)、直流電機調速控制、電機軟啟動節(jié)能裝置；以鎳、鐵鉻、遠紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等加熱元件的溫度控制等等。二、性能特點○無相序要求限制，可用于電源為220V與380V電源頻率50/60Hz電網?！鹉芘c國內外各種控制儀表（溫控儀）、微機的輸出信號直接接口。○適用于阻性負載、感性負載、變壓器一次側等各種負載類型。○具有軟啟動軟停止功能，減少對電網的沖擊干擾，使主電路更加安全可靠。○驅動能力強，每路可以輸出800毫安的電流，可以驅動4000A可控硅?！鹁哂腥毕唷⑦^流、過壓保護功能。江西進口模塊量大從優(yōu)新能源汽車上用的IGBT模塊，客戶要求CTI值大于250V左右。
作為本實用新型的進一步方案：所述變壓器隔離電路采用高頻隔離變壓器，其副邊有兩個**的繞組，輸出兩路隔離電源。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是：本實用新型能夠有效保護igbt模塊，并且該實用新型原邊電路集成了死區(qū)電路、互鎖電路和保護電路，可以提高抗干擾能力，提高驅動電路可靠性。附圖說明圖1為本實用新型涉及的風電變流器驅動電路示意圖。圖2為本實用新型涉及的風電變流器的具體驅動電路。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。請參閱圖1-2，實施例1：本實用新型實施例中，風電變流器的igbt驅動電路，包括原邊電路、隔離電路和副邊電路，原邊電路包括死區(qū)電路、互鎖電路、保護電路、15v電源輸入濾波電路和dc/dc電路，隔離電路包括變壓器隔離電路和光耦隔離電路，副邊電路包括±15v驅動電源、驅動電路和vce-sat檢測電路。原邊電路包括上下管的死區(qū)電路、互鎖電路和保護電路。
圖5為本實用新型實施例提供的溝槽柵結構制作方法的流程圖。圖中：1為多晶硅層，2為氧化層，21為***氧化層，22為第二氧化層，23為**氧化層，3為光刻膠。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。圖4示出了本實施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖，包括半導體襯底和設置在半導體襯底表面內的兩個溝槽柵結構，兩個溝槽柵結構對稱，溝槽柵結構設置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2，氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22，***氧化層21設置在溝道區(qū)，第二氧化層22設置在非溝道區(qū)，第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度，與現(xiàn)有技術相比，本實施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現(xiàn)有技術中的厚度，因此本實施例的結電容更小。需要說明的是，本實施例減小結電容的方式是通過增加溝槽內非溝道區(qū)第二氧化層22的厚度，***氧化層21厚度不變，因此本實施例在減小結電容的同時并不會造成器件整體性能變差。聚苯硫醚PPS是一種白色、堅硬的聚合物類，具有良好化學結晶度的特種熱塑性工程塑料.
TA＝125°C圖7其他公司的IGBT的低端IGBT開關電壓和dV/dt感生電流的18A峰值圖8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT開關電壓和dV/dt感生電流的dV/dt感生電流的減小清楚說明單正向柵驅動設計的優(yōu)勝之處。但在這個測試中，Co-Pack二極管電流的影響并沒有完全計算在內。為了只顯示出IGBT對整體電流的影響，我們只利用相同的分立式反并聯(lián)二極管再重復測試，如圖9中的Ice(cntrl)。圖9利用相同的分立式Co-Pack二極管產生的dV/dt感生電流圖10顯示出在沒有IGBT情況下，負偏置柵驅動器IGBT的I電流。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵驅動器的I電流。兩種情況下的電流都很低，分別為1A和。圖10其他公司的IGBT的Co-Pack二極管內的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流1A峰值圖11IRG30B120KD-E的Co-Pack二極管內的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流如果從整體IGBT/二極管電流中減去圖10和圖11的二極管電流，結果是I（負偏置柵驅動IGBT）=18-1=17AI（IRGP30B120KD-E）==可見總的減小為17:=21:1在相同的測試條件下，當柵電壓是在0V或單正向柵驅動情況下，IRGP30B120KD的電路性能顯示dV/dt感生開通電流減小比例為21:1。如果IGBT采用這種方式驅動，電流很小，對功耗的影響幾乎可以忽略。IGBT既可以幫助空調、洗衣機實現(xiàn)較小的導通損耗和開關損耗，實現(xiàn)節(jié)能減排。河南標準模塊
新能源汽車的成本構成中，動力電池占比比較高，其次則是IGBT。湖北標準模塊
所述***氧化層厚度為1000-1200a。進一步地，所述第二氧化層厚度為3000-5000a。進一步地，兩個所述溝槽柵結構之間設置有***摻雜區(qū)，所述***摻雜區(qū)的摻雜類型與所述半導體襯底的類型相反。進一步地，在所述***摻雜區(qū)的內表面設置兩個第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)的摻雜類型與***摻雜區(qū)的摻雜類型相反，兩個所述第二摻雜區(qū)分別設置在靠近兩個所述溝槽柵結構的一側，所述***摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)與發(fā)射極金屬接觸。進一步地，所述半導體的底部還設置有緩沖層和集電極，所述集電極設置在比較低層。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果：本實用新型提供的溝槽柵igbt通過在溝槽內設置兩種厚度氧化層，兩種厚度氧化層分別為***氧化層和第二氧化層，該第二氧化層厚度大于***氧化層厚度，因為結電容與氧化層的厚度成反比，因此增加氧化層的厚度會降低器件的結電容大小，從而解決了現(xiàn)有技術中溝槽柵igbt結電容大的問題，從而提高了本實用新型的開關特性，使得本實用新型可應用于高頻場景。附圖說明圖1為現(xiàn)有技術中平面柵igbt的示意圖；圖2為現(xiàn)有技術中溝槽柵igbt的示意圖；圖3為現(xiàn)有技術中溝槽柵結構制作方法的流程圖；圖4為本實用新型實施例提供的溝槽柵igbt的示意圖。湖北標準模塊
江蘇芯鉆時代電子科技有限公司是一家一般項目：技術服務、技術開發(fā)、技術咨詢、技術交流、技術轉讓、技術推廣；電子元器件批發(fā)；電子元器件零售；電子元器件與機電組件設備銷售；電力電子元器件銷售；電子設備銷售；電子測量儀器銷售；機械電氣設備銷售；風動和電動工具銷售；電氣設備銷售；光電子器件銷售；集成電路芯片及產品銷售；半導體照明器件銷售；半導體器件設備銷售；半導體分立器件銷售；集成電路銷售；五金產品批發(fā)；五金產品零售；模具銷售；電器輔件銷售；電力設施器材銷售；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售；儀器儀表銷售；辦公設備銷售；辦公設備耗材銷售；辦公用品銷售；日用百貨銷售；機械設備銷售；超導材料銷售；密封用填料銷售；密封件銷售；高性能密封材料銷售；橡膠制品銷售；塑料制品銷售；文具用品批發(fā)；文具用品零售；金屬材料銷售；金屬制品銷售；金屬工具銷售；環(huán)境保護設備銷售；生態(tài)環(huán)境材料銷售；集成電路設計；集成電路芯片設計及服務（除依法須經批準的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經營活動）的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務實、誠實可信的企業(yè)。公司自創(chuàng)立以來，投身于IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器，是電子元器件的主力軍。江蘇芯鉆時代致力于把技術上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對用戶產品上的貼心，為用戶帶來良好體驗。江蘇芯鉆時代始終關注電子元器件市場，以敏銳的市場洞察力，實現(xiàn)與客戶的成長共贏。