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福建本地西門康可控硅模塊報價

來源: 發(fā)布時間:2023-09-24

鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結(jié),而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)??刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領域。福建本地西門康可控硅模塊報價

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。實際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等??煽毓韬推渌雽w器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導體技術(shù)從弱電領域進入了強電領域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。浙江貿(mào)易西門康可控硅模塊銷售廠可控硅模塊應用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等場合。

    1可控硅模塊是有PNPN四層半導體構(gòu)成的元件,有三個電極,陽極a,陰極K和控制機G所構(gòu)成的。21、可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹:可控硅模塊應用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合,如工業(yè)、通訊、等各類電氣控制、電源等,根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接,實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能,并可實現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。32、可控硅模塊的控制方式:通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調(diào)的電壓或者電流信號,通過調(diào)整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進行平滑調(diào)節(jié),實現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導通的過程。電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制信號采用0~5V,0~10V,4~20mA三種比較常用的控制形式。43、滿足可控硅模塊工作的必要條件:(1)+12V直流電源:可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±,紋波電壓小于20mv。②可控硅模塊輸出電流要求:標稱電流小于500安培產(chǎn)品:I+12V>,標稱電流大于500安培產(chǎn)品:I+12V>1A。5。

可控硅的主要參數(shù)有:1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數(shù)值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態(tài)時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號使其導通,用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等。可控硅分類編輯可控硅有多種分類方法。(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。

晶閘管)回到導通狀態(tài)。為了克服上述問題,可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡來限制電壓的變化,以防止誤觸發(fā)。一般,電阻取100R,電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關于轉(zhuǎn)換電流變化率當負載電流增大,電源頻率的增高或電源為非正弦波時,會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,這種情況易在感性負載的情況下發(fā)生,很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4、關于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通。這在高溫下尤為嚴重,在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下,可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值,此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流,那么硅片上局部的電流密度就很高,使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈,容性負載或短路保護電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流,這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。山東加工西門康可控硅模塊銷售價格

可控硅的弱點:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。福建本地西門康可控硅模塊報價

普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路、逆變、電機調(diào)速、電機勵磁、無觸點開關及自動控制等方面?,F(xiàn)在我畫一個簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,晶閘管被觸發(fā)導通。現(xiàn)在,畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,可以看到,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早,晶閘管導通的時間就早;Ug到來得晚,晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內(nèi)晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?,改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現(xiàn)了可控整流。福建本地西門康可控硅模塊報價