3、本發(fā)明還設(shè)置了電荷存儲(chǔ)層，電荷存儲(chǔ)層結(jié)合第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)能更好的防止集電區(qū)注入的少子進(jìn)入到溝道區(qū)域中，從而能降低降低器件的飽和壓降。附圖說明下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明：圖1是本發(fā)明實(shí)施例一實(shí)施例igbt器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例第二實(shí)施例igbt器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3a-圖3g是本發(fā)明一實(shí)施例方法各步驟中器件的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明實(shí)施例一實(shí)施例igbt器件：如圖1所示，是本發(fā)明實(shí)施例一實(shí)施例igbt器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明一實(shí)施例igbt器件包括：漂移區(qū)1，由形成于半導(dǎo)體襯底(未顯示)表面的一導(dǎo)電類型輕摻雜區(qū)組成。本發(fā)明實(shí)施例一實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底；在所述硅襯底表面形成有硅外延層，所述漂移區(qū)1直接由一導(dǎo)電類型輕摻雜的所述硅外延層組成，所述阱區(qū)2形成于所述漂移區(qū)1表面的所述硅外延層中。第二導(dǎo)電類型摻雜的阱區(qū)2，形成于所述漂移區(qū)1表面。在所述漂移區(qū)1的底部表面形成有由第二導(dǎo)電類重?fù)诫s區(qū)組成的集電區(qū)9。電荷存儲(chǔ)層14，所述電荷存儲(chǔ)層14形成于所述漂移區(qū)1的頂部區(qū)域且位于所述漂移區(qū)1和所述阱區(qū)2交界面的底部，所述電荷存儲(chǔ)層14具有一導(dǎo)電類重?fù)诫s。減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。廣西品質(zhì)Mitsubishi三菱IGBT模塊現(xiàn)貨

    本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種igbt器件；本發(fā)明還涉及一種igbt器件的制造方法。背景技術(shù)：半導(dǎo)體功率器件是電力電子系統(tǒng)進(jìn)行能量控制和轉(zhuǎn)換的基本電子元器件，電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展為半導(dǎo)體功率器件開拓了廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。以絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgatebipolartransistor，igbt)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)為標(biāo)志的半導(dǎo)體功率器件是當(dāng)今電力電子領(lǐng)域器件的主流，其中，igbt器件是一種電壓控制的mosfet和雙極型三極管(bjt)的復(fù)合型器件。從結(jié)構(gòu)上，igbt的結(jié)構(gòu)與垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(vdmos)相似，只是將vdmos的n+襯底換為p+襯底，引入的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，克服了vdmos本身固有的導(dǎo)通電阻與擊穿電壓的矛盾，從而使igbt同時(shí)具有雙極型功率晶體管和mosfet的共同優(yōu)點(diǎn)：輸入阻抗高、輸入驅(qū)動(dòng)功率小、導(dǎo)通壓降低、電流容量大、開關(guān)速度快等。由于igbt獨(dú)特的、不可取代的性能優(yōu)勢(shì)使其自推出實(shí)用型產(chǎn)品便在諸多領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，例如：太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、動(dòng)車、高鐵、新能源汽車以及眾多能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。為了進(jìn)一步降低igbt的導(dǎo)通壓降，igbt的柵極結(jié)構(gòu)從平面柵結(jié)構(gòu)優(yōu)化到溝槽柵結(jié)構(gòu)，溝槽柵igbt將溝道從橫向變?yōu)榭v向。進(jìn)口Mitsubishi三菱IGBT模塊值得推薦在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT，正向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。

    以避免回路噪聲，各路隔離電源要達(dá)到一定的絕緣等級(jí)要求。3）在連接IGBT電極端子時(shí)，主端子電極間不能有張力和壓力作用，連接線（條）必須滿足應(yīng)用，以免電極端子發(fā)熱在模塊上產(chǎn)生過熱。控制信號(hào)線和驅(qū)動(dòng)電源線要離遠(yuǎn)些，盡量垂直，不要平行放置。4）光耦合器輸出與IGBT輸入之間在PCB上的走線應(yīng)盡量短，不要超過3cm。5）驅(qū)動(dòng)信號(hào)隔離要用高共模抑制比（CMR）的高速光耦合器，要求tp《μs，CMR》l0kV/μs，如6N137，TCP250等。6）IGBT模塊驅(qū)動(dòng)端子上的黑色套管是防靜電導(dǎo)電管，用接插件引線時(shí)，取下套管應(yīng)立即插上引線；或采用焊接引線時(shí)先焊接再剪斷套管。7）對(duì)IGBT端子進(jìn)行錫焊作業(yè)的時(shí)候，為了避免由烙鐵、烙鐵焊臺(tái)的泄漏產(chǎn)生靜電加到IGBT上，烙鐵前端等要用十分低的電阻接地。焊接G極時(shí)，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵合適。當(dāng)手工焊接時(shí)，溫度260℃±5℃，時(shí)間（10+1）s。波峰焊接時(shí)，PCB要預(yù)熱80~105℃，在245℃時(shí)浸入焊接3~4s。8）儀器測(cè)量時(shí)，應(yīng)采用1000電阻與G極串聯(lián)。在模塊的端子部測(cè)量驅(qū)動(dòng)電壓（VGE）時(shí)，應(yīng)確認(rèn)外加了既定的電壓。9）IGBT模塊是在用lC泡沫等導(dǎo)電性材料對(duì)控制端子采取防靜電對(duì)策的狀態(tài)下出庫(kù)的。

    被所述多晶硅柵6側(cè)面覆蓋的所述阱區(qū)2的表面用于形成溝道。由一導(dǎo)電類型重?fù)诫s的發(fā)射區(qū)7形成在所述多晶硅柵6兩側(cè)的所述阱區(qū)2的表面。所述多晶硅柵6通過頂部對(duì)應(yīng)的接觸孔連接到由正面金屬層12組成的金屬柵極，所述接觸孔穿過層間膜10。所述發(fā)射區(qū)通過頂部的對(duì)應(yīng)的接觸孔連接到由正面金屬層12組成的金屬源極；令所述發(fā)射區(qū)頂部對(duì)應(yīng)的接觸孔為源極接觸孔11，所述源極接觸孔11還和穿過所述發(fā)射區(qū)和所述阱區(qū)2接觸。本發(fā)明一實(shí)施例中，由圖1所示可知，在各所述單元結(jié)構(gòu)中，所述源極接觸孔11和各所述屏蔽接觸孔連接成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)。所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b也分布通過對(duì)應(yīng)的接觸孔連接到所述金屬源極。在所述集電區(qū)9的底部表面形成有由背面金屬層13組成的金屬集電極。通過形成于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的具有溝槽101式結(jié)構(gòu)的所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)降低igbt器件的溝槽101的步進(jìn)，從而降低igbt器件的輸入電容、輸出電容和逆導(dǎo)電容，提高器件的開關(guān)速度；通過將所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b和所述金屬源極短接提高器件的短路電流能力；通過所述電荷存儲(chǔ)層14減少器件的飽和壓降。圖1中，一個(gè)所述單元結(jié)構(gòu)中包括5個(gè)所述溝槽101。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。

    B）車載空調(diào)控制系統(tǒng)小功率直流/交流(DC/AC)逆變，使用電流較小的IGBT和FRD；C）充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開關(guān)元件使用；2）智能電網(wǎng)IGBT廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端：1、從發(fā)電端來看，風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。2、從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件。3、從變電端來看，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關(guān)鍵器件。4、從用電端來看，家用白電、微波爐、LED照明驅(qū)動(dòng)等都對(duì)IGBT有大量的需求。3）軌道交通IGBT器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。交流傳動(dòng)技術(shù)是現(xiàn)代軌道交通的技術(shù)之一，在交流傳動(dòng)系統(tǒng)中牽引變流器是關(guān)鍵部件，而IGBT又是牽引變流器的器件之一。IGBT國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)規(guī)模2015年國(guó)際IGBT市場(chǎng)規(guī)模約為48億美元，預(yù)計(jì)到2020年市場(chǎng)規(guī)?？梢赃_(dá)到80億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約10%。2014年國(guó)內(nèi)IGBT銷售額是，約占全球市場(chǎng)的1∕3。預(yù)計(jì)2020年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將超200億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約為15%。從公司來看，國(guó)外研發(fā)IGBT器件的公司主要有英飛凌、ABB、三菱、西門康、東芝、富士等。中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B值極低。中國(guó)澳門好的Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)。廣西品質(zhì)Mitsubishi三菱IGBT模塊現(xiàn)貨

    步驟二、在所述半導(dǎo)體襯底中形成多個(gè)溝槽。步驟三、在各所述溝槽的底部表面和側(cè)面形一介質(zhì)層，之后再在各所述溝槽中填充一多晶硅層，將所述一多晶硅層回刻到和所述半導(dǎo)體襯底表面相平。步驟四、采用光刻工藝將柵極結(jié)構(gòu)的形成區(qū)域打開，將所述柵極結(jié)構(gòu)的形成區(qū)域的所述溝槽頂部的所述一多晶硅層和所述一介質(zhì)層去除。步驟五、在所述柵極結(jié)構(gòu)的形成區(qū)域的所述溝槽的頂部側(cè)面形成柵介質(zhì)層以及所述一多晶硅層的頂部表面形成多晶硅間介質(zhì)層。步驟六、在所述柵極結(jié)構(gòu)的形成區(qū)域的所述溝槽的頂部填充第二多晶硅層，由所述第二多晶硅層組成多晶硅柵；所述多晶硅柵底部的所述一多晶硅層為一屏蔽多晶硅并組成一屏蔽電極結(jié)構(gòu)，所述一屏蔽多晶硅側(cè)面的所述一介質(zhì)層為一屏蔽介質(zhì)層。在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述溝槽中的所述一多晶硅層為第二屏蔽多晶硅并組成第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)，所述第二屏蔽多晶硅側(cè)面的所述一介質(zhì)層為第二屏蔽介質(zhì)層。一個(gè)所述igbt器件的單元結(jié)構(gòu)中包括一個(gè)所述柵極結(jié)構(gòu)以及形成于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)，在所述柵極結(jié)構(gòu)的每一側(cè)包括至少一個(gè)所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)。步驟七、在所述漂移區(qū)表面依次形成電荷存儲(chǔ)層和第二導(dǎo)電類型摻雜的阱區(qū)。廣西品質(zhì)Mitsubishi三菱IGBT模塊現(xiàn)貨