附圖說明圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明限壓電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖中：100限壓電路、110一齊納二極管、120第二齊納二極管、200控制電路、300限流電路。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明提供一種igbt驅(qū)動電路，將分立器件實現(xiàn)的限壓電路集成在芯片中，節(jié)省了面積，降低了成本，將限壓電路與igbt的驅(qū)動電路結(jié)合在一個功能塊里進一步節(jié)省了面積和成本，同時借助igbt的驅(qū)動電路中的電阻限制了限壓支路的電流，降低了功耗，保護了驅(qū)動芯片的安全，請參閱圖1，包括限壓電路100、控制電路200和限流電路300；請參閱圖1-2，限壓電路100包括：一齊納二極管110；第二齊納二極管120與一齊納二極管110串聯(lián)，兩個齊納二極管的選擇由驅(qū)動輸出限壓的大小決定；請再次參閱圖1，控制電路200包括限壓電路控制輸入lp、電阻r2、下拉電阻r3和控制管n3，限壓電路控制輸入lp與電阻r2串聯(lián)，電阻r2與控制管n3相串聯(lián)。IGBT的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。西藏Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷
這樣能降低柵電容，增強器件短路電流的能力，提高器件的抗沖擊能力。3、本發(fā)明一實施例還設置了電荷存儲層14，電荷存儲層14結(jié)合第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)能更好的防止集電區(qū)9注入的少子進入到溝道區(qū)域中，從而能降低降低器件的飽和壓降。本發(fā)明第二實施例igbt器件：如圖2所示，是本發(fā)明實施例第二實施例igbt器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明第二實施例igbt器件包括：本發(fā)明第二實施例器件和本發(fā)明一實施例器件的區(qū)別之處為，本發(fā)明第二實施例器件中，在各所述單元結(jié)構(gòu)中，所述源極接觸孔11和鄰近的一個所述屏蔽接觸孔合并成一個接觸孔，鄰近的所述屏蔽接觸孔外側(cè)的所述屏蔽接觸孔11a呈結(jié)構(gòu)。本發(fā)明一實施例方法：如圖3a至圖3g所示，是本發(fā)明一實施例方法各步驟中器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明一實施例igbt器件的制造方法包括如下步驟：步驟一、如圖3a所示，提供一半導體襯底，在所述半導體襯底表面形成由一導電類型輕摻雜區(qū)組成的漂移區(qū)1。所述半導體襯底為硅襯底。在所述硅襯底表面形成有硅外延層，所述漂移區(qū)1直接由一導電類型輕摻雜的所述硅外延層組成，所述阱區(qū)2形成于所述漂移區(qū)1表面的所述硅外延層中。步驟二、如圖3a所示，在所述半導體襯底中形成多個溝槽101。山東定制Mitsubishi三菱IGBT模塊盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。
消除了導通電阻中jfet的影響。同時縮小了原胞尺寸即步進(pitch)，提高原胞密度，每個芯片的溝道總寬度增加，減小了溝道電阻。另一方面，由于多晶硅柵面積增大，減少了分布電阻，有利于提高開關(guān)速度。igbt的飽和壓降(vcesat)和關(guān)斷損耗以及抗沖擊能力是衡量igbt器件的幾個重要指標。飽和壓降是衡量igbt產(chǎn)品導通損耗的重要參數(shù)，降低igbt飽和壓降可以有效降低igbt功率損耗，減小產(chǎn)品發(fā)熱，提高功率轉(zhuǎn)換效率。耐壓特性也是是產(chǎn)品的重要參數(shù)之一。降低關(guān)斷損耗可以限度的降低igbt在高頻下的功率損耗。igbt產(chǎn)品抗沖擊能力的主要體現(xiàn)就是產(chǎn)品抗短路能力，是體現(xiàn)產(chǎn)品可靠性的重要參數(shù)指標。隨著技術(shù)的發(fā)展，對igbt的性能要求越來越高，如何更加靈活地調(diào)整飽和壓降(vcesat)與關(guān)斷損耗(eoff)的折中關(guān)系，在保證飽和壓降不增大的前提下更好的優(yōu)化開關(guān)損耗，同時提高器件的抗沖擊能力以實用于高功率轉(zhuǎn)換領域，成為本領域技術(shù)人員一直求的目標。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種igbt器件，能同時改善器件的飽和壓降、關(guān)斷損耗以及抗沖擊的性能。為此，本發(fā)明還提供一種igbt器件的制造方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的igbt器件包括：漂移區(qū)。
溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP（原來為NPN）晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS（on）特性。在IGBT導通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)，Id與Ugs呈線性關(guān)系。
晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導通。觸發(fā)電流不夠時，管子不會導通，但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導通兩個狀態(tài)，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性。是一種理想的無觸點功率開關(guān)元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導通，門極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關(guān)斷時間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A。在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用廣。江蘇優(yōu)勢Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷
一是開關(guān)速度，主要指標是開關(guān)過程中各部分時間；另一個是開關(guān)過程中的損耗。西藏Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷
被所述多晶硅柵6側(cè)面覆蓋的所述阱區(qū)2的表面用于形成溝道。由一導電類型重摻雜的發(fā)射區(qū)7形成在所述多晶硅柵6兩側(cè)的所述阱區(qū)2的表面。所述多晶硅柵6通過頂部對應的接觸孔連接到由正面金屬層12組成的金屬柵極，所述接觸孔穿過層間膜10。所述發(fā)射區(qū)通過頂部的對應的接觸孔連接到由正面金屬層12組成的金屬源極；令所述發(fā)射區(qū)頂部對應的接觸孔為源極接觸孔11，所述源極接觸孔11還和穿過所述發(fā)射區(qū)和所述阱區(qū)2接觸。本發(fā)明一實施例中，由圖1所示可知，在各所述單元結(jié)構(gòu)中，所述源極接觸孔11和各所述屏蔽接觸孔連接成一個整體結(jié)構(gòu)。所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b也分布通過對應的接觸孔連接到所述金屬源極。在所述集電區(qū)9的底部表面形成有由背面金屬層13組成的金屬集電極。通過形成于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的具有溝槽101式結(jié)構(gòu)的所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)降低igbt器件的溝槽101的步進，從而降低igbt器件的輸入電容、輸出電容和逆導電容，提高器件的開關(guān)速度；通過將所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b和所述金屬源極短接提高器件的短路電流能力；通過所述電荷存儲層14減少器件的飽和壓降。圖1中，一個所述單元結(jié)構(gòu)中包括5個所述溝槽101。西藏Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷