該igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域、電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域；其中，igbt芯片還包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相對(duì)設(shè)置；一表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共柵極單元，以及，工作區(qū)域的一發(fā)射極單元、電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元，其中，第三發(fā)射極單元與一發(fā)射極單元連接，公共柵極單元與一發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過(guò)刻蝕方式進(jìn)行隔開(kāi)；第二表面上設(shè)有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共集電極單元；接地區(qū)域設(shè)置于一發(fā)射極單元內(nèi)的任意位置處；電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測(cè)電阻連接，以使檢測(cè)電阻上產(chǎn)生電壓，并根據(jù)電壓檢測(cè)工作區(qū)域的工作電流。第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種半導(dǎo)體功率模塊，半導(dǎo)體功率模塊配置有一方面的igbt芯片，還包括驅(qū)動(dòng)集成塊和檢測(cè)電阻；其中，驅(qū)動(dòng)集成塊與igbt芯片中公共柵極單元連接，以便于驅(qū)動(dòng)工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域工作；以及，還與檢測(cè)電阻連接，用于獲取檢測(cè)電阻上的電壓。本發(fā)明實(shí)施例帶來(lái)了以下有益效果：本發(fā)明實(shí)施例提供了igbt芯片及半導(dǎo)體功率模塊，igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域、電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域；其中，igbt芯片還包括一表面和第二表面，且。也提高了故障下的自保護(hù)能力。與普通的IGBT模塊相比，IPM在系統(tǒng)性能及可靠性方面都有進(jìn)一步的提高。進(jìn)口Mitsubishi三菱IPM模塊值得推薦
滑環(huán)12的底部固定連接有與傳動(dòng)桿10配合使用的移動(dòng)框13，移動(dòng)框13位于圓盤9的前側(cè)，傳動(dòng)桿10的前端延伸至移動(dòng)框13的內(nèi)部，傳動(dòng)桿10的表面與移動(dòng)框13的內(nèi)壁接觸，移動(dòng)框13的底部固定連接有導(dǎo)向桿19，容納槽2內(nèi)壁的底部開(kāi)設(shè)有導(dǎo)向槽20，導(dǎo)向桿19與導(dǎo)向槽20滑動(dòng)連接，通過(guò)設(shè)置導(dǎo)向桿19和導(dǎo)向槽20，能夠增加移動(dòng)框13移動(dòng)的穩(wěn)定性，防止移動(dòng)框13移動(dòng)時(shí)傾斜，滑環(huán)12的頂部固定連接有移動(dòng)板14，移動(dòng)板14的頂部貫穿至底座1的外部，移動(dòng)板14內(nèi)側(cè)的頂部固定連接有卡桿15，底座1的頂部設(shè)置有igbt功率模塊本體16，igbt功率模塊本體16底部的兩側(cè)均固定連接有橡膠墊21，橡膠墊21的底部與底座1的頂部接觸，通過(guò)設(shè)置橡膠墊21，能夠增加igbt功率模塊本體16與底座1的摩擦力，防止igbt功率模塊本體16在底座1的頂部非正常移動(dòng)，igbt功率模塊本體16兩側(cè)的底部均開(kāi)設(shè)有卡槽17，卡桿15遠(yuǎn)離移動(dòng)板14的一端延伸至卡槽17的內(nèi)部，通過(guò)設(shè)置底座1、容納槽2、一軸承3、蝸桿4、轉(zhuǎn)盤5、第二軸承6、轉(zhuǎn)軸7、蝸輪8、圓盤9、傳動(dòng)桿10、滑桿11、滑環(huán)12、移動(dòng)框13、移動(dòng)板14、卡桿15、igbt功率模塊本體16和卡槽17的配合使用，解決了現(xiàn)有igbt功率模塊的安裝機(jī)構(gòu)操作時(shí)繁瑣，不方便使用者安裝igbt功率模塊的問(wèn)題。進(jìn)口Mitsubishi三菱IPM模塊值得推薦IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測(cè)和保護(hù)電路，使用方便，不僅減小了系統(tǒng)的體積以及開(kāi)發(fā)時(shí)間。
將相鄰引腳隔離。進(jìn)一步的，所述連接柱33由容納槽321的底部向外伸出，連接柱33上還設(shè)有通孔331。如圖3所示，所述支架本體31上還設(shè)有若干加強(qiáng)筋310。請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D2，本實(shí)施例的應(yīng)用于汽車控制的功率模塊機(jī)構(gòu)，包括：裝設(shè)于支架本體31的安裝位上的功率模塊4，穿設(shè)于所述連接柱33的pcb板2，所述功率模塊4的背部還設(shè)有導(dǎo)熱墊5，所述導(dǎo)熱墊5的背部設(shè)有散熱體6。其中，所述功率模塊4上設(shè)有定位孔41，所述定位孔41與所述容納槽321底部的定位柱322插裝。定位柱322與功率模塊4上的定位孔41之間過(guò)盈配合。功率模塊4的引腳42沿著引腳槽323后向上彎折，以便與pcb板2電連接。進(jìn)一步的，所述散熱體6上設(shè)有多個(gè)螺紋孔柱61，所述導(dǎo)熱墊5上設(shè)有與所述螺紋孔柱61對(duì)應(yīng)的安裝孔51，組裝時(shí)，螺紋孔柱61與支架本體31上的連接柱33對(duì)應(yīng)。其中，所述pcb板2上設(shè)有與連接柱33對(duì)應(yīng)的穿孔21，組裝時(shí)，pcb板2通過(guò)所述穿孔21穿設(shè)于支架本體31的連接柱33上，所述連接柱33內(nèi)穿設(shè)有螺釘1，所述螺釘1的另一端螺接于散熱體6上的螺紋孔柱61，以致將pcb板2、支架本體3，功率模塊4、導(dǎo)熱墊5和散熱體6固定連接。其組裝過(guò)程如下：先將功率模塊支架3和多個(gè)功率模塊4集成裝配到一起；在散熱體6上安裝導(dǎo)熱墊5。
圖3和圖4分別為功率模塊機(jī)構(gòu)的功率模塊支架部分不同角度結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，是為了便于描述本實(shí)用新型和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“一”、“第二”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此。跟過(guò)流保護(hù)一樣，為避免發(fā)生過(guò)大的di/dt，大多數(shù)IPM采用兩級(jí)關(guān)斷模式。
因此，散熱器的設(shè)計(jì)務(wù)必有充足的裕量保證管芯結(jié)溫在額定值以內(nèi)，散熱器的平整度。0~+100um，，粗糙度lOum以下，IGBT工作時(shí)應(yīng)配有風(fēng)扇降溫。本系統(tǒng)軟件由主程序、波形發(fā)生程序、故障中斷管理程序及鍵盤掃描程序、顯示輸出等幾個(gè)程序構(gòu)成。主程序流程如圖8所示。圖8主程序流程圖5實(shí)驗(yàn)結(jié)果根據(jù)上述軟硬件設(shè)計(jì)方案，設(shè)計(jì)并制作了—個(gè)軟啟動(dòng)器，被控對(duì)象為30kw的感應(yīng)電機(jī)，其額定轉(zhuǎn)速為1400r/miIl，其負(fù)載電流波形如圖9所示。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，本裝置運(yùn)行良好，在達(dá)到額定頻率時(shí)能自動(dòng)叨換且切換擾動(dòng)小。圖9負(fù)載電流波形6結(jié)束語(yǔ)本文介紹了采用單片機(jī)與可控硅制作的一種新型軟啟動(dòng)器，變頻式限流啟動(dòng)使啟動(dòng)器的啟動(dòng)電流具有諧波小、啟動(dòng)轉(zhuǎn)矩大等優(yōu)點(diǎn)，并且還具有相序自動(dòng)跟蹤的功能，從而其零電流關(guān)斷電路地簡(jiǎn)化了裝置。實(shí)驗(yàn)證明，本裝置具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低以及靜動(dòng)態(tài)特性好等特點(diǎn)。以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開(kāi)關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。福建定制Mitsubishi三菱IPM模塊工廠直銷
為縮短過(guò)流保護(hù)的電流檢測(cè)和故障動(dòng)作間的響應(yīng)時(shí)間。進(jìn)口Mitsubishi三菱IPM模塊值得推薦
該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層90％以上成分為銀，孔隙率小于25％，且厚度為1～15μm。藉此，本發(fā)明具有下列功效：1.本發(fā)明使用的熱接口材料將不會(huì)產(chǎn)生任何介金屬化合物，故不會(huì)因制程(環(huán)境)溫度而脆化，且在高溫下(＜800℃)相當(dāng)穩(wěn)定。2.本發(fā)明使用的熱接口材料在完成熱處理后含少量有機(jī)物(＜1％)，且99％以上為純銀，故長(zhǎng)時(shí)間使用下將無(wú)有機(jī)揮發(fā)物(volatileorganiccompounds,voc)產(chǎn)生。3.本發(fā)明所使用的熱接口材料為純銀，以高純度銀做異質(zhì)界面接合用材料，其導(dǎo)熱系數(shù)為錫銀銅合金(無(wú)鉛焊錫)的兩倍以上，如表1所示。表1本發(fā)明與現(xiàn)有錫銀銅合金焊料的比較錫銀銅焊料本發(fā)明導(dǎo)電率(mω-cm)～(w/m-k)60>2004.本發(fā)明不含鉛、鎘、鹵素等毒性物質(zhì)。5.目前高功率模塊的工作溫度已上升至150℃，次世代高功率模塊的工作溫度將上升至200℃，則本發(fā)明所使用的熱接口材料為純銀，將可取代無(wú)鉛焊錫的錫銀銅合金與傳統(tǒng)焊錫的鉛錫與銀鉛錫合金。6.本發(fā)明奈米銀粒子與微米銀粒子的比例為9:1～1:1，且因主要組成銀粒子的尺寸為100nm以下的奈米銀粒子，故所使用的熱處理溫度低于250℃，可避免電子組件在封裝制程中受到高溫而破壞。7.本發(fā)明采用全新非接觸式探針點(diǎn)膠技術(shù)。進(jìn)口Mitsubishi三菱IPM模塊值得推薦