晶閘管是一種開關(guān)元件，顧名思義他的名字里面有一個閘字也就是門，開關(guān)的意思，他的應(yīng)用在各種電路，以及電子設(shè)備中。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設(shè)備，他通過一個電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)此時他的電阻變得很小相當于一跟導(dǎo)線。晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅，晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極，陰極和控制極，晶閘管（Thyristor）是一種開關(guān)元件，能在高電壓、大電流條件下工作，并且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。1957年，美國通用電器公司開發(fā)出世界上第1個晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。晶閘管的分類：晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）、逆導(dǎo)晶閘管（RCT）、門極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管（TT國外，TTS國內(nèi)）和光控晶閘管（LTT）等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中。整流二極管的一次導(dǎo)通過程，可視為一個“選**沖”，其脈沖重復(fù)頻率就等于交流電網(wǎng)的頻率(50Hz)。福建優(yōu)勢美國IR整流橋模塊值得推薦

人們在制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進措施，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點。一、關(guān)斷時間（toff）短導(dǎo)通的晶閘管，當切斷正向電流時。并不能馬上“關(guān)斷”，這時如立即加上正向電壓，它還會繼續(xù)導(dǎo)通。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時間，叫做關(guān)斷時間。用t0仟表示。晶閘管的關(guān)斷過程，實際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程，制造快速晶閘管時采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命。硅中摻金量越多，t0仟越小，但摻金量過多會影響元件的其它性能。二、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管?？偸窃诳拷刂茦O的陰極區(qū)域首先導(dǎo)通，然后逐漸向外擴展，直到整個面積導(dǎo)通。大面積的晶閘管需要50～100微秒以上才能***積導(dǎo)通。初始導(dǎo)通面積小時，必須限制初始電流的上升速度，否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象，影響元件的性能，甚至燒壞。高頻工作時這種現(xiàn)象更為嚴重。為此，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小晶閘管?？刂茦O觸發(fā)小晶閘管后，小晶閘管的初始導(dǎo)通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主晶閘管陰極，觸發(fā)主晶閘管。福建優(yōu)勢美國IR整流橋模塊值得推薦整流橋作為一種功率元器件，非常廣。應(yīng)用于各種電源設(shè)備。

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向?qū)?，所以采用可控硅有單雙向關(guān)系之分。電子生產(chǎn)中常用的SCR，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型、高靈敏度型、標準觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進行品種、高壓品種?？煽毓璁a(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”。可控硅發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟，質(zhì)量更好，收率有了很大的提高，并向高壓大電流發(fā)展?？煽毓柙趹?yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;無觸點功率靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）：作為功率開關(guān)元件，可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場合。因此可控硅元件被廣應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關(guān)等用途。

三相晶閘管觸發(fā)板是以高級工業(yè)級單片機為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)板，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。中文名三相晶閘管觸發(fā)板外文名Three-phasethyristortriggerboard適應(yīng)適應(yīng)不同性質(zhì)負載電壓5V～380V目錄1三相晶閘管觸發(fā)板2種高性能PID方案?適用電路?正常使用條件?工作原理?技術(shù)參數(shù)3三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板編輯使用靈活,安裝簡便。電源用變壓器，性能穩(wěn)定可靠。三相同步方案,定制可適應(yīng)交流5V～380V各種同步電壓。三相晶閘管觸發(fā)板種高性能PID方案編輯適應(yīng)不同性質(zhì)負載，控制精度高，動態(tài)特性好。全數(shù)字觸發(fā)，脈沖不對稱度≤°,用脈沖變壓器觸發(fā),脈沖前沿陡度≤。功能、參數(shù)設(shè)定采用按鍵操作，故障、報警、界面采用LED數(shù)碼管顯示，操作方便，顯示直觀。本控制板的所有控制參數(shù)均為數(shù)字量，無溫度漂移變化，運行穩(wěn)定、工作可靠。強抗干擾能力，采用獨特措施，惡劣干擾環(huán)境正常運行。通用性強，適用范圍寬，控制板適應(yīng)任何主電路，任何性質(zhì)負載。手動、自動;穩(wěn)流、穩(wěn)壓;電位器控制、儀表控制可任意選擇和切換。三相晶閘管數(shù)控板直接觸發(fā)六個10000A以內(nèi)的晶閘管元件的設(shè)備，外接脈沖功放板。整流橋由控制器的控制角控制,當控制角為0°～90°時，整流橋處于整流狀態(tài),輸出電壓的平均值為正。

對其在脈沖脈沖功率電源領(lǐng)域中的應(yīng)用研究很少，尚處于試驗探索階段。[1]在大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件中，晶閘管是具有**高耐壓容量與**大電流容量的器件。國內(nèi)外主要制作的大功率晶閘管都是應(yīng)用在高壓直流輸電中。所制造出的大功率晶閘管，**大直徑可達6英寸，單閥片耐壓值**高可達11KV，的通流能力**高可達4500A。在該領(lǐng)域比較**的有瑞士的ABB以及國內(nèi)的株洲南車時代。[1]為提高晶閘管的通流能力、開通速度、di/dt承受能力，國外在普通晶閘管的基礎(chǔ)上研制出了兩種新型的晶閘管：門極關(guān)斷晶閘管GTO以及集成門極換流晶閘管IGCT。這兩種器件都已經(jīng)在國外投入實際使用。其中GTO的單片耐壓可達，工況下通流能力可達4kA，而目前研制出的在電力系統(tǒng)中使用的IGCT的**高耐壓可達10kV，通流能力可達。[1]針對脈沖功率電源中應(yīng)用的晶閘管，國內(nèi)還沒有廠家在這方面進行研究，在國際上具有**技術(shù)的是瑞士ABB公司。他們針對脈沖功率電源用大功率晶閘管進行了十數(shù)年的研究。目前采用的較成熟的器件為GTO，其直徑為英寸，單片耐壓為，通常3個閥片串聯(lián)工作?？梢猿惺艿碾娏鞣逯禐?20kA/90us，電流上升率di/dt**高可承受。門極可承受觸發(fā)電流**大值為800A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為400A/us。整流橋的選型也是至關(guān)重要的，后級電流如果過大，整流橋電流小，這樣就會導(dǎo)致整流橋發(fā)燙嚴重。福建優(yōu)勢美國IR整流橋模塊值得推薦

這類應(yīng)用一般多應(yīng)用在電力試驗設(shè)備上，通過變壓器，調(diào)整晶閘管的導(dǎo)通角輸出一個可調(diào)的直流電壓。福建優(yōu)勢美國IR整流橋模塊值得推薦

除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。2、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時，應(yīng)立即更換。3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。損壞原因判別/晶閘管編輯當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。福建優(yōu)勢美國IR整流橋模塊值得推薦