該升降裝置包括第三伺服電機(jī)340、凸輪341、半圓狀的定位盤342與傳感器350。第三伺服電機(jī)340固定于豎板312外側(cè)，其電機(jī)軸穿過豎板312上的開孔伸入基座310里側(cè)，凸輪341與定位盤342依次套設(shè)于電機(jī)軸上。凸輪341與頂桿410的凸起端頭411相抵。從而能夠通過第三伺服電機(jī)340的旋轉(zhuǎn)，依次驅(qū)動(dòng)凸輪341、頂桿410、連接塊510，帶動(dòng)頂塊500的升降。傳感器350安裝于豎板312上，傳感器350中間設(shè)有一道感應(yīng)凹槽351，定位盤342能夠在旋轉(zhuǎn)時(shí)穿過該感應(yīng)凹槽351，被傳感器350感應(yīng)。通過傳感器350感應(yīng)定位盤342，使該升降裝置能夠初始化頂升頭400的初始位置，并且能夠精確控制頂升頭400的頂升高度，例如圖10、圖11所示，傳感器350感應(yīng)到定位盤342的直徑邊緣342a作為起始零點(diǎn)，通過感應(yīng)定位盤342旋轉(zhuǎn)預(yù)定角度a控制頂升頭400的頂升高度。如圖3、圖5與圖6所示，該頂桿410的凸起端頭411上設(shè)有氣管接頭412、該頂桿410內(nèi)具有連通氣管接頭412的第二氣道413，第二氣道413連通位于頂桿410頂部的第二氣孔414。如圖6所示，該連接塊510中具有豎直貫孔，該豎直貫孔分別連通第二氣孔414與圈形磁鐵560的中心孔。如圖6所示，該頂塊500內(nèi)具有連通方形凹腔541與圈形磁鐵560中心孔的第三氣道550。彈力太小或太大、接觸電阻太大、行程不符合要求都會(huì)對(duì)測(cè)試產(chǎn)生影響。所以就需要對(duì)此些數(shù)據(jù)進(jìn)行檢測(cè)。杭州頂針閥

    作為本發(fā)明的一種推薦實(shí)施方式，還包括c形基座，所述基座包括設(shè)于所述第二滑塊上的底板、連接于底板一端的豎板以及連接于所述豎板頂端與所述底板相對(duì)布置的頂板，所述頂板上設(shè)有支撐筒，所述真空吸頭連接于所述支撐筒上。采用這樣的結(jié)構(gòu)能夠避免升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)與支撐筒間的安裝***。作為本發(fā)明的一種推薦實(shí)施方式，所述支撐筒的外壁上設(shè)有氣嘴，所述支撐筒內(nèi)設(shè)有連通所述真空吸頭與所述氣嘴的***氣道。能夠通過氣嘴進(jìn)行抽氣來控制真空吸頭對(duì)粘性膜進(jìn)行吸附。作為本發(fā)明的一種推薦實(shí)施方式，所述升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括設(shè)于所述豎板上的升降裝置以及設(shè)于所述支撐筒中的頂桿，所述頂桿頂部與所述頂升頭相連，所述升降裝置能夠驅(qū)動(dòng)所述頂桿帶動(dòng)所述真空吸頭進(jìn)行升降。作為本發(fā)明的一種推薦實(shí)施方式，所述升降裝置包括安裝于所述豎板上的第三伺服電機(jī)，所述第三伺服電機(jī)具有伸至所述頂板下方的電機(jī)軸，所述電機(jī)軸上設(shè)有凸輪，所述頂桿底端穿過頂板上的通孔與所述凸輪相抵。采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠通過凸輪的轉(zhuǎn)動(dòng)來控制頂升頭的升降。作為本發(fā)明的推薦實(shí)施方式，所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)包括設(shè)于頂桿上的氣管接頭、設(shè)于所述頂桿中且連通所述氣管接頭的第二氣道。溫州頂針詞登錄公司購買SA品牌微克南添儀器的試驗(yàn)機(jī)，全球客戶送貨上門，售后人員當(dāng)面培訓(xùn)，直到學(xué)會(huì)為止。

    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種空氣頂針式芯片膜上分離裝置。背景技術(shù)：在半導(dǎo)體芯片的制作過程中，整個(gè)晶圓制作完成后，首先需要把晶圓貼到粘性膜上，進(jìn)行劃片，把晶圓切割成一顆顆單獨(dú)芯片，之后需要把單獨(dú)的芯片從粘性膜上取下來，轉(zhuǎn)入托盤，料帶或者直接貼裝在基板上。從粘性膜上吸取芯片的過程中，因?yàn)槟び姓承裕苯佑梦鞆哪ど衔?，真空力無法克服膜的粘力，取不下來。需要把芯片從膜上頂起來，使芯片的大部分與膜脫離，只剩下很下的部分還和膜粘著，這樣吸嘴從上面吸取芯片，所需要克服的粘力就很小了，就可以很順利的把芯片吸走了?，F(xiàn)有的把芯片從膜上頂升，讓芯片和膜剝離的方法，主要是頂針的方法，芯片頂升時(shí)，頂升座用真空吸附住膜，從芯片的正下方，頂起一根或多根，頂針前端磨細(xì)，針尖做成圓弧，保證既可以減少接觸面積，又不會(huì)頂破膜。頂針頂升時(shí)，因?yàn)橹苓叺哪け徽婵瘴皆谙旅娴捻斏希挥许斸樏俺霭研酒斏?，芯片周邊的膜?huì)從芯片上剝離開，只剩下頂針處還有很小面積的膜還接觸著芯片，這樣膜的粘力就很弱了，上面的真空吸嘴就可以把芯片吸走了。頂針的方法，可以對(duì)應(yīng)厚度超過100微米的芯片，厚的芯片，剛性比較好，頂針頂升時(shí)。

    帽蓋100與帽體200的安裝方式不同；具體的，帽體200的頂面設(shè)有安裝槽600，安裝槽600位于帽體200頂面中部，主要通過安裝塊120卡于安裝槽600的開槽位置來使帽蓋100固定在帽體200上，帽蓋100邊緣處設(shè)有配合安裝槽600使用的安裝塊120，用以更好的可拆卸安裝在帽體200上，安裝塊120的形狀不做具體限制，當(dāng)然在其他實(shí)施例中也可以不按此設(shè)置；安裝槽600靠近帽體200的外壁設(shè)有45度倒角210，倒角210的一邊與安裝塊120的上表面接觸，避免貼膜400與帽蓋100接觸時(shí)，在帽體200內(nèi)真空吸附的作用下，芯片500與帽體200的90度拐角處直接接觸導(dǎo)致的破損。實(shí)施例三：本實(shí)施例與實(shí)施例一大體一致，如圖6所示，主要區(qū)別點(diǎn)在于，帽蓋100與帽體200的安裝方式不同；具體的，帽體200的頂面設(shè)有安裝槽600，安裝槽600位于帽體200頂面中部，主要通過帽蓋100本身的彈性形變來使帽蓋100夾持固定在帽體200上，帽蓋100邊緣處設(shè)有配合安裝槽600使用的安裝塊120，用以更好的可拆卸安裝在帽體200上，安裝塊120的形狀不做具體限制；安裝槽600靠近帽體200的外壁設(shè)有45度倒角210，倒角210的一邊與安裝塊120的下表面接觸，避免貼膜400與帽蓋100接觸時(shí)，在帽體200內(nèi)真空吸附的作用下。2006年成功申請(qǐng)多項(xiàng)國家力學(xué)試驗(yàn)機(jī)。

    則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。在本實(shí)用新型的描述中，需要說明的是，術(shù)語“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，或者是該實(shí)用新型產(chǎn)品使用時(shí)慣常擺放的方位或位置關(guān)系，*是為了便于描述本實(shí)用新型和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。實(shí)施例一：參照?qǐng)D1所示的一種球面頂針帽，包括帽蓋100、帽體200以及設(shè)置于帽體200內(nèi)部的頂針300，帽蓋100為球缺且其球面頂點(diǎn)凸出于帽體200；帽蓋100上設(shè)有供頂針的針體穿過的通孔110，頂針300從通孔110中頂出，通孔110還作為帽體200內(nèi)氣體的流通通道；球缺包括一個(gè)球冠和底面；球冠的表面積大于豎直投影下的平面面積，參照?qǐng)D4，在同尺寸頂針帽的前提下，即帽體200橫截面直徑都為l，上頂?shù)那蛉毙蚊鄙w100在帽體200內(nèi)真空的吸附作用下會(huì)對(duì)貼膜400有適量的頂開力，導(dǎo)致貼膜400有輕微的形變，長度延伸至l’，從而使貼膜400會(huì)有向下的預(yù)緊力，此時(shí)單位面積內(nèi)的芯片500數(shù)量不變，在配合頂針300從通孔110中頂出，有更大的作用力使芯片500從貼膜400上被分離；而同尺寸的傳統(tǒng)平面帽蓋。具體頂針探針阻抗彈力試驗(yàn)機(jī)技術(shù)規(guī)格及參數(shù)或需求更多產(chǎn)品可來電查詢。溫州藍(lán)2頂針

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