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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-11-23

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    該頂桿410與支撐筒320的貫通孔324內(nèi)壁間設(shè)有密封圈,由此實(shí)現(xiàn)支撐筒320與頂桿410間的氣密。該頂桿410外壁與連接塊510放置腔的內(nèi)壁間設(shè)有密封圈512,由此實(shí)現(xiàn)第二氣道413與豎直貫孔間的氣密。該豎直貫孔與第三氣道550間通過(guò)圈形磁鐵560的吸附力實(shí)現(xiàn)氣密。如圖1和圖3所示,***滑塊104上還設(shè)有支架360,該支架360上設(shè)有分別連接氣嘴312與氣管接頭412的多個(gè)電磁閥370。其中的一個(gè)電磁閥370、氣管接頭412、第二氣道413、豎直貫孔、圈形磁鐵560與第三氣道550一起構(gòu)成了一個(gè)能夠?qū)攭K500中的凹腔541進(jìn)行充放氣的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)。采用這樣的結(jié)構(gòu),使進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的氣路與真空吸頭330的氣路相對(duì)**,不會(huì)因?yàn)閷?duì)凹腔541進(jìn)行充放氣操作影響真空吸頭330的運(yùn)行。支架360上還連接有坦克鏈380,通過(guò)坦克鏈380實(shí)現(xiàn)電氣線路、氣管線路的跟隨運(yùn)動(dòng)。以上就是本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu),工作時(shí),首先,將真空吸頭330移動(dòng)到放置有芯片的粘性膜下方,通過(guò)粘性膜的運(yùn)動(dòng)使粘性膜上的芯片對(duì)準(zhǔn)頂升頭400上的凹腔541,角度一致。隨后,粘性膜上方的真空吸嘴下降,貼到芯片的表面上開始抽氣,吸附住芯片。打開與氣嘴321連接的電磁閥370,對(duì)真空吸頭330抽真空,使真空吸頭330吸住粘性膜。接著。

    芯片上方的真空吸嘴和頂升頭400同步向上移動(dòng),頂升頭400伸出至高出頂壁約2mm左右后,停止上升,緊接著在真空吸嘴繼續(xù)上升的同時(shí),打開與氣管接頭412連接的電磁閥370,向方形凹腔541內(nèi)充氣,從而使得粘性膜對(duì)應(yīng)在凹腔541上的區(qū)域形成向上突起的鼓包,這時(shí),芯片四周邊緣就會(huì)與粘性膜分離,隨著凸起越來(lái)越高,芯片的邊緣開始脫離,脫離部分越來(lái)越多,直到芯片與膜之間只有一小部分粘連,粘力很小,這時(shí)再驅(qū)動(dòng)真空吸嘴將芯片吸走。***,將凹腔541中的氣體排出并驅(qū)動(dòng)頂升頭400下降并停止真空吸頭抽真空,使整個(gè)裝置還原到初始狀態(tài)后通過(guò)移動(dòng)粘性膜使下個(gè)芯片與頂升頭400的凹腔541對(duì)準(zhǔn),以進(jìn)行下一輪芯片與膜的剝離。本發(fā)明采用空氣頂針的模式,替換傳統(tǒng)的鋼制頂針,不會(huì)有受力集中的問(wèn)題,能夠?qū)穸葹?00微米以下的芯片進(jìn)行剝離,而不會(huì)損傷芯片,相比現(xiàn)有技術(shù)取得了***的進(jìn)步。但是,本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到,以上的實(shí)施例*是用說(shuō)明本發(fā)明,而并非用作為對(duì)本發(fā)明的限定,只要在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi),對(duì)以上所述實(shí)施例的變化、變型都將落在本發(fā)明的權(quán)利要求書范圍內(nèi)。支架360上還連接有坦克鏈380,通過(guò)坦克鏈380實(shí)現(xiàn)電氣線路、氣管線路的跟隨運(yùn)動(dòng)。

    芯片500與帽體200的90度拐角處直接接觸導(dǎo)致的破損。實(shí)施例四:本實(shí)施例與實(shí)施例一大體一致;主要區(qū)別點(diǎn)在于,如圖7所示,球缺形帽蓋100的頂部為平面且該平面平行于球缺底面,具體的,該平面的為直徑為r的圓形,直徑為r的平面覆蓋了**內(nèi)部的兩圈通孔110,保證中間通孔110出現(xiàn)頂針300時(shí),外圈通孔110對(duì)貼膜400有持久的吸附力。當(dāng)頂部通孔110吸附芯片500時(shí),由于芯片500不能彎曲,所以當(dāng)實(shí)施例一中的球缺形帽蓋100為塑性材料制作而成時(shí),帽蓋100對(duì)于芯片500之間有相對(duì)間隙,達(dá)不到**好的吸附效果;直徑為r的平面增大了帽蓋頂部對(duì)貼膜400的接觸面,變相增大了與芯片500之間的接觸面,減小了上述的相對(duì)間隙,增大了吸附力,更有利于配合頂針向上頂,使芯片與貼膜分離。需要說(shuō)明的是,實(shí)施例一至三中的球缺形帽蓋100為彈性材料制作而成時(shí),帽蓋100在頂部可輕微變形也能有效地保證與貼膜400的接觸面積,減小相對(duì)間隙,增大了吸附力,有利于配合頂針向上頂,使芯片與貼膜分離。以上所述*為本實(shí)用新型的推薦實(shí)施例而已,并不用于限制本實(shí)用新型,對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō),本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等。此款試驗(yàn)機(jī)為測(cè)試頂針探針量身定制,頂針和探針力值、行程、接觸電阻為三個(gè)主要測(cè)試指標(biāo)。引導(dǎo)頂針規(guī)格尺寸

主要試驗(yàn)機(jī)有荷重-位移曲線機(jī)、全自動(dòng)插拔力試驗(yàn)機(jī)、三軸按鍵開關(guān)荷重位移曲線儀,電腦全自動(dòng)扭力試驗(yàn)機(jī)。紹興頂針推薦廠家

    不會(huì)碎裂。但厚度100微米以內(nèi)的芯片,因?yàn)樾酒臼∫呀?jīng)非常脆弱了,芯片面積稍大時(shí),頂針頂升,芯片受頂針的力和膜的粘力的相互作用,很容易就碎裂了。所以對(duì)于厚度100微米以內(nèi)的薄芯片,迫切需要新的頂升方式從粘性膜上剝離。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種新型的空氣頂針式芯片膜上分離裝置,能夠?qū)穸仍?00毫米以下的芯片進(jìn)行剝離,而不會(huì)損傷芯片。本發(fā)明通過(guò)如下方式解決該技術(shù)問(wèn)題:一種空氣頂針式芯片膜上分離裝置,包括真空吸頭,所述真空吸頭的頂壁上設(shè)有中心孔與環(huán)繞所述中心孔布置的吸氣孔,其特征在于:還包括設(shè)于所述中心孔中的頂升頭以及能夠驅(qū)動(dòng)所述頂升頭頂壁高出所述真空吸頭的頂壁的升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),所述頂升頭的頂壁上設(shè)有凹腔,所述頂升頭具有連通所述凹腔的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)。使用時(shí),將真空吸頭置于粘性膜正下方,通過(guò)真空吸頭吸住粘性膜的底面,頂升頭上升,進(jìn)氣機(jī)構(gòu)對(duì)凹腔內(nèi)充氣,使凹腔處的粘性膜開始凸起,芯片與粘性膜逐漸分離,從而使位于芯片上方的吸嘴可以順利將芯片吸走。采用這樣剝離方式,不會(huì)有傳統(tǒng)鋼制頂針受力集中的問(wèn)題,能夠?qū)穸葹?00微米以下的芯片進(jìn)行剝離而不會(huì)損傷芯片,相比現(xiàn)有技術(shù)有了***的進(jìn)步。紹興頂針推薦廠家

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