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氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優(yōu)良的新型陶瓷材料，具有優(yōu)良的熱傳導性，可靠的電絕緣性，低的介電常數和介電損耗，無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數等一系列優(yōu)良特性，被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件的理想封裝材料。另外，氮化鋁陶瓷可用作熔煉有色金屬和半導體材料砷化鎵的坩堝、蒸發(fā)舟、熱電偶的保護管、高溫絕緣件，同時可作為耐高溫耐腐蝕結構陶瓷、透明氮化鋁陶瓷制品，因而成為一種具有較廣應用前景的無機材料。陶瓷的透明度，一般指能讓一定的電磁頻率范圍內的電磁波通過，如紅外頻譜區(qū)域中的電磁波若能穿透陶瓷片，則該陶瓷片為紅外透明陶瓷。純凈的AlN陶瓷為無色透明晶體，具有優(yōu)異的光學性能，可以用作制造電子光學器件裝...

生產方法：將氨和鋁直接進行氮化反應，經粉碎、分級制得氮化鋁粉末。或者將氧化鋁和炭充分混合,在電爐中于1700℃還原制得氮化鋁。將高純度鋁粉脫脂(用抽提或在氮氣流中加熱到150℃)后，放到鎳盤中，將盤放在石英或瓷制反應管內，在提純的氮氣流中慢慢地進行加熱。氮化反應在820℃左右時發(fā)出白光迅速地進行。此時，必須大量通氮以防止反應管內出現減壓。這個激烈的反應完畢后，在氮氣流中冷卻。由于產物內包有金屬鋁,可將其粉碎，并在氮氣流中于1100～1200℃溫度下再加熱1～2h，即得到灰白色氮化鋁。另外，將鋁在1200～1400℃下蒸發(fā)氣化，使其與氮氣反應即得到氮化鋁的須狀物(金屬晶須)。此外,也有將AlCl...

氮化鋁的熱傳導機理：熱導率，也即導熱系數，作為衡量物質導熱能力的量度，是導熱材料很重要的性質之一。AIN屬于共價化合物，其分子內部沒有可自由移動的電子，因此熱量的傳遞是以晶格振動這種形式來實現的，這種方式叫“聲子傳熱”。晶體內部溫度高的部分能量大，溫度低的部分能量小，能量通過聲子之間互相作用，從高能量向低能量發(fā)生傳遞，能量的遷移導致熱量的傳導?？梢钥吹?，把晶格內部的原子看成小球，這些小球之間彼此由彈簧（共價鍵）連接起來，從而每個原子的振動都要牽動周圍的原子，使振動以彈性波的形式在晶體中傳播。這種晶格振動產生的能量量子，即“聲子”，聲子相互作用使振動傳遞，從而使能量遷移，傳導熱量。若能以較低的成...

氧雜質對熱導率的影響：AIN極易發(fā)生水解和氧化，使氮化鋁表面發(fā)生氧化，導致氧固溶入AIN晶格中形成鋁空位缺陷，這樣就會導致聲子散射增加，平均自由程降低，熱導率也隨之降低。因此，為了提高熱導率，加入合適的燒結助劑來除去晶格中的氧雜質是一種有效的辦法。氮化鋁陶瓷的燒結的關鍵控制要素：AlN是共價化合物，原子的自擴散系數小，鍵能強，導致很難燒結致密，其熔點高達3000℃以上，燒結溫度更是高達1900℃以上，如此高的燒結溫度嚴重制約了氮化鋁在工業(yè)上的實際應用。此外，AlN表層的氧雜質是在高溫下才開始向其晶格內部擴散的，因此低溫燒結還有另外一個作用，即延緩燒結時表層的氧雜質向AlN晶格內部擴散，減少晶格...

氮化鋁粉體的制備工藝：碳熱還原法：碳熱還原法就是將混合均勻的Al2O3和C在N2氣氛中加熱，首先Al2O3被還原，所得產物Al再與N2反應生成AlN，其化學反應式為：Al2O3(s)+3C(s)+N2(g)→2AlN(s)+3CO(g)；其優(yōu)點是原料豐富，工藝簡單；粉體純度高，粒徑小且分布均勻。其缺點是合成時間長，氮化溫度較高，反應后還需對過量的碳進行除碳處理，導致生產成本較高。高能球磨法：高能球磨法是指在氮氣或氨氣氣氛下，利用球磨機的轉動或振動，使硬質球對氧化鋁或鋁粉等原料進行強烈的撞擊、研磨和攪拌，從而直接氮化生成氮化鋁粉體的方法。其優(yōu)點是：高能球磨法具有設備簡單、工藝流程短、生產效率高等...

由于具有優(yōu)良的熱、電、力學性能。氮化鋁陶瓷引起了國內外研究者的較廣關注，隨著現代科學技術的飛速發(fā)展，對所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領域得到更為較廣的應用！雖然多年來通過許多研究者的不懈努力，在粉末的制備、成形、燒結等方面的研究均取得了長足進展。但就截止2013年4月而言，氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進一步發(fā)展的關鍵因素。為了促進氮化鋁研究和應用的進一步發(fā)展，必須做好下面兩個研究工作。研究低成本的粉末制備工藝和方法！制約氮化鋁商品化的主要因素就是價格問題。若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末，將會提高其商品化程度！高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發(fā)...

氮化鋁陶瓷的制備技術：模壓成型是應用很較廣的成型工藝。其工藝原理是將經過噴霧造粒后流動性好的造粒料填充到金屬模腔內，通過壓頭施加壓力，壓頭在模腔內產生移動，模腔內粉體在壓頭作用力下產生顆粒重排，顆粒間空隙內氣體排出，形成具有一定強度和形狀的陶瓷素坯。通常壓制的初始階段致密化速率很高，初始階段的壓力通過顆粒間的接觸，使包覆有粘結劑的顆?；瑒雍椭嘏?，當進一步施壓時，顆粒變形增加相互間的接觸面，減少顆粒間的氣孔，氣體在加壓過程中通過顆粒間遷移，很終通過模具間隙排出。利用AIN陶瓷耐熱耐熔體光學性能可作紅外線窗口。片狀氮化鋁銷售公司提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑：加入適當的燒結助劑，引入添加劑主要有兩方面...

氮化鋁的應用：應用于襯底材料，AlN晶體是GaN、AlGaN以及AlN外延材料的理想襯底。與藍寶石或SiC襯底相比，AlN與GaN熱匹配和化學兼容性更高、襯底與外延層之間的應力更小。因此，AlN晶體作為GaN外延襯底時可大幅度降低器件中的缺陷密度，提高器件的性能，在制備高溫、高頻、高功率電子器件方面有很好的應用前景。另外，用AlN晶體做高鋁（Al）組份的AlGaN外延材料襯底還可以有效降低氮化物外延層中的缺陷密度，極大地提高氮化物半導體器件的性能和使用壽命。基于AlGaN的高質量日盲探測器已經獲得成功應用。結晶氮化鋁溶于水、無水乙醇、，微溶于鹽酸，其水溶液呈酸性。湖州高導熱氮化鋁粉體氮化鋁陶瓷...

在AlN陶瓷的燒結工藝中，燒結氣氛的選擇也十分關鍵的。一般的AlN陶瓷燒結氣氛有3種：還原型氣氛、弱還原型氣氛和中性氣氛。還原性氣氛一般為CO，弱還原性氣氛一般為H2，中性氣氛一般為N2。在還原氣氛中，AlN陶瓷的燒結時間及保溫時間不宜過長，燒結溫度不宜過高，以免AlN被還原。在中性氣氛中不會出現上述情況。所以一般選擇在氮氣中燒結，這樣可以獲得性能更好的AlN陶瓷。目前，國內氮化鋁材料的研究制造水平相比國外還有不小差距，研究基本停留在各大科研院所高校、真正能夠獨自產業(yè)化生產的機構極少。未來需把精力投入到幾種方法的綜合利用或新型陶瓷燒結技術研發(fā)上，減小生產成本，使得AlN陶瓷產品的種類豐富，外形...

納米氮化鋁粉體主要用途：導熱塑料中的應用:納米氮化鋁粉體可以大幅度提高塑料的導熱率。通過實驗產品以5-10%的比例添加到塑料中，可以使塑料的導熱率從原來的0.3提高到5。導熱率提高了1l6倍多。相比較目前市場上的導熱填料（氧化鋁或哦氧化鎂等）具有添加量低，對制品的機械性能有提高作用，導熱效果提高更明顯等特點。目前相關應用廠家已經大規(guī)模采購納米氮化鋁粉體，新型的納米導熱塑料將投放市場。高導熱硅橡膠的應用:與硅匹配性能好，在橡膠中容易分散，在不影響橡膠的機械性能的前提下（實驗證明對橡膠的機械性能還有提高作用)可大幅度提升硅橡膠的導熱率，在添加過程中不象氧化物等使黏度上升很快，添加量很小(根據導熱要...

陶瓷線路板的耐熱循環(huán)性能是其可靠性關鍵參數之一。本文對陶瓷基板在反復周期性加熱過程中發(fā)生的變形情況進行了研究。通過實驗發(fā)現，陶瓷覆銅板在周期性加熱過程中，存在類似金屬材料在周期載荷作用下出現的棘輪效應和包辛格效應。結合ＡＮＳＹＳ有限元計算結果，可以推斷，陶瓷線路板的失效開裂與金屬層的塑性變形或位錯運動直接相關。另外，活性金屬釬焊陶瓷基板的結構穩(wěn)定性優(yōu)于直接覆銅陶瓷基板。隨著功率器件工作電壓、電流的增加和芯片尺寸不斷減小，芯片功率密度急劇增加，對芯片的散熱封裝的可靠性提出了更高挑戰(zhàn)。傳統柔性基板或金屬基板已滿足不了第三代半導體模塊高功率、高散熱的要求，陶瓷基板具有良好的導熱性、耐熱性、絕緣性、低...

采用小粒徑氮化鋁粉：氮化鋁燒結過程的驅動力為表面能，顆粒細小的AlN粉體能夠增強燒結活性，增加燒結推動力從而加速燒結過程。研究證實，當氮化鋁原始粉料的起始粒徑細小20倍后，陶瓷的燒結速率將增加147倍。燒結原料應選擇粒徑小且分布均勻的氮化鋁粉，可防止二次再結晶，內部的大顆粒易發(fā)生晶粒異常生長而不利于致密化燒結；若顆粒分布不均勻，在燒結過程中容易發(fā)生個別晶體異常長大而影響燒結。此外，氮化鋁陶瓷的燒結機理有時也受原始粉末粒度的影響。微米級的氮化鋁粉體按體積擴散機理進行燒結，而納米級的粉體則按晶界擴散或者表面擴散機理進行燒結。但目前而言，細小均勻的氮化鋁粉體制備很困難，大多通過濕化學法結合碳熱還原法...

氮化鋁基板具有極高的熱導率，無毒、耐腐蝕、耐高溫,熱化學穩(wěn)定性好等特點。氮化鋁陶瓷基板是大規(guī)模集成電路，半導體模塊電路和大功率器件的理想封裝材料、散熱材料、電路元件及互連線承載體。同時也是提高高分子材料熱導率和力學性能的很佳添加料，目前在新能源汽車方面應用較廣。隨著智能汽車的電子化程度越來越高，集成電路所占的成本比例將越來越高，擴大氮化鋁基板的應用場景及需求。傳統的IGBT模塊中，氧化鋁精密陶瓷基板是很常用的精密陶瓷基板。但由于氧化鋁精密陶瓷基片相對低的熱導率、與硅的熱膨脹系數匹配不好，并不適合作為高功率模塊封裝材料。氮化鋁精密陶瓷基板在熱特性方面具有非常高的熱導率，散熱快；在應力方面，熱膨脹...

粉末注射成型是將現代塑料注射成型技術引入粉末冶金領域而形成的一門新型近終形成型技術。據中國粉體網編輯了解，該技術的很大特點是可以直接制備出復雜形狀的零件，而且由于是流態(tài)充模，基本上沒有模壁摩擦，成型坯的密度均勻，尺寸精度高。因此，國際上普遍認為該技術的發(fā)展將會導致零部件成型與加工技術的一場**，被譽為“21世紀的零部件成型技術”。粘結劑是注射成型技術的重點，首先，粘結劑是粉末的載體，它在很大程度上決定喂料注射成型的流變性能和注射性能；其次，一種良好的粘結劑還必須具有維形作用，即保證樣品從注射完成到脫脂結束都能維持形狀而不發(fā)生變化。為了同時滿足上述要求，粘結劑一般由多種有機物組元組成。利用氮化鋁...

氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的熱、電、力學性能，所以它的應用范圍比較廣?？梢灾瞥傻X陶瓷基片，熱導率高，膨脹系數低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電耗損小，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。氮化鋁陶瓷硬度高，超過氧化鋁陶瓷，也可用于磨損嚴重的部位。利用氮化鋁陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩(wěn)定，但在堿性溶液中易被侵蝕。氮化鋁新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛...

環(huán)氧樹脂/AlN復合材料：作為封裝材料，需要良好的導熱散熱能力，且這種要求愈發(fā)嚴苛。環(huán)氧樹脂作為一種有著很好的化學性能和力學穩(wěn)定性的高分子材料，它固化方便，收縮率低，但導熱能力不高。通過將導熱能力優(yōu)異的AlN納米顆粒添加到環(huán)氧樹脂中，可有效提高材料的熱導率和強度。TiN/AlN復合材料：TiN具有高熔點、硬度大、跟金屬同等數量級的導電導熱性以及耐腐蝕等優(yōu)良性質。在AlN基體中添加少量TiN，根據導電滲流理論，當摻雜量達到一定閾值，在晶體中形成導電通路，可以明顯調節(jié)AlN燒結體的體積電阻率，使之降低2~4個數量級。而且兩種材料所制備的復合陶瓷材料具有雙方各自的優(yōu)勢，高硬度且耐磨，也可以用作高級研...

氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優(yōu)良的新型陶瓷材料，具有優(yōu)良的熱傳導性，可靠的電絕緣性，低的介電常數和介電損耗，無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數等一系列優(yōu)良特性，被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件的理想封裝材料。另外，氮化鋁陶瓷可用作熔煉有色金屬和半導體材料砷化鎵的坩堝、蒸發(fā)舟、熱電偶的保護管、高溫絕緣件，同時可作為耐高溫耐腐蝕結構陶瓷、透明氮化鋁陶瓷制品，因而成為一種具有較廣應用前景的無機材料。陶瓷的透明度，一般指能讓一定的電磁頻率范圍內的電磁波通過，如紅外頻譜區(qū)域中的電磁波若能穿透陶瓷片，則該陶瓷片為紅外透明陶瓷。純凈的AlN陶瓷為無色透明晶體，具有優(yōu)異的光學性能，可以用作制造電子光學器件裝...

喂料體系的流變性能對注射成形起著至關重要的作用，優(yōu)良的喂料體系應該具備低粘度、度和良好的溫度穩(wěn)定性。在成型工藝工程中，既要使喂料具有良好的流動性，能完好地填充模具，同時也應有合適的粘度，避免兩相分離，溫度過高則容易引起粘結劑的分解，分解出的氣體易造成坯體內部氣孔；溫度過低則粘度過高，喂料流動性差，造成充模不完全。注射壓力也對生坯質量有較大影響，壓力過低則不能完全排空模具型腔內的氣體，造成注射不飽滿，壓力過高則造成生坯應力較大，不易脫模以及脫模后應力的釋放造成坯體的變形及開裂。注射速度也對坯體質量有較大影響，較低則喂料填充模具過慢，填充過程中冷卻后流動性降低，不能完整填充模具，注射速度過高則容易...

氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的絕緣性、導熱性、耐高溫性、耐腐蝕性以及與硅的熱膨脹系數相匹配等優(yōu)點，成為新一代大規(guī)模集成電路、半導體模塊電路及大功率器件的理想散熱和封裝材料。成型工藝是陶瓷制備的關鍵技術，是提高產品性能和降低生產成本的重要環(huán)節(jié)之一。隨著工業(yè)技術的高速發(fā)展，傳統的成型方法已難以滿足人們對陶瓷材料在性能和形狀方面的要求。陶瓷的濕法成型近年來成為研究的重點，因為濕法成型具有工藝簡單、生產效率高、成本低和可制備復雜形狀制品等優(yōu)點，易于工業(yè)化推廣。濕法成型包括流延成型、注漿成型、注射成型和注凝成型等。復合材料，環(huán)氧樹脂/AlN復合材料作為封裝材料，需要良好的導熱散熱能力，且這種要求愈發(fā)嚴苛。寧波微米...

為什么要用氮化鋁陶瓷基板？因為LED大燈的工作溫度非常高。而亮度跟功率是掛鉤的，功率越大，溫度越高，再度提高亮度只有通過精細的冷卻設計或者散熱器件的加大，但是效果并不理想。能夠使其達到理想效果的只有氮化鋁陶瓷基板。首先氮化鋁陶瓷基板的導熱率很高，氮化鋁基片可達170-260W/mK，是鋁基板的一百倍。其次，氮化鋁陶瓷基板還有非常優(yōu)良的絕緣性，與燈珠更匹配的熱膨脹技術等一系列優(yōu)點。應用于電動汽車和混合動力汽車中的電力電子器件市場規(guī)模很大。而電力器件模塊氮化鋁陶瓷基板的技術和商業(yè)機遇都令人期待。氮化鋁很高可穩(wěn)定到2200℃，室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。廣州耐溫氧化鋁氮化鋁膜是指用氣相沉...

氮化鋁于1877年合成。至1980年代，因氮化鋁是一種陶瓷絕緣體(聚晶體物料為 70-210 W?m?1?K?1，而單晶體更可高達 275 W?m?1?K?1 )，使氮化鋁有較高的傳熱能力，至使氮化鋁被大量應用于微電子學。與氧化鈹不同的是氮化鋁無毒。氮化鋁用金屬處理，能取代礬土及氧化鈹用于大量電子儀器。氮化鋁可通過氧化鋁和碳的還原作用或直接氮化金屬鋁來制備。氮化鋁是一種以共價鍵相連的物質，它有六角晶體結構，與硫化鋅、纖維鋅礦同形。此結構的空間組為P63mc。要以熱壓及焊接式才可制造出工業(yè)級的物料。物質在惰性的高溫環(huán)境中非常穩(wěn)定。在空氣中，溫度高于700℃時，物質表面會發(fā)生氧化作用。在室溫下，物...

影響氮化鋁陶瓷熱導率的因素：影響氮化鋁陶瓷熱導率的主要因素有晶格的氧含量、致密度、顯微結構、粉體純度等。氧含量及雜質：對于氮化鋁陶瓷來說，由于它對氧的親和作用強烈，氧雜質易于在燒結過程中擴散進入AlN晶格，與多種缺陷直接相關，是影響氮化鋁熱導率的很主要根源。在聲子-缺陷的散射中，起主要作用的是雜質氧和氧化鋁的存在，由于氮化鋁易于水解和氧化，表面形成一層氧化鋁膜，氧化鋁溶入氮化鋁晶格中產生鋁空位。使得氮化鋁晶格出現非諧性，影響聲子散射，從而使氮化鋁陶瓷熱導率急劇降低。在實際產品中，氮化鋁的晶體結構不能完全均均勻分布，并且存在許多雜質和缺陷。大連多孔氧化鋁廠家高電阻率、高熱導率和低介電常數是電子封...

氮化鋁（AlN）陶瓷作為一種新型的電子器件封裝基板材料，具有熱導率高、強度高、熱膨脹系數低、介電損耗小、耐高溫及化學腐蝕，絕緣性好，而且無毒環(huán)保等優(yōu)良性能，是被國內外一致看好很具有發(fā)展前景的陶瓷材料之一。作為一種非常適合用于高功率、高引線和大尺寸芯片封裝基板材料，氮化鋁陶瓷基板的熱導率一直是行業(yè)內關注研究的難題，目前商用氮化鋁基板的熱導率距離其理論熱導率還有很大的差距，因此，在降低氮化鋁陶瓷燒結溫度的同時研制出更高熱導率的氮化鋁陶瓷基板，對于電子器件的快速發(fā)展有著重大意義。要想制備出熱導率更高的氮化鋁基板，就要從其導熱原理出發(fā)，探究究竟哪些因素影響了熱導率。制約氮化鋁商品化的主要因素就是價格問...

粉末注射成型是將現代塑料注射成型技術引入粉末冶金領域而形成的一門新型近終形成型技術。據中國粉體網編輯了解，該技術的很大特點是可以直接制備出復雜形狀的零件，而且由于是流態(tài)充模，基本上沒有模壁摩擦，成型坯的密度均勻，尺寸精度高。因此，國際上普遍認為該技術的發(fā)展將會導致零部件成型與加工技術的一場**，被譽為“21世紀的零部件成型技術”。粘結劑是注射成型技術的重點，首先，粘結劑是粉末的載體，它在很大程度上決定喂料注射成型的流變性能和注射性能；其次，一種良好的粘結劑還必須具有維形作用，即保證樣品從注射完成到脫脂結束都能維持形狀而不發(fā)生變化。為了同時滿足上述要求，粘結劑一般由多種有機物組元組成。氮化鋁陶瓷...

氮化鋁陶瓷的流延成型：料漿均勻流到或涂到支撐板上，或用刀片均勻的刷到支撐面上，形成漿膜，經干燥形成一定厚度的均勻的素坯膜的一種料漿成型方法。流延成型工藝包括漿料制備、流延成型、干燥及基帶脫離等過程。溶劑和分散劑：高固相含量的流延漿料是流延成型制備高性能氮化鋁陶瓷的關鍵因素之一。溶劑和分散劑是高固相含量的流延漿料的關鍵。溶劑必須滿足以下條件：必須與其他添加成分相溶，如分散劑、粘結劑和增塑劑等；化學性質穩(wěn)定，不與粉料發(fā)生化學反應；對粉料顆粒的潤濕性能好；易于揮發(fā)與燒除；使用安全、衛(wèi)生且對環(huán)境污染小。氧化鋁陶瓷基板的熱導率低，熱膨脹系數和硅不太匹配。金華微米氮化鋁氮化鋁于1877年合成。至1980年...

影響氮化鋁陶瓷熱導率的因素：影響氮化鋁陶瓷熱導率的主要因素有晶格的氧含量、致密度、顯微結構、粉體純度等。氧含量及雜質：對于氮化鋁陶瓷來說，由于它對氧的親和作用強烈，氧雜質易于在燒結過程中擴散進入AlN晶格，與多種缺陷直接相關，是影響氮化鋁熱導率的很主要根源。在聲子-缺陷的散射中，起主要作用的是雜質氧和氧化鋁的存在，由于氮化鋁易于水解和氧化，表面形成一層氧化鋁膜，氧化鋁溶入氮化鋁晶格中產生鋁空位。使得氮化鋁晶格出現非諧性，影響聲子散射，從而使氮化鋁陶瓷熱導率急劇降低。氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。多孔氮化鋁粉體廠家電話提高氮化鋁陶瓷熱導率...

陶瓷線路板的耐熱循環(huán)性能是其可靠性關鍵參數之一。本文對陶瓷基板在反復周期性加熱過程中發(fā)生的變形情況進行了研究。通過實驗發(fā)現，陶瓷覆銅板在周期性加熱過程中，存在類似金屬材料在周期載荷作用下出現的棘輪效應和包辛格效應。結合ＡＮＳＹＳ有限元計算結果，可以推斷，陶瓷線路板的失效開裂與金屬層的塑性變形或位錯運動直接相關。另外，活性金屬釬焊陶瓷基板的結構穩(wěn)定性優(yōu)于直接覆銅陶瓷基板。隨著功率器件工作電壓、電流的增加和芯片尺寸不斷減小，芯片功率密度急劇增加，對芯片的散熱封裝的可靠性提出了更高挑戰(zhàn)。傳統柔性基板或金屬基板已滿足不了第三代半導體模塊高功率、高散熱的要求，陶瓷基板具有良好的導熱性、耐熱性、絕緣性、低...

氮化鋁具有高熱導率、良好的電絕緣性、低介電常數、無毒等性能，應用前景十分廣闊，特別是隨著大功率和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，集成電路和基片間散熱的重要性也越來越明顯。因此，基片必須要具有高的導熱率和電阻率。為滿足這一要求，國內外研究學者開發(fā)出了一系列高性能的陶瓷基片材料，其中主要包括：Al2O3、BeO、AlN、BN、Si3N4、SiC，其中氮化鋁是綜合性能很優(yōu)良的新型先進陶瓷材料，被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件的理想封裝材料。燒結過程是氮化鋁陶瓷制備的一個重要階段，直接影響陶瓷的顯微結構如晶粒尺寸與分布、氣孔率和晶界體積分數等。因此燒結技術成為制備高質量氮化鋁陶瓷的關鍵技術。氮化鋁陶...

氮化鋁在陶瓷在常溫和高溫下都具有良好的耐蝕性、穩(wěn)定性，在2450℃下才會發(fā)生分解，可以用作高溫耐火材料，如坩堝、澆鑄模具。氮化鋁陶瓷能夠不被銅、鋁、銀等物質潤濕以及耐鋁、鐵、鋁合金的溶蝕，可以成為良好的容器和高溫保護層，如熱電偶保護管和燒結器具；也可以抵御高溫腐蝕性氣體的侵蝕，用于制備氮化鋁陶瓷靜電卡盤這種重要的半導體制造裝備的零部件。由于氮化鋁對砷化鎵等熔鹽表現穩(wěn)定，用氮化鋁坩堝代替玻璃來合成砷化鎵半導體，可以消除來自玻璃中硅的污染，獲得高純度的砷化鎵半導體。氮化鋁材料有陶瓷型和薄膜型兩種。紹興納米氮化鋁粉體哪家好氮化鋁陶瓷的制備技術：凝膠注模成型技術原理是首先將粉體、溶劑、分散劑混合球磨，...

由于具有優(yōu)良的熱、電、力學性能。氮化鋁陶瓷引起了國內外研究者的較廣關注，隨著現代科學技術的飛速發(fā)展，對所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領域得到更為較廣的應用！雖然多年來通過許多研究者的不懈努力，在粉末的制備、成形、燒結等方面的研究均取得了長足進展。但就截止2013年4月而言，氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進一步發(fā)展的關鍵因素。為了促進氮化鋁研究和應用的進一步發(fā)展，必須做好下面兩個研究工作。研究低成本的粉末制備工藝和方法！制約氮化鋁商品化的主要因素就是價格問題。若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末，將會提高其商品化程度！高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發(fā)...