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無法有效去除被困在通孔或槽內(nèi)的顆粒、殘留物和其他雜質(zhì)。但如圖20a所示，在時(shí)間τ2內(nèi)關(guān)閉超/兆聲波電源以冷卻氣泡，由于氣泡縮小，這種狀態(tài)將更替到下一個(gè)狀態(tài)。在冷卻狀態(tài)下，新鮮清洗液有機(jī)會(huì)進(jìn)入到通孔或槽內(nèi)以便清洗其底部和側(cè)壁。當(dāng)超/兆聲波電源在下一個(gè)打開周期打開時(shí)，顆粒、殘留物和其他雜質(zhì)受到氣泡體積增量產(chǎn)生的外拉力移出通孔或槽。如果在清洗過程中這兩個(gè)狀態(tài)交替進(jìn)行，可以達(dá)到使用超聲波/兆聲波有效清洗具有高深寬比的通孔，槽或凹進(jìn)區(qū)域的晶圓的目的。時(shí)間段τ2內(nèi)的冷卻狀態(tài)在清洗過程中起到關(guān)鍵作用，且需要在τ1<τi的條件下限制氣泡尺寸。以下用實(shí)驗(yàn)方法可以確定時(shí)間段τ2以在冷卻狀態(tài)下縮小氣泡尺寸，...

在一實(shí)施例中，為了保護(hù)該金屬層，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層，具有相對(duì)應(yīng)的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表面。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一特定實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的不同設(shè)計(jì)，其中該邊框結(jié)...

大于或等于在該中心凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實(shí)施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進(jìn)行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，使得該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。在一實(shí)施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進(jìn)行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，使得在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。在一實(shí)施例中，為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該多個(gè)芯...

其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的不同設(shè)計(jì)，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度不同。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的具有更大的設(shè)計(jì)彈性，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第...

該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包圍該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域。進(jìn)一步的，為了保護(hù)該金屬層，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層，具有相對(duì)應(yīng)的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表面。進(jìn)一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。進(jìn)一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相...

所述橫條的頂面上固設(shè)有第二齒牙，所述第二齒牙可與所述***齒牙嚙合。進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述從動(dòng)腔的后側(cè)開設(shè)有蝸輪腔，所述旋轉(zhuǎn)軸向后延伸部分均伸入所述蝸輪腔內(nèi)，且其位于所述蝸輪腔內(nèi)的外周上均固設(shè)有蝸輪，所述蝸輪腔的左壁固設(shè)有***電機(jī)，所述***電機(jī)的右側(cè)面動(dòng)力連接設(shè)有蝸桿，所述蝸桿的右側(cè)面與所述蝸輪腔的右壁轉(zhuǎn)動(dòng)連接，所述蝸桿與所述蝸輪嚙合。進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述穩(wěn)定機(jī)構(gòu)包括限制塊，所述橫板向右延伸部分伸出外界，且其右側(cè)面固設(shè)有手拉塊，所述橫板內(nèi)設(shè)有開口向上的限制腔，所述從動(dòng)腔的上側(cè)連通設(shè)有滑動(dòng)腔，所述滑動(dòng)腔與所述送料腔連通，所述限制塊滑動(dòng)設(shè)在所述滑動(dòng)腔的右壁上，所述限制塊向下滑動(dòng)可插入...

可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強(qiáng)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。所謂的回字型，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的，以便簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。在另一實(shí)施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的。在更一實(shí)施例當(dāng)中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應(yīng)的。舉例來說，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的，但大小不同?？虻膶挾瓤梢耘c內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例。在一實(shí)施例當(dāng)中，可以具有兩個(gè)以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參考圖11b所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。圖11b所示的實(shí)施例，為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)所欲保...

為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出一第二芯片區(qū)域，包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu)，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。在一實(shí)施例中，為了使用晶圓級(jí)芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出多個(gè)芯片區(qū)域，該多個(gè)芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個(gè)都包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu)，該多個(gè)芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個(gè)芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同。根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例，提供一種晶圓制造方法，其特征在于，包含：據(jù)所欲切割的多個(gè)芯片區(qū)域的大小與圖樣，在一晶圓層的一第二表面上涂布屏蔽層，在該多個(gè)芯片區(qū)域其中的一***芯...

metal-oxide-semi-conductorfield-effecttransistor)。在該半導(dǎo)體元器件的設(shè)計(jì)當(dāng)中，有部分的電流如虛線箭頭所示，從該半導(dǎo)體元器件的一部分，經(jīng)由該晶圓層120流向金屬層110，再?gòu)慕饘賹?10經(jīng)由該晶圓層120流回該半導(dǎo)體元器件的另一部分。舉例來說，電流路徑可以是從金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管的汲極到源極。上述電流路徑的總電阻值包含了經(jīng)過兩次的該晶圓層120的電阻值，以及該金屬層110的電阻值。在低于30伏特的垂直型場(chǎng)效晶體管當(dāng)中，該晶圓層120的電阻值占了總電阻值的百分之三十到五十之間。請(qǐng)參考圖2所示，其為現(xiàn)有半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)200的另一剖面示意圖。...

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，本申請(qǐng)并不限定是哪一種環(huán)氧樹酯。該樹酯層440可以用于保護(hù)該結(jié)構(gòu)400的金屬層310，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，進(jìn)而保護(hù)器件。該樹酯層440包含彼此相對(duì)的一第五表面445與一第六表面446，該第五表面445與該金屬層310的第四表面314彼此相接或相貼。因此，該第五表面445與該第四表面314的形狀彼此相應(yīng)。在一實(shí)施例當(dāng)中，該樹酯層440的該第五表面445與該第六表面446的距離可以介于50~200um之間。在圖3與圖4的實(shí)施例當(dāng)中，在芯片中間的金屬層310比較厚。由于金屬層310的金屬價(jià)格比樹酯層440的樹酯還要貴，制作較厚金屬層310的步...

metal-oxide-semi-conductorfield-effecttransistor)。在該半導(dǎo)體元器件的設(shè)計(jì)當(dāng)中，有部分的電流如虛線箭頭所示，從該半導(dǎo)體元器件的一部分，經(jīng)由該晶圓層120流向金屬層110，再?gòu)慕饘賹?10經(jīng)由該晶圓層120流回該半導(dǎo)體元器件的另一部分。舉例來說，電流路徑可以是從金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管的汲極到源極。上述電流路徑的總電阻值包含了經(jīng)過兩次的該晶圓層120的電阻值，以及該金屬層110的電阻值。在低于30伏特的垂直型場(chǎng)效晶體管當(dāng)中，該晶圓層120的電阻值占了總電阻值的百分之三十到五十之間。請(qǐng)參考圖2所示，其為現(xiàn)有半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)200的另一剖面示意圖。...

逐步縮短時(shí)間τ2來運(yùn)行doe，直到可以觀察到圖案結(jié)構(gòu)被損傷。由于時(shí)間τ2被縮短，氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度不能被足夠冷卻，從而會(huì)引起氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的平均溫度的逐步上升，**終將會(huì)觸發(fā)氣泡內(nèi)爆，觸發(fā)時(shí)間稱為臨界冷卻時(shí)間τc。知道臨界冷卻時(shí)間τc后，為了增加安全系數(shù)，時(shí)間τ2可以設(shè)置為大于2τc的值。因此，可以確定清洗工藝的參數(shù)，使得施加聲能的清洗效果導(dǎo)致的產(chǎn)量提高大于因施加聲能造成的損傷而導(dǎo)致的產(chǎn)量下降。也可以例如由客戶規(guī)定損傷百分比的預(yù)定閾值?？梢源_定清洗工藝的參數(shù)，使得損傷百分比低于預(yù)定閾值，或者基本上為零，甚至為零。預(yù)定閾值可以是例如，10％,5％,2％,或1％。如果晶圓生產(chǎn)的*...

在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，排氣口包含多個(gè)穿孔。本發(fā)明的另一實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體晶圓干燥方法。半導(dǎo)體晶圓干燥方法包含：將半導(dǎo)體晶圓設(shè)置于腔室內(nèi)；對(duì)半導(dǎo)體晶圓發(fā)射微波，以將半導(dǎo)體晶圓上的水加熱并轉(zhuǎn)換成水蒸氣；以及將水蒸氣排出腔室。在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體晶圓干燥方法進(jìn)一步包含：旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶圓。在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體晶圓的轉(zhuǎn)速實(shí)質(zhì)上為10rpm。相較于公知技術(shù)，本發(fā)明的上述實(shí)施方式至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：(1)運(yùn)用微波移除先前的工藝殘留于半導(dǎo)體晶圓表面上的水，使得干燥過程變得簡(jiǎn)單，從而能有效降低干燥半導(dǎo)體晶圓的作業(yè)成本。(2)由于微波產(chǎn)生器平均地環(huán)繞腔室分布，...

***相機(jī)，用于采集共焦掃描的圖像；樣品臺(tái)，其上放置有檢測(cè)晶圓；環(huán)繞所述檢測(cè)晶圓布置的倏逝場(chǎng)移頻照明光源；安裝在所述顯微物鏡外周且輸出光場(chǎng)傾斜入射照明被檢測(cè)晶圓的暗場(chǎng)照明光源；第二相機(jī)，用于暗場(chǎng)照明，pl模式照明和移頻照明遠(yuǎn)場(chǎng)像的采集。本發(fā)明中，根據(jù)被檢晶圓半導(dǎo)體材料的光譜吸收特性，選擇對(duì)應(yīng)的照明光源，具體包括暗場(chǎng)照明源，pl激發(fā)源，共聚焦照明光源以及倏逝場(chǎng)移頻照明光源；完成所有照明成像系統(tǒng)的集成化設(shè)計(jì)，具體包括暗場(chǎng)照明光路、pl激發(fā)光路、自聚焦掃描成像光路、倏逝場(chǎng)照明光路的設(shè)計(jì)以及所有光路系統(tǒng)的整合。同時(shí)，完成部分模塊的集成，如自聚焦模塊；另外，針對(duì)不同照明模式的缺陷檢測(cè)過程，圖像的...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝司哂袕?qiáng)度較大的基板結(jié)構(gòu)的芯片，其具有晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)，也可以具有晶圓層的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，以便減低芯片在進(jìn)行熱處理、加工與焊貼等工序時(shí)，因?yàn)閼?yīng)力或熱應(yīng)力而導(dǎo)致失效的機(jī)率。在此同時(shí)，還要降低上述基板結(jié)構(gòu)的電阻值，以便減少消耗功率，降低熱耗損，增進(jìn)芯片的使用壽命。附圖說明圖1為現(xiàn)有半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的一剖面示意圖。圖2為現(xiàn)有半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的另一剖面示意圖。圖3為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的一剖面示意圖。圖4為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的一剖面示意圖。圖5a與5b為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖6為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示...

以及波導(dǎo)表面缺陷微結(jié)構(gòu)204。光源輸入端數(shù)量以及方位需根據(jù)被檢測(cè)樣品的尺寸進(jìn)行設(shè)置。光源載具需要能夠在二維平面內(nèi)進(jìn)行縮放調(diào)控，滿足不同尺寸樣品的需求。光源載具的設(shè)計(jì)不限于圖中所示圓環(huán)形貌，也可是**控制的多組結(jié)構(gòu)。如被檢測(cè)波導(dǎo)為多邊形結(jié)構(gòu)，需要將輸入光源的排布形貌做出調(diào)整。如圖3所示為一種實(shí)施實(shí)例示意圖，包括環(huán)形耦合波導(dǎo)302，環(huán)形波導(dǎo)內(nèi)傳輸光場(chǎng)301，被檢測(cè)晶圓波導(dǎo)303以及晶圓波導(dǎo)表面缺陷304。當(dāng)光場(chǎng)在環(huán)形耦合波導(dǎo)內(nèi)傳輸時(shí)，環(huán)形波導(dǎo)表面的倏逝場(chǎng)將耦合進(jìn)被檢晶圓波導(dǎo)內(nèi)。如前所述，不同的環(huán)形耦合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)需要根據(jù)被檢測(cè)樣品的尺寸進(jìn)行切換。圖4a是一種暗場(chǎng)照明實(shí)施方案圖，包括斜照明光源載...

本申請(qǐng)關(guān)于半導(dǎo)體，特別是關(guān)于晶圓級(jí)芯片封裝基板結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與制作。背景技術(shù)：現(xiàn)代電子裝置越來越輕薄短小，集成電路的尺寸不*縮小，還有薄型化的趨勢(shì)。相較于傳統(tǒng)芯片，薄型化的芯片能夠承受的物理應(yīng)力與熱應(yīng)力較小。在進(jìn)行熱處理與其他加工工藝時(shí)，特別是當(dāng)芯片焊貼到印刷電路板時(shí)，物理應(yīng)力與熱應(yīng)力容易造成基板的裂紋與/或翹曲，進(jìn)而導(dǎo)致半導(dǎo)體元器件失效。除此之外，當(dāng)芯片薄型化之后，由于導(dǎo)電的線路可能變小變窄，使得電阻增加。不利于降低消耗功率，也導(dǎo)致溫度上升的速度較快。當(dāng)散熱效率無法應(yīng)付溫度上升的速度時(shí)，可能需要額外的散熱組件，就喪失薄型化芯片的優(yōu)點(diǎn)。據(jù)此，需要一種具有較強(qiáng)強(qiáng)度的基板結(jié)構(gòu)，以便減低芯片在進(jìn)...

圖11a所示的實(shí)施例是圖8a所示的結(jié)構(gòu)800，因此使用了金屬層810與晶圓層820的符號(hào)。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，剖面1100可以適用于結(jié)構(gòu)900或1000，金屬層810可以代換為金屬層1010。先前提到過，本申請(qǐng)并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀。舉例來說，內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是x字型，還可以是v字型，也可以是井字型，也就是兩組互相垂直的并行線結(jié)構(gòu)。在圖11a所示的實(shí)施例當(dāng)中，晶圓層820的外緣形狀是正方形，用白色來表示。晶圓層820的四個(gè)邊框的820a寬度相等。在金屬層810a的內(nèi)部，還有晶圓層的內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b。該內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b的內(nèi)部尚有金屬層810b。圖11a所示晶圓層820的邊框結(jié)構(gòu)8...

所述送料腔內(nèi)設(shè)有可在切割狀態(tài)時(shí)限制所述滑塊左右晃動(dòng)，并在所述滑塊移動(dòng)狀態(tài)時(shí)打開的穩(wěn)定機(jī)構(gòu)，所述送料腔的左側(cè)連通設(shè)有切割腔，所述切割腔內(nèi)設(shè)有可用于切割的切割片，所述切割腔的左側(cè)連通設(shè)有升降腔，所述升降腔的內(nèi)壁上設(shè)有可帶動(dòng)所述切割片升降的升降塊，所述升降腔的下側(cè)開設(shè)有動(dòng)力腔，所述動(dòng)力腔內(nèi)設(shè)有可控制所述升降塊間歇性往返升降，來達(dá)到連續(xù)切割狀態(tài)的動(dòng)力機(jī)構(gòu)，所述切割腔靠上側(cè)位置設(shè)有兩個(gè)左右對(duì)稱，且能用來冷卻所述切割片的海綿，所述切割腔的靠上側(cè)位置左右兩側(cè)連通設(shè)有冷卻水腔，是冷卻水腔的上側(cè)連通設(shè)有傳動(dòng)腔，所述傳動(dòng)腔內(nèi)設(shè)有可控制所述海綿在所述切割片上升時(shí)抵接所述切割片，達(dá)到冷卻效果的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述傳...

在一實(shí)施例中，為了保護(hù)該金屬層，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層，具有相對(duì)應(yīng)的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表面。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一特定實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的不同設(shè)計(jì)，其中該邊框結(jié)...

逐步縮短時(shí)間τ2來運(yùn)行doe，直到可以觀察到圖案結(jié)構(gòu)被損傷。由于時(shí)間τ2被縮短，氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度不能被足夠冷卻，從而會(huì)引起氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的平均溫度的逐步上升，**終將會(huì)觸發(fā)氣泡內(nèi)爆，觸發(fā)時(shí)間稱為臨界冷卻時(shí)間τc。知道臨界冷卻時(shí)間τc后，為了增加安全系數(shù)，時(shí)間τ2可以設(shè)置為大于2τc的值。因此，可以確定清洗工藝的參數(shù)，使得施加聲能的清洗效果導(dǎo)致的產(chǎn)量提高大于因施加聲能造成的損傷而導(dǎo)致的產(chǎn)量下降。也可以例如由客戶規(guī)定損傷百分比的預(yù)定閾值。可以確定清洗工藝的參數(shù)，使得損傷百分比低于預(yù)定閾值，或者基本上為零，甚至為零。預(yù)定閾值可以是例如，10％,5％,2％,或1％。如果晶圓生產(chǎn)的*...

之后為f3，**后為f4,且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個(gè)實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f4,之后為f3，**后為f1，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個(gè)實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f1，之后為f4，**后為f3，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個(gè)實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f3,之后為f4，**后為f1，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個(gè)實(shí)施例中，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f3,之后為f1，**后為f4...

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，本申請(qǐng)并不限定是哪一種環(huán)氧樹酯。該樹酯層440可以用于保護(hù)該結(jié)構(gòu)400的金屬層310，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，進(jìn)而保護(hù)器件。該樹酯層440包含彼此相對(duì)的一第五表面445與一第六表面446，該第五表面445與該金屬層310的第四表面314彼此相接或相貼。因此，該第五表面445與該第四表面314的形狀彼此相應(yīng)。在一實(shí)施例當(dāng)中，該樹酯層440的該第五表面445與該第六表面446的距離可以介于50~200um之間。在圖3與圖4的實(shí)施例當(dāng)中，在芯片中間的金屬層310比較厚。由于金屬層310的金屬價(jià)格比樹酯層440的樹酯還要貴，制作較厚金屬層310的步...

上述步驟7210至7240可以重復(fù)操作以此來縮小內(nèi)爆時(shí)間τi的范圍。在知道內(nèi)爆時(shí)間τi后，τ1可以在安全系數(shù)下設(shè)置為小于τi的值。以下段落用于敘述本實(shí)驗(yàn)的一實(shí)例。假設(shè)圖案結(jié)構(gòu)為55nm的多晶硅柵線，超聲波的頻率為1mhz，使用prosys制造的超聲波或兆聲波裝置，采用間隙振蕩模式(在pct/cn2008/073471中披露)操作以在晶圓內(nèi)和晶圓間獲得更均勻能量分布。以下表2總結(jié)了其他試驗(yàn)參數(shù)以及**終的圖案損傷數(shù)據(jù)：表2在一個(gè)試驗(yàn)中，當(dāng)τ1＝2ms(或周期數(shù)為2000)時(shí)，前面提到的聲波清洗工藝在55nm的特征尺寸下，對(duì)圖案結(jié)構(gòu)造成的損傷高達(dá)1216個(gè)點(diǎn)。當(dāng)τ1＝(或周期數(shù)為100)時(shí)...

該晶圓層320的該***表面321與第二表面322的**小距離可以是**大距離的一半。換言之，該晶圓層320的電阻值約略是該晶圓層120的一半。在另外的實(shí)施例當(dāng)中，該***表面321與第二表面322的**小距離與**大距離的比值，可以是其他小于100%的比例。如此，在芯片的邊緣處具有較厚的晶圓層320，但是降低在芯片中間有半導(dǎo)體元器件之處的晶圓厚度。此外，可以在降低該晶圓層320中間的電阻值的同時(shí)，可以維持芯片結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，降低工藝過程中的器件失效。在一實(shí)施例當(dāng)中，該芯片邊緣較厚的晶圓層320，其左右的寬度可以介于50~200um之間。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，可以根據(jù)該芯片所實(shí)作的半...

所述橫條的頂面上固設(shè)有第二齒牙，所述第二齒牙可與所述***齒牙嚙合。進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述從動(dòng)腔的后側(cè)開設(shè)有蝸輪腔，所述旋轉(zhuǎn)軸向后延伸部分均伸入所述蝸輪腔內(nèi)，且其位于所述蝸輪腔內(nèi)的外周上均固設(shè)有蝸輪，所述蝸輪腔的左壁固設(shè)有***電機(jī)，所述***電機(jī)的右側(cè)面動(dòng)力連接設(shè)有蝸桿，所述蝸桿的右側(cè)面與所述蝸輪腔的右壁轉(zhuǎn)動(dòng)連接，所述蝸桿與所述蝸輪嚙合。進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述穩(wěn)定機(jī)構(gòu)包括限制塊，所述橫板向右延伸部分伸出外界，且其右側(cè)面固設(shè)有手拉塊，所述橫板內(nèi)設(shè)有開口向上的限制腔，所述從動(dòng)腔的上側(cè)連通設(shè)有滑動(dòng)腔，所述滑動(dòng)腔與所述送料腔連通，所述限制塊滑動(dòng)設(shè)在所述滑動(dòng)腔的右壁上，所述限制塊向下滑動(dòng)可插入...

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，本申請(qǐng)并不限定是哪一種環(huán)氧樹酯。該樹酯層440可以用于保護(hù)該結(jié)構(gòu)400的金屬層310，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，進(jìn)而保護(hù)器件。該樹酯層440包含彼此相對(duì)的一第五表面445與一第六表面446，該第五表面445與該金屬層310的第四表面314彼此相接或相貼。因此，該第五表面445與該第四表面314的形狀彼此相應(yīng)。在一實(shí)施例當(dāng)中，該樹酯層440的該第五表面445與該第六表面446的距離可以介于50~200um之間。在圖3與圖4的實(shí)施例當(dāng)中，在芯片中間的金屬層310比較厚。由于金屬層310的金屬價(jià)格比樹酯層440的樹酯還要貴，制作較厚金屬層310的步...

在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，排氣口包含多個(gè)穿孔。本發(fā)明的另一實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體晶圓干燥方法。半導(dǎo)體晶圓干燥方法包含：將半導(dǎo)體晶圓設(shè)置于腔室內(nèi)；對(duì)半導(dǎo)體晶圓發(fā)射微波，以將半導(dǎo)體晶圓上的水加熱并轉(zhuǎn)換成水蒸氣；以及將水蒸氣排出腔室。在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體晶圓干燥方法進(jìn)一步包含：旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶圓。在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體晶圓的轉(zhuǎn)速實(shí)質(zhì)上為10rpm。相較于公知技術(shù)，本發(fā)明的上述實(shí)施方式至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：(1)運(yùn)用微波移除先前的工藝殘留于半導(dǎo)體晶圓表面上的水，使得干燥過程變得簡(jiǎn)單，從而能有效降低干燥半導(dǎo)體晶圓的作業(yè)成本。(2)由于微波產(chǎn)生器平均地環(huán)繞腔室分布，...

其中該中心凹陷區(qū)域是方形。在一實(shí)施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實(shí)施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域或該中心凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實(shí)施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。在一實(shí)施例中，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本，其中該第四表面...

使得該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。進(jìn)一步的，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進(jìn)行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，使得在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。進(jìn)一步的，為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該多個(gè)芯片區(qū)域包含一第二芯片區(qū)域，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。進(jìn)一步的，為了使用晶圓級(jí)芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該多個(gè)芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個(gè)芯片區(qū)域和該**...