免费视频禁止18网站,破解福利av软件大全,成人在线亚洲,日本护士在线视频xxxx免费,伊人狠狠丁香婷婷综合色,免费黄色网站视频在线观看,亚洲国产成人99精品激情在线

通過電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，不檢測故障，vce-sat檢測被禁止，該狀態(tài)下不檢測vce，原因是igbt***狀態(tài)vce電壓為關(guān)斷電壓;下管vce-sat檢測電路由r15,d12,r16構(gòu)成vce-sat采樣電路:當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_l為高電平（15v）時(shí)，通過電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，采樣信號(hào)vce_h，r6和r7構(gòu)成分壓電路(通過r6和r7設(shè)定保護(hù)值)，比較信號(hào)comp_h，通過vce_h與comp_h的比較實(shí)現(xiàn)vce飽和壓降的檢測，并輸出故障信號(hào)fault_h：當(dāng)vce_h小于comp_h，fault_h為高電平，正常狀態(tài)；當(dāng)...

專業(yè)進(jìn)行智能廚具產(chǎn)品的開發(fā)和研究，并設(shè)立了以上海市區(qū)為中心的賽米控營銷售后服務(wù)點(diǎn)。2009年3月，賽米控公司聯(lián)合石家莊啟宏東立科技有限公司共同投資成立石家莊賽米控電子科技有限公司。石家莊賽米控公司主要負(fù)責(zé)北方商用電磁爐成品的組裝生產(chǎn)與銷售。2004年，佛山市順德銘誠科技公司成立。一幫追求真理，懷著遠(yuǎn)大抱負(fù)的年輕人開創(chuàng)了中國廚具發(fā)展史上的先河,***家把大功率電磁爐技術(shù)做成機(jī)芯的形式對(duì)全國廚具公司進(jìn)行銷售。2006年，佛山市順德銘芳玉電子有限公司成立，并推出西門康牌商用電磁爐中西廚具成品。世界上***家推出采用中式炒爐15CM拋鍋不間斷加熱有火力輸出這一新技術(shù)，并成為中國大功率電磁感應(yīng)加...

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽柵結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖。圖中：1為多晶硅層，2為氧化層，21為***氧化層，22為第二氧化層，23為**氧化層，3為光刻膠。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。圖4示出了本實(shí)施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖，包括半導(dǎo)體襯底和設(shè)置在半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)的兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)，兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)對(duì)稱，溝槽柵結(jié)構(gòu)設(shè)置有多...

該第二氧化層22的厚度為3000-5000a(如圖5c所示)，根據(jù)應(yīng)用端對(duì)器件的開關(guān)特性需求，可以對(duì)第二氧化層22的厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)；s102：沉積光刻膠3(如圖5d所示)；s104：去除溝道區(qū)的光刻膠3，保留非溝道區(qū)的光刻膠3，從而保護(hù)溝槽內(nèi)非溝道區(qū)的第二氧化層22不被蝕刻；s105：對(duì)第二氧化層22進(jìn)行蝕刻(如圖5f所示)，然后去除溝槽內(nèi)非溝道區(qū)保留的光刻膠3(如圖5g所示)；s106：在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(如圖5h所示)；s107:沉積多晶硅層(如圖5i所示)，然后去除表面多余多晶硅層(如圖5j所示)。需要說明的是，本實(shí)施例提供的制作方法形成兩種厚度氧化層2沒有新增光刻流程，...

本實(shí)用新型涉及驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路。背景技術(shù)：風(fēng)電變流器系統(tǒng)電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開關(guān)速度快，產(chǎn)生很高的di/dt和du/dt，帶來emc電磁干擾問題，影響變流器的可靠運(yùn)行，甚至損壞igbt模塊，為了提高抗干擾能力，有以下兩種解決方案：1）、采用光纖傳遞控制信號(hào)，控制電路弱信號(hào)與igbt模塊的強(qiáng)信號(hào)實(shí)現(xiàn)電氣完全隔離，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高，但是光纖成本昂貴；2）、通常采用**的驅(qū)動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)芯片，例如風(fēng)電**驅(qū)動(dòng)器2sd300，采用專業(yè)的調(diào)制與解調(diào)芯片，通過脈沖變壓器傳遞驅(qū)動(dòng)信號(hào)，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高，大量應(yīng)用...

Thresholdvoltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變...發(fā)表于2017-11-2717:18?935次閱讀怎么使用示波器抓取瞬態(tài)波形示波器是一種用途十分***的電子測量儀器。它能把肉眼看不見的電信號(hào)變換成看得見的圖像，便于人們研究各種...發(fā)表于2017-11-2710:54?1070次閱讀基于簡單功率跟蹤技術(shù)的射頻功率放大器效率優(yōu)化高數(shù)據(jù)速率的需求推動(dòng)著移動(dòng)通信系統(tǒng)從2G向3G遷移。這些系統(tǒng)中更高的數(shù)據(jù)速率為移動(dòng)電話射頻設(shè)...發(fā)表于2017-11-2513:58?181次閱讀降低SDR功耗的整體設(shè)計(jì)方案傳統(tǒng)上，降低軟件無線電(SDR)硬件的功耗一...

更好的電氣性能新的機(jī)械設(shè)計(jì)也改善了電氣性能。事實(shí)上，***降低的熱阻允許更高的輸出電流。得益于角形柵極可控硅的使用，新的芯片具有更大的有效表面積，可以流過更多的電流。由于這些變化，在與當(dāng)前模塊具有同樣有效芯片面積的情況***過芯片的輸出電流大約多了10％以上。衡量可控硅模塊可靠性的另一個(gè)重要參數(shù)是浪涌電流。該值顯示了二極管/可控硅的穩(wěn)健性，指的是故障條件下二極管/可控硅能夠經(jīng)受的住而無損傷的單一正弦半波通態(tài)電流脈沖，該脈沖持續(xù)10或（50或60Hz），這種情況在二極管/可控硅的使用壽命期間應(yīng)該發(fā)生的很少［4］。認(rèn)證所有賽米控的模塊都要經(jīng)歷質(zhì)量審批測試程序。測試的目的是在各種不同的測試條...

相關(guān)推薦為何中國用220伏電美國用110伏電？為什么不用...經(jīng)常出國溜達(dá)的小伙伴肯定會(huì)發(fā)現(xiàn)：某些國家的插座寫著110V，而不是中國插座上的220V。哇，難道電壓...發(fā)表于2018-04-0723:21?163次閱讀線圈一體型負(fù)電壓輸出電壓”microDC／DC...**適于輸入電壓變動(dòng)的設(shè)備的穩(wěn)定化負(fù)電源電路,支持負(fù)電壓輸出特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社研發(fā)了支持...發(fā)表于2018-04-0610:32?103次閱讀一文看懂人體的安全電壓與安全電流是多少行業(yè)規(guī)定安全電壓為不高于36V，持續(xù)接觸安全電壓為24V，安全電流為10mA，電擊對(duì)人體的危害程...發(fā)表于2018-04-0317:15...

脈沖的幅值與柵驅(qū)動(dòng)電路阻抗和dV/dt的實(shí)際數(shù)值有直接關(guān)系。IGBT本身的設(shè)計(jì)對(duì)減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因?yàn)榇藭r(shí)集電極到發(fā)射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：關(guān)斷時(shí)采用柵極負(fù)偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅(qū)動(dòng)電路會(huì)更復(fù)雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關(guān)斷而設(shè)計(jì)的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個(gè)特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，...

GSM系統(tǒng)規(guī)范對(duì)手機(jī)發(fā)射功率的精度、平坦度、發(fā)射頻譜純度以及帶外雜散信...發(fā)表于2017-12-1217:58?171次閱讀空間電壓矢量svpwm控制原理解析PAM是英文PulseAmplitudeModulation（脈沖幅度調(diào)制）縮寫，是按一定規(guī)律改變...發(fā)表于2017-12-1113:33?2402次閱讀基于TL494的12V直流電壓轉(zhuǎn)變220V逆變電...目前所有的雙端輸出驅(qū)動(dòng)IC中，可以說美國德克薩斯儀器公司開發(fā)的TL494功能**完善、驅(qū)動(dòng)能力**強(qiáng)，其...發(fā)表于2017-12-0515:18?648次閱讀基于LTC3115-1的手持式設(shè)備、工業(yè)儀表和汽...手持式設(shè)...

四種IGBT模塊常規(guī)測量儀器作者：微葉科技時(shí)間：2015-10-1516:38看了很多的IGBT測量方法，其中不乏極具精髓的，但不怎么的***?，F(xiàn)在我總結(jié)介紹四招，有這四招，足以應(yīng)付日常工作中的要求了。但這是在簡單工具的前提下，只能說是常規(guī)測量吧。下面先擺出四大裝備（排名不分先后）：數(shù)字萬用表：雖然，用它來測量有太多的局限性，但它卻是我們**常用和普遍的工具**。用它測量二極管的管壓降，不僅能在一定程度上判斷其好壞，還能判定它們的離散性。數(shù)字電容表：這個(gè)可能是很多人用的比較少吧，其實(shí)我們都知道，IGBT的容量大小是有規(guī)律的，容量大它的各種等效電容容量也將同比加大，如**重要的Cies就...

是一種非常直觀...發(fā)表于2018-01-1509:38?700次閱讀為物聯(lián)網(wǎng)未來發(fā)聲——物聯(lián)網(wǎng)微功率頻譜應(yīng)用研討會(huì)***上午，來自全國各地及海外的一百多家物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)企業(yè)、用戶單位和科研機(jī)構(gòu)**齊聚北京，共同參與了“為...發(fā)表于2018-01-1217:20?1299次閱讀功率和功耗一樣嗎_功耗和功率的區(qū)別功率是指物體在單位時(shí)間內(nèi)所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定，時(shí)間越短，功率值...發(fā)表于2018-01-1214:43?1024次閱讀浪涌電壓防護(hù)_電解電容浪涌電壓措施在電子設(shè)計(jì)中，浪涌主要指的是電源（只是主要指電源）剛開通的那一瞬息產(chǎn)生的強(qiáng)力脈沖，由于電路...

其次對(duì)TTL電平的相關(guān)定義進(jìn)行了介紹，**后闡述了電...發(fā)表于2018-03-1310:02?221次閱讀淺談欠壓檢測門限的選定方法關(guān)于如何設(shè)置上/下門限電壓、如何設(shè)置回差電壓、如何選擇**芯片，以及關(guān)于回差電壓。檢測門限電壓、穩(wěn)壓...發(fā)表于2018-03-0516:44?118次閱讀理解電壓基準(zhǔn)：簡單灌電流使用運(yùn)算放大器反饋和電壓基準(zhǔn)可以簡單直接產(chǎn)生任意大小的直流電流。本篇文章將討論一種**簡化的實(shí)現(xiàn)灌電...發(fā)表于2018-03-0110:38?283次閱讀簡單材料制作多電壓變壓器對(duì)于電子愛好者來說，新鮮的事物或者實(shí)驗(yàn)都是他們**大的興趣，本文將介紹如何制作方便適用的多電壓變壓...

冷卻體）的選定方法、實(shí)際安裝的注意事項(xiàng)7-7第8章并聯(lián)連接1.電流分配的阻礙原因8-22.并聯(lián)連接方法8-3第9章評(píng)價(jià)、測定方法1.適用范圍9-12.評(píng)價(jià)、測定方法9-1Qualityisourmessage第1章構(gòu)造與特征目錄1.元件的構(gòu)造與特征1-22.富士電機(jī)電子設(shè)備技術(shù)的IGBT1-33.通過控制門極阻斷過電流1-54.限制過電流功能1-65.模塊的構(gòu)造，隨著雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET的出現(xiàn)，已經(jīng)起了很大的變化。這些使用交換元件的各種電力變換器也隨著近年來節(jié)能、設(shè)備小型化輕量化等要求的提高而急速地發(fā)展起來。但是，電力變換器方面的需求，并沒有通過雙極型功率晶體管模塊和...

由于西門康IGBT模塊供應(yīng)為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1、在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸西門康IGBT模塊供應(yīng)端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；2、在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請先不要接上模塊；3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒有超過柵極大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧...

從而使得本實(shí)施例可應(yīng)用與高頻場景。本說明書中的“半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)”是指由半導(dǎo)體襯底表面向下延伸的一定深度的區(qū)域，該區(qū)域?qū)儆诎雽?dǎo)體襯底的一部分。其中，半導(dǎo)體襯底可以包括半導(dǎo)體元素，例如單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺，也可以包括混合的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如碳化硅、合金半導(dǎo)體或其組合，在此不做限定。在本實(shí)施例中的半導(dǎo)體襯底推薦采用硅襯底，在本實(shí)施例中以n型襯底為例進(jìn)行說明。推薦地，***氧化層21厚度為1000-1200a。推薦地，第二氧化層22厚度為3000-5000a。進(jìn)一步地，兩個(gè)所述溝槽柵結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有***摻雜區(qū)，所述***摻雜區(qū)的摻雜類型與所述半導(dǎo)體襯底的類型相反，***摻雜區(qū)為pw導(dǎo)...

特別是對(duì)于8寸以上的大硅片，極易破碎，難度更大。背面工藝，包括了背面離子注入，退火***，背面金屬化等工藝步驟，由于正面金屬的熔點(diǎn)的限制，這些背面工藝必須在低溫下進(jìn)行(不超過450°C)，退火***這一步難度極大。背面注入以及退火，此工藝并不像想象的那么簡單。國外某些公司可代加工，但是他們一旦與客戶簽訂協(xié)議，就不再給中國客戶代提供加工服務(wù)。在模塊封裝技術(shù)方面，國內(nèi)基本掌握了傳統(tǒng)的焊接式封裝技術(shù)，其中中低壓模塊封裝廠家較多，高壓模塊封裝主要集中在南車與北車兩家公司。與國外公司相比，技術(shù)上的差距依然存在。國外公司基于傳統(tǒng)封裝技術(shù)相繼研發(fā)出多種先進(jìn)封裝技術(shù)，能夠大幅提高模塊的功率密度、散熱性...

***，市場發(fā)展的趨勢要求系統(tǒng)的高可靠性，正是這些趨勢是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動(dòng)力。現(xiàn)在這些模塊有了一個(gè)全新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，焊層更少，采用了角型柵極可控硅以及升級(jí)了的彈簧壓接技術(shù)，從而提高可靠性并降低了熱電阻。結(jié)果是輸出電流增大了10％以上。技術(shù)鑒于工業(yè)應(yīng)用中對(duì)功率模塊日益增加的功率密度，可靠性和成本效益的要求，功率半導(dǎo)體制造商正不斷努力開發(fā)新模塊，這些新模塊在擁有高度可靠性的同時(shí)成本也低。新模塊中，DBC襯底和柵極輔助陰極端子之間的電氣連接由彈簧壓力觸點(diǎn)提供。機(jī)械設(shè)計(jì)方面更深入的改變是減少了焊層。由于熱阻減小了，使得輸出電流大，并增強(qiáng)了可靠性。雖然新一代模塊擁有眾多的改進(jìn)，新SEMI...

○觸發(fā)板也可接入直流3V電壓和分流器75mV反饋信號(hào)進(jìn)行直流負(fù)載的恒電流和恒電壓控制。（請通過JP1和JP3跳線選擇短接S4和S6進(jìn)行直流閉環(huán)控制）?！鹩|發(fā)板可跟據(jù)不同要求場合取樣。觸發(fā)板還可以與單片機(jī)及相應(yīng)檢測傳感器組成外閉環(huán)自動(dòng)控制系統(tǒng)。2．可選擇三種的輸入模式：○4-20mA輸入。通過JP4跳線選擇短接S1?！?-10V輸入。通過JP4跳線選擇短接S2。○0-5V輸入。通過JP4跳線選擇短接S3。3．可外接溫控保護(hù)開關(guān)和復(fù)位開關(guān)：（請參考接線圖）。4．軟啟動(dòng)調(diào)節(jié)：觸發(fā)板可通過VR3可調(diào)電阻設(shè)置調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)的時(shí)間，順時(shí)針方向調(diào)節(jié)為啟動(dòng)時(shí)間更長。5．限流限壓保護(hù)：觸發(fā)板通過調(diào)節(jié)VR2設(shè)...

GSM系統(tǒng)規(guī)范對(duì)手機(jī)發(fā)射功率的精度、平坦度、發(fā)射頻譜純度以及帶外雜散信...發(fā)表于2017-12-1217:58?171次閱讀空間電壓矢量svpwm控制原理解析PAM是英文PulseAmplitudeModulation（脈沖幅度調(diào)制）縮寫，是按一定規(guī)律改變...發(fā)表于2017-12-1113:33?2402次閱讀基于TL494的12V直流電壓轉(zhuǎn)變220V逆變電...目前所有的雙端輸出驅(qū)動(dòng)IC中，可以說美國德克薩斯儀器公司開發(fā)的TL494功能**完善、驅(qū)動(dòng)能力**強(qiáng)，其...發(fā)表于2017-12-0515:18?648次閱讀基于LTC3115-1的手持式設(shè)備、工業(yè)儀表和汽...手持式設(shè)...

脈沖的幅值與柵驅(qū)動(dòng)電路阻抗和dV/dt的實(shí)際數(shù)值有直接關(guān)系。IGBT本身的設(shè)計(jì)對(duì)減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因?yàn)榇藭r(shí)集電極到發(fā)射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：關(guān)斷時(shí)采用柵極負(fù)偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅(qū)動(dòng)電路會(huì)更復(fù)雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關(guān)斷而設(shè)計(jì)的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個(gè)特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，...

由于西門康IGBT模塊供應(yīng)為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1、在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸西門康IGBT模塊供應(yīng)端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；2、在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請先不要接上模塊；3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒有超過柵極大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧...

***，市場發(fā)展的趨勢要求系統(tǒng)的高可靠性，正是這些趨勢是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動(dòng)力。現(xiàn)在這些模塊有了一個(gè)全新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，焊層更少，采用了角型柵極可控硅以及升級(jí)了的彈簧壓接技術(shù)，從而提高可靠性并降低了熱電阻。結(jié)果是輸出電流增大了10％以上。技術(shù)鑒于工業(yè)應(yīng)用中對(duì)功率模塊日益增加的功率密度，可靠性和成本效益的要求，功率半導(dǎo)體制造商正不斷努力開發(fā)新模塊，這些新模塊在擁有高度可靠性的同時(shí)成本也低。新模塊中，DBC襯底和柵極輔助陰極端子之間的電氣連接由彈簧壓力觸點(diǎn)提供。機(jī)械設(shè)計(jì)方面更深入的改變是減少了焊層。由于熱阻減小了，使得輸出電流大，并增強(qiáng)了可靠性。雖然新一代模塊擁有眾多的改進(jìn)，新SEMI...

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽柵結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖。圖中：1為多晶硅層，2為氧化層，21為***氧化層，22為第二氧化層，23為**氧化層，3為光刻膠。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。圖4示出了本實(shí)施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖，包括半導(dǎo)體襯底和設(shè)置在半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)的兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)，兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)對(duì)稱，溝槽柵結(jié)構(gòu)設(shè)置有多...

冷卻體）的選定方法、實(shí)際安裝的注意事項(xiàng)7-7第8章并聯(lián)連接1.電流分配的阻礙原因8-22.并聯(lián)連接方法8-3第9章評(píng)價(jià)、測定方法1.適用范圍9-12.評(píng)價(jià)、測定方法9-1Qualityisourmessage第1章構(gòu)造與特征目錄1.元件的構(gòu)造與特征1-22.富士電機(jī)電子設(shè)備技術(shù)的IGBT1-33.通過控制門極阻斷過電流1-54.限制過電流功能1-65.模塊的構(gòu)造，隨著雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET的出現(xiàn)，已經(jīng)起了很大的變化。這些使用交換元件的各種電力變換器也隨著近年來節(jié)能、設(shè)備小型化輕量化等要求的提高而急速地發(fā)展起來。但是，電力變換器方面的需求，并沒有通過雙極型功率晶體管模塊和...

因此在驅(qū)動(dòng)電路的輸出端給柵極加電壓保護(hù)，并聯(lián)電阻Rge以及反向串聯(lián)限幅穩(wěn)壓管，如圖4所示。圖4柵極保護(hù)電路柵極串聯(lián)電阻Rg對(duì)IGBT開通過程影響較大。Rg小有利于加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗，但過小會(huì)造成di/dt過大，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。根據(jù)本設(shè)計(jì)的具體要求，Rg選取Ω。柵極連線的寄生電感和柵極與射極間的寄生電容耦合，會(huì)產(chǎn)生振蕩電壓，所以柵極引線應(yīng)采用雙絞線傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并盡可能短，比較好不超過m，以減小連線電感。四路驅(qū)動(dòng)電路光耦與PWM兩路輸出信號(hào)的接線如圖5所示。圖5四路驅(qū)動(dòng)電路光耦與PWM的兩路輸出信號(hào)的接線實(shí)驗(yàn)波形如圖6所示。圖6a是柵極驅(qū)動(dòng)四路輸出波形。同時(shí)測四路驅(qū)動(dòng)波...

本實(shí)用新型涉及驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路。背景技術(shù)：風(fēng)電變流器系統(tǒng)電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開關(guān)速度快，產(chǎn)生很高的di/dt和du/dt，帶來emc電磁干擾問題，影響變流器的可靠運(yùn)行，甚至損壞igbt模塊，為了提高抗干擾能力，有以下兩種解決方案：1）、采用光纖傳遞控制信號(hào)，控制電路弱信號(hào)與igbt模塊的強(qiáng)信號(hào)實(shí)現(xiàn)電氣完全隔離，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高，但是光纖成本昂貴；2）、通常采用**的驅(qū)動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)芯片，例如風(fēng)電**驅(qū)動(dòng)器2sd300，采用專業(yè)的調(diào)制與解調(diào)芯片，通過脈沖變壓器傳遞驅(qū)動(dòng)信號(hào)，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高，大量應(yīng)用...

好的磁通密度B在100...發(fā)表于2017-11-0616:26?3306次閱讀電動(dòng)勢和電壓的區(qū)別電動(dòng)勢是對(duì)電源而說的，它就是電源將單位正電荷從負(fù)極經(jīng)電源內(nèi)部移到正極時(shí)，非靜電力所做的功。電壓是對(duì)一...發(fā)表于2017-11-0615:54?342次閱讀關(guān)于電磁繼電器二次吸合電壓技術(shù)研究當(dāng)電磁繼電器線圈上電，隨勵(lì)磁線圈電流的增大，首先出現(xiàn)一次動(dòng)靜觸頭的不實(shí)閉合（如圖1a），此時(shí)彈簧拉力...發(fā)表于2017-11-0110:42?347次閱讀tl431的電源改電壓的方法TL431是一個(gè)小個(gè)頭（如同普通小三極管封裝）而又便宜的可調(diào)電壓基準(zhǔn)芯片。很多電源都用的TL431來...發(fā)表于2017...

在...發(fā)表于2017-06-1217:28?875次閱讀電阻電容標(biāo)準(zhǔn)值取值法則及電阻的技術(shù)范疇和常見特性如E6系列的公比為6√10≈，系列的***個(gè)量取，接下來的量為上臨的量乘以公比值6√10...發(fā)表于2017-06-0914:45?504次閱讀基礎(chǔ)知識(shí)：伏安法如何取電阻值及電阻色環(huán)的取值標(biāo)準(zhǔn)拿到色環(huán)電阻要把**靠近電阻端部的那一環(huán)認(rèn)為***環(huán)，否則會(huì)讀反，如三個(gè)環(huán)分別是紅橙黃，正確讀是2300...發(fā)表于2017-06-0817:15?479次閱讀絕緣電阻該如何測量功率？如何使用兆歐表測量絕緣電...兆歐表的接線柱共有三個(gè)：一個(gè)為“L”即線端，一個(gè)“E”即為地端，再一個(gè)“G”即屏...

交直流電壓還可以測量直流電壓。甚至有的萬用表還可以測量晶體管...發(fā)表于2018-01-1819:18?3013次閱讀驗(yàn)證了LCL型濾波器參數(shù)設(shè)計(jì)及光伏并入配電網(wǎng)的逆...從濾波器的原理入手，對(duì)單L型和LCL型濾波器原理進(jìn)行對(duì)比分析，在設(shè)計(jì)方法上，對(duì)比傳統(tǒng)的分步設(shè)計(jì)法，本...發(fā)表于2018-01-1716:00?1327次閱讀怎么用示波器測功率本文介紹了怎么用示波器測功率，小編為大家總結(jié)了使用示波器執(zhí)行功率測量的七大秘訣。那么，在測量功率時(shí)我...發(fā)表于2018-01-1510:55?699次閱讀示波器如何測量直流電壓_示波器測量直流電壓方法示波器測量直流電壓方法有兩種，一種是直接測...