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安徽24AA02E48-E/SN存儲(chǔ)器EPPROM

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-08-09

二丶動(dòng)態(tài)RAM與靜態(tài)RAM相比,集成度更高,功耗更低,目前被各類(lèi)計(jì)算機(jī)應(yīng)用動(dòng)態(tài)RAM基本單元電路(使用電容存儲(chǔ)01)電容上存在足夠多的電荷表示存“1”,電容下無(wú)電荷表示存“0”,電容上的電荷一般只能位置1~2ms,即使不掉電也會(huì)自動(dòng)消失,所以也就有了刷新過(guò)程動(dòng)態(tài)RAM適用于在電腦之中的移動(dòng)硬盤(pán)之中,主要是為了體改相關(guān)設(shè)備的運(yùn)算速率,提升相關(guān)的內(nèi)部計(jì)算的應(yīng)用速率,保證計(jì)算機(jī)的相關(guān)的運(yùn)行速率;在動(dòng)態(tài)RAM的加持下,計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度是非常的快的。存儲(chǔ)器是許多機(jī)器的元件之一。安徽24AA02E48-E/SN存儲(chǔ)器EPPROM

非易失性存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器種類(lèi)比較多,分別是ROM、FLASH以及外部大容量存儲(chǔ)器。ROMROM(ReadOnlyMemory)只讀存儲(chǔ)器,又分為MASKROM(掩模ROM)、OTPROM(一次可編程ROM)、EPROM(電可擦寫(xiě)ROM)和EEPROM(電可擦寫(xiě)可編程ROM)。MASKROM:真正意義上的只讀存儲(chǔ)器,一次性由廠家用特殊工藝固化,用戶無(wú)法修改。OTPROM:由用戶用專(zhuān)門(mén)設(shè)備來(lái)一次性寫(xiě)入數(shù)據(jù),只能寫(xiě)入一次。EPROM:可重復(fù)擦寫(xiě),解決只能一次寫(xiě)入的問(wèn)題,但需要用專(zhuān)門(mén)的設(shè)備去操作,已被EEPROM取代。EEPROM:可實(shí)現(xiàn)重復(fù)擦寫(xiě),直接用電路控制,不需要專(zhuān)門(mén)的設(shè)備來(lái)進(jìn)行擦寫(xiě)。且操作單位為字節(jié),并不需要操作整個(gè)芯片。EEPROM現(xiàn)在已是主流。正點(diǎn)原子所有開(kāi)發(fā)板都有使用到EEPROM,用來(lái)存儲(chǔ)一些配置信息。安徽24AA02E48-E/SN存儲(chǔ)器EPPROM想選擇質(zhì)量較好的存儲(chǔ)器,來(lái)找我們吧!

外部大容量存儲(chǔ)器外部大容量存儲(chǔ)器就有磁盤(pán)存儲(chǔ)器(硬盤(pán)和軟盤(pán))、光盤(pán)存儲(chǔ)器和SD卡。磁盤(pán)存儲(chǔ)器,容量大,使用壽命長(zhǎng)但價(jià)格貴,主要是用在個(gè)人PC中,較少用在嵌入式開(kāi)發(fā)中。光盤(pán)存儲(chǔ)器:用光學(xué)方式讀取/寫(xiě)入信息的圓盤(pán),一般用于多媒體信息載體,較少出現(xiàn)在嵌入式領(lǐng)域中。SD卡:體積小,安全性也高。簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)一下外圍電路即可支持嵌入式開(kāi)發(fā),是常見(jiàn)的外部存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器類(lèi)型內(nèi)存儲(chǔ):eRAM,這東西很特殊,很少見(jiàn),速度極快,現(xiàn)在已知的是用于XBOX360的GPU,其中的eRAM帶寬256GB/s。SRAM,速度很快,發(fā)熱量大,單位容量?jī)r(jià)格高,用于CPU的緩存,其中一級(jí)緩存帶寬大約30-50GB/s。DRAM,主要用于內(nèi)存顆粒。

按存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)功能分類(lèi)只讀存儲(chǔ)器(ROM):存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的,只能讀出而不能寫(xiě)入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。  隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器(RAM):既能讀出又能寫(xiě)入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。按信息的可保存性分類(lèi)非長(zhǎng)久記憶的存儲(chǔ)器:斷電后信息即消失的存儲(chǔ)器。長(zhǎng)久記憶性存儲(chǔ)器:斷電后仍能保存信息的存儲(chǔ)器。按在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的作用分類(lèi)主存儲(chǔ)器(內(nèi)存):用于存放活動(dòng)的程序和數(shù)據(jù),其速度高、容量較小、每位價(jià)位高。  輔助存儲(chǔ)器(外存儲(chǔ)器):主要用于存放當(dāng)前不活躍的程序和數(shù)據(jù),其速度慢、容量大、每位價(jià)位低。  緩沖存儲(chǔ)器:主要在兩個(gè)不同工作速度的部件起緩沖作用。存儲(chǔ)器的存放需要注意什么?

各種光學(xué)存儲(chǔ)器裝置也是可得到的。在光學(xué)存儲(chǔ)器裝置中存取一串特定數(shù)據(jù)所需的時(shí)間,可能與在(磁)硬盤(pán)存取數(shù)據(jù)所需的時(shí)間一樣短。在光盤(pán)某一平滑鏡面上存在著微小的缺陷。在光盤(pán)表面燒一個(gè)孔洞表示二進(jìn)制數(shù)1,沒(méi)有燒孔洞則表示0。燒制而成的光盤(pán)是“寫(xiě)一次,讀多次”( WORM)光盤(pán)的實(shí)例。這個(gè)特征使得它們適合于長(zhǎng)期的檔案存儲(chǔ),且保持較高的存取速率。直徑是12 cm的盤(pán)已經(jīng)成為音樂(lè)錄制和常規(guī)PC使用的標(biāo)準(zhǔn)。這些磁盤(pán)被稱為“高密度盤(pán)”或CD ROM。與CD ROM具有相同大小,但能存儲(chǔ)足夠的數(shù)字信息來(lái)支持幾小時(shí)的高質(zhì)量視頻的高容量盤(pán),被稱為數(shù)字視頻盤(pán)( DVD)。DVD正變得流行。有時(shí)候根據(jù)要求利用機(jī)械裝置從一大批光盤(pán)中提取和安裝盤(pán)。這些裝置被稱為是“自動(dòng)唱片點(diǎn)唱機(jī)”。在市場(chǎng)上,好的存儲(chǔ)器應(yīng)該具有什么特質(zhì)?重慶24AA02E48-I/SN存儲(chǔ)器EPPROM

存儲(chǔ)器能夠有什么分類(lèi)呢?安徽24AA02E48-E/SN存儲(chǔ)器EPPROM

存儲(chǔ)器中的三管組成是三管讀出時(shí),先對(duì)T4置一預(yù)充電信號(hào),使讀數(shù)據(jù)線達(dá)高電壓VDD,然后由讀選擇先打開(kāi)T2,若T1的極間電容Cg存在足夠多的電荷"1",是T1導(dǎo)通,則因T2,T1導(dǎo)通接地,使讀數(shù)據(jù)線降為零電平,即“0”,若沒(méi)有足夠多的電荷“0”,T1截止,使讀數(shù)據(jù)線的高電平不變,讀出“1”信息。寫(xiě)入時(shí),由寫(xiě)選擇線打開(kāi)T3,這樣,Cg變能隨輸入信息充電(寫(xiě)“1”)或放電(寫(xiě)“0”)將寫(xiě)入信號(hào)加到寫(xiě)數(shù)據(jù)線上。單管(為了提高集成度)讀出時(shí),字段上的高電平使T導(dǎo)通,若Cs有電荷,經(jīng)T管在數(shù)據(jù)線產(chǎn)生電流,可視為讀出“1”。若Cs無(wú)電荷,則數(shù)據(jù)線上無(wú)電流,可視為讀出“0”。讀操作結(jié)束時(shí),Cs的電荷已將破壞性對(duì)出,必須再生。寫(xiě)入時(shí),字段上的高電平使T導(dǎo)通,若數(shù)據(jù)線上為高電平,經(jīng)T管對(duì)Cs充電,使其存“1”;若數(shù)據(jù)線為低電平,則Cs經(jīng)T放電,使其無(wú)電荷而存“0”可以說(shuō)動(dòng)態(tài)RAM的讀過(guò)程就是檢測(cè)電容有無(wú)電,而寫(xiě)過(guò)程就是對(duì)電容充電放電的過(guò)程注:T是mos管,不是電源,它能被導(dǎo)通,短的一端有電才能被導(dǎo)通安徽24AA02E48-E/SN存儲(chǔ)器EPPROM

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