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上海24AA02E48T-I/OT存儲(chǔ)器可編程

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-05

按存儲(chǔ)器的讀寫功能分類只讀存儲(chǔ)器(ROM):存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的,只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。  隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(RAM):既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。按信息的可保存性分類非長(zhǎng)久記憶的存儲(chǔ)器:斷電后信息即消失的存儲(chǔ)器。長(zhǎng)久記憶性存儲(chǔ)器:斷電后仍能保存信息的存儲(chǔ)器。按在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的作用分類主存儲(chǔ)器(內(nèi)存):用于存放活動(dòng)的程序和數(shù)據(jù),其速度高、容量較小、每位價(jià)位高。  輔助存儲(chǔ)器(外存儲(chǔ)器):主要用于存放當(dāng)前不活躍的程序和數(shù)據(jù),其速度慢、容量大、每位價(jià)位低。  緩沖存儲(chǔ)器:主要在兩個(gè)不同工作速度的部件起緩沖作用。存儲(chǔ)器是一個(gè)協(xié)助計(jì)算機(jī)工作的工具。上海24AA02E48T-I/OT存儲(chǔ)器可編程

存儲(chǔ)管理要實(shí)現(xiàn)的目的是為用戶提供方便、安全和充分大的存儲(chǔ)空間。方便是指將邏輯地址和物理地址分開(kāi),用戶只在各自的邏輯地址空間編寫程序,不必過(guò)問(wèn)物理空間和物理地址的細(xì)節(jié),地址的轉(zhuǎn)換由操作系統(tǒng)自動(dòng)完成;安全是指同時(shí)駐留在內(nèi)存的多個(gè)用戶進(jìn)程相互之間不會(huì)發(fā)生干擾,也不會(huì)訪問(wèn)操作系統(tǒng)所占有的空間;充分大的存儲(chǔ)空間是指利用虛擬存儲(chǔ)技術(shù),從邏輯上對(duì)內(nèi)存空間進(jìn)行擴(kuò)充,從而可以使用戶在較小的內(nèi)存里運(yùn)行較大的程序,為客戶提供了更加完好的體驗(yàn)。安徽24AA02E64T-I/OT存儲(chǔ)器進(jìn)口原裝存儲(chǔ)器的相關(guān)知識(shí)有什么?

存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和更終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中更小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲(chǔ)元,它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。一個(gè)存儲(chǔ)器包含許多存儲(chǔ)單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元可存放一個(gè)字節(jié)。每個(gè)存儲(chǔ)單元的位置都有一個(gè)編號(hào),即地址,一般用十六進(jìn)制表示。一個(gè)存儲(chǔ)器中所有存儲(chǔ)單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲(chǔ)容量。假設(shè)一個(gè)存儲(chǔ)器的地址碼由20位二進(jìn)制數(shù)(即5位十六進(jìn)制數(shù))組成,則可表示220,即1M個(gè)存儲(chǔ)單元地址。每個(gè)存儲(chǔ)單元存放一個(gè)字節(jié),則該存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量為1KB。

Flash存儲(chǔ)控制器功能包括存儲(chǔ)器組織、啟動(dòng)選擇、IAP、ISP、片上Flash編程及校驗(yàn)和計(jì)算。在存儲(chǔ)器組織中介紹了Flash存儲(chǔ)控制器映射和系統(tǒng)存儲(chǔ)器映射。Flash存儲(chǔ)控制器包含片上 Flash和 Boot loader片上存儲(chǔ)器是可編程的,包括APRON、 LDROM、數(shù)據(jù) Flash和用戶配置區(qū)。地址映射包括 Flash存儲(chǔ)映射和5個(gè)地址映射:支持IAP功能的 LDROM,不支持IAP功能的 LDROM,支持IAP功能的APRON,不支持IAP功能的 APROM,以及支持IAP功能的 Boot loader。這些要素組成了存儲(chǔ)器的相關(guān)要點(diǎn)。


存儲(chǔ)器是一個(gè)電子元件。

存儲(chǔ)器是許多存儲(chǔ)單元的集中聚合,按單元號(hào)順序排列。每個(gè)單元由若干二進(jìn)制位構(gòu)成,以表示存儲(chǔ)單元中存放的數(shù)值,這種結(jié)構(gòu)和數(shù)組的結(jié)構(gòu)非常相似,故在VHDL語(yǔ)言中,通常由數(shù)組描述存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱主存或內(nèi)存)和輔助存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。主存與緩存也有區(qū)別,主存主要是指能夠與CPU直接進(jìn)行信息交換的存儲(chǔ)器,緩存則是指將信息暫時(shí)寄存在存儲(chǔ)器的意思。存儲(chǔ)器的相關(guān)分類區(qū)別有哪些?重慶24AA02E48T-E/OT存儲(chǔ)器原裝

存儲(chǔ)器也可以作為單獨(dú)的記憶元件使用。上海24AA02E48T-I/OT存儲(chǔ)器可編程

存儲(chǔ)器中的三管組成是三管讀出時(shí),先對(duì)T4置一預(yù)充電信號(hào),使讀數(shù)據(jù)線達(dá)高電壓VDD,然后由讀選擇先打開(kāi)T2,若T1的極間電容Cg存在足夠多的電荷"1",是T1導(dǎo)通,則因T2,T1導(dǎo)通接地,使讀數(shù)據(jù)線降為零電平,即“0”,若沒(méi)有足夠多的電荷“0”,T1截止,使讀數(shù)據(jù)線的高電平不變,讀出“1”信息。寫入時(shí),由寫選擇線打開(kāi)T3,這樣,Cg變能隨輸入信息充電(寫“1”)或放電(寫“0”)將寫入信號(hào)加到寫數(shù)據(jù)線上。單管(為了提高集成度)讀出時(shí),字段上的高電平使T導(dǎo)通,若Cs有電荷,經(jīng)T管在數(shù)據(jù)線產(chǎn)生電流,可視為讀出“1”。若Cs無(wú)電荷,則數(shù)據(jù)線上無(wú)電流,可視為讀出“0”。讀操作結(jié)束時(shí),Cs的電荷已將破壞性對(duì)出,必須再生。寫入時(shí),字段上的高電平使T導(dǎo)通,若數(shù)據(jù)線上為高電平,經(jīng)T管對(duì)Cs充電,使其存“1”;若數(shù)據(jù)線為低電平,則Cs經(jīng)T放電,使其無(wú)電荷而存“0”可以說(shuō)動(dòng)態(tài)RAM的讀過(guò)程就是檢測(cè)電容有無(wú)電,而寫過(guò)程就是對(duì)電容充電放電的過(guò)程注:T是mos管,不是電源,它能被導(dǎo)通,短的一端有電才能被導(dǎo)通上海24AA02E48T-I/OT存儲(chǔ)器可編程