相信大家對(duì)于可控硅模塊并不陌生了，現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展，可控硅模塊的使用范圍越來(lái)越廣，但是你對(duì)可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎？下面為大家講解?？煽毓枘K的主要參數(shù)有：(1)額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。(2)正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。(3)反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。(4)控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極——陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅模塊從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的較小控制極電流和電壓。(5)維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的較小陽(yáng)極正向電流。近年來(lái)，許多新型可控硅模塊相繼問(wèn)世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅模塊，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅模塊，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通。淄博正高電氣始終堅(jiān)持以人為本，恪守質(zhì)量為金，同建雄績(jī)偉業(yè)。寧夏雙向晶閘管調(diào)壓模塊配件

在這里單結(jié)晶體管張弛振蕩器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管模塊沒(méi)有導(dǎo)通時(shí)，張弛振蕩器的電容器C被電源充電，UC按指數(shù)規(guī)律上升到峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通，在VS導(dǎo)通期間，負(fù)載RL上有交流電壓和電流，與此同時(shí)，導(dǎo)通的VS兩端電壓降很小，迫使張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電壓過(guò)零瞬間，晶閘管VS被迫關(guān)斷，張弛振蕩器得電，又開(kāi)始給電容器C充電，重復(fù)以上過(guò)程。這樣，每次交流電壓過(guò)零后，張弛振蕩器發(fā)出個(gè)觸發(fā)脈沖的時(shí)刻都相同，這個(gè)時(shí)刻取決于RP的阻值和C的電容量。調(diào)節(jié)RP的阻值，就可以改變電容器C的充電時(shí)間，也就改變了個(gè)Ug發(fā)出的時(shí)刻，相應(yīng)地改變了晶閘管的控制角，使負(fù)載RL上輸出電壓的平均值發(fā)生變化，達(dá)到調(diào)壓的目的。雙向晶閘管模塊的T1和T2不能互換。否則會(huì)損壞管子和相關(guān)的控制電路。青海三相晶閘管調(diào)壓模塊型號(hào)淄博正高電氣竭誠(chéng)為您服務(wù)，期待與您的合作，歡迎大家前來(lái)！

晶閘管模塊是一種開(kāi)關(guān)器件，在電氣行業(yè)中有著較為廣的應(yīng)用，在設(shè)備中起著較為重要的作用，但是晶閘管模塊還是有它需要注意的問(wèn)題的，下面正高給您講解一下。當(dāng)觸發(fā)脈沖的持續(xù)時(shí)間較短時(shí)，脈沖幅度必須相應(yīng)增加，同時(shí)脈沖寬度也取決于陽(yáng)極電流達(dá)到擎住電流的時(shí)間。在系統(tǒng)中，由于感性負(fù)載的存在，陽(yáng)極電流上升率低，若不施加寬脈沖觸發(fā)，則晶閘管模塊往往不能維持導(dǎo)通狀態(tài)?？紤]負(fù)載是強(qiáng)感性的情況，本系統(tǒng)采用高電平觸發(fā)，其缺點(diǎn)是晶閘管模塊損耗過(guò)大。晶閘管模塊在應(yīng)用過(guò)程中，影響關(guān)斷時(shí)間的因素有結(jié)溫、通態(tài)電流及其下降率、反向恢復(fù)電流下降率、反向電壓及正向dv/dt值等。其中以結(jié)溫及反向電壓影響大，結(jié)溫愈高，關(guān)斷時(shí)間愈長(zhǎng)；反壓越高，關(guān)斷時(shí)間愈短。在系統(tǒng)中，由于感性負(fù)載的存在，在換流時(shí)，電感兩端會(huì)產(chǎn)生很大的反電勢(shì)。這個(gè)異常電壓加在晶閘管模塊兩端，容易引起晶閘管模塊損壞。為了防止這種情況，通常采用浪涌電壓吸收電路。由于感性負(fù)載的存在，應(yīng)考慮加大觸發(fā)脈沖寬度，否則晶閘管模塊在陽(yáng)極電流達(dá)到擎住電流之前，觸發(fā)信號(hào)減弱，可能會(huì)造成晶閘管模塊不能正常導(dǎo)通。在關(guān)斷時(shí)，感性負(fù)載也會(huì)給晶閘管模塊造成一些問(wèn)題。以上所述就是晶閘管模塊值得注意的事項(xiàng)。

晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管模塊的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開(kāi)關(guān)S，按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。四、晶閘管模塊在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管模塊基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路?，F(xiàn)在我畫(huà)一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通?，F(xiàn)在，畫(huà)出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來(lái)得早，晶閘管模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。淄博正高電氣有著優(yōu)良的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級(jí)。

正高教你區(qū)分可控硅模塊損壞的原因當(dāng)可控硅模塊損壞后，一定要及時(shí)找到損壞的原因，然后立即進(jìn)行故障處理，下面正高教你如何區(qū)分可控硅模塊損壞的原因。當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，翻開(kāi)芯盒再取出芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見(jiàn)表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其方位在遠(yuǎn)離操控極上。電壓擊穿?？煽毓枰虿荒芙邮茈妷憾鴵p壞，其芯片中有一個(gè)光亮的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見(jiàn)。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開(kāi)時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。以上4種緣由都是可控硅模塊的常見(jiàn)損壞緣由，遇到可控硅模塊損壞事情，應(yīng)剖析。淄博正高電氣不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。煙臺(tái)大功率晶閘管調(diào)壓模塊廠家

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晶閘管模塊又稱(chēng)為可控硅模塊，是硅整流裝置中主要的器件，可應(yīng)用于多種場(chǎng)合，在不同的場(chǎng)合、線路和負(fù)載的狀態(tài)下，選擇適合的晶閘管模塊的重要參數(shù)，使設(shè)備運(yùn)行更良好，使用壽命更長(zhǎng)。1.選擇正反向電壓晶閘管模塊在門(mén)極無(wú)信號(hào)，控制電流Ig為0時(shí)，在陽(yáng)（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向偏置，所以，器件呈高阻抗?fàn)顟B(tài)，稱(chēng)為正向阻斷狀態(tài)，若增大UAK而達(dá)到一定值VBO，可控硅由阻斷忽然轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，這個(gè)VBO值稱(chēng)為正向轉(zhuǎn)折電壓，這種導(dǎo)通是非正常導(dǎo)通，會(huì)減短器件的壽命。所以必須選擇足夠正向重復(fù)阻斷峰值電壓（VDRM）。在陽(yáng)逐一陰極之間加上反向電壓時(shí)，器件的一和三PN結(jié)（J1和J3）處于反向偏置，呈阻斷狀態(tài)。當(dāng)加大反向電壓達(dá)到一定值VRB時(shí)可控硅的反向從阻斷忽然轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)是反向擊穿，器件會(huì)被損壞。而且VBO和VRB值隨電壓的重復(fù)施加而變小。在感性負(fù)載的情況下，如磁選設(shè)備的整流裝置。在關(guān)斷的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很高的電壓（∈=-Ldi/dt），假如電路上未有良好的吸收回路，此電壓將會(huì)損壞晶閘管模塊。因此，晶閘管模塊也必須有足夠的反向耐壓VRRM。晶閘管模塊在變流器（如電機(jī)車(chē)）中工作時(shí)。必須能夠以電源頻率重復(fù)地經(jīng)受一定的過(guò)電壓而不影響其工作。寧夏雙向晶閘管調(diào)壓模塊配件

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