南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供光電器件及電路技術(shù)開(kāi)發(fā)。研究院擁有先進(jìn)的光電器件及電路制備工藝，能夠?yàn)榭蛻籼峁┒ㄖ苹募夹g(shù)開(kāi)發(fā)方案和工藝加工服務(wù)。公司致力于研發(fā)光電集成芯片，以應(yīng)對(duì)新體制微波光子雷達(dá)和光通信等領(lǐng)域的發(fā)展需求。在此領(lǐng)域，光芯片、器件與模塊將為通信網(wǎng)絡(luò)和物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用提供強(qiáng)有力的支撐。無(wú)論是在技術(shù)研發(fā)上，還是在工藝制備上，研究院都秉持著高標(biāo)準(zhǔn)和嚴(yán)謹(jǐn)精神。通過(guò)不斷創(chuàng)新和努力奮斗，研究院將不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)水平，以滿足客戶的需求。芯谷高頻研究院的CVD用固態(tài)微波功率源產(chǎn)品可直接與各類(lèi)射頻CVD設(shè)備直接集成，應(yīng)用于金剛石等材料的生長(zhǎng)。江西金剛石芯片工藝技術(shù)服務(wù)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)服務(wù)，可進(jìn)行以下先進(jìn)集成材料制備和研發(fā)：1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質(zhì)晶圓，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質(zhì)晶圓，用于低損耗光學(xué)平臺(tái)；3)AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓，用于光量子器件等新一代片上光源平臺(tái)；4)Miro-Cavity-SOI，內(nèi)嵌微腔的絕緣體上Si晶圓，用于環(huán)柵GAA，MEMS等器件平臺(tái)；5)SionSiC/Diamond，解決傳統(tǒng)Si襯底功率器件散熱低的瓶頸；6)GaNonSiC，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質(zhì)晶圓定制研發(fā)。山東異質(zhì)異構(gòu)集成芯片工藝技術(shù)服務(wù)芯谷高頻研究院提供薄膜型SBD集成電路開(kāi)發(fā)服務(wù)，適用于0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲混頻、倍頻應(yīng)用。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司擁有先進(jìn)的硅基氮化鎵產(chǎn)品開(kāi)發(fā)技術(shù)。公司致力于提高半導(dǎo)體器件的性能。在研發(fā)過(guò)程中，公司深度探究硅基氮化鎵器件與芯片技術(shù)，不斷創(chuàng)新，不斷提高研究水平。目前，公司已經(jīng)擁有一批有經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力的團(tuán)隊(duì)，在硅基氮化鎵方面擁有多年的研究和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。公司采用先進(jìn)的工藝流程，推行高效率的管理模式，不斷探索創(chuàng)新型的研發(fā)模式，以提升企業(yè)的研究開(kāi)發(fā)能力和效率。在市場(chǎng)方面，公司積極總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，探究市場(chǎng)需求，根據(jù)客戶的具體需求進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，為客戶提供質(zhì)量?jī)?yōu)秀的硅基氮化鎵產(chǎn)品。未來(lái)，公司將繼續(xù)不斷創(chuàng)新和發(fā)展，秉承“科技改變生活，創(chuàng)新鑄就未來(lái)”的理念，不斷推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司研發(fā)的高功率密度熱源產(chǎn)品具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。該產(chǎn)品由熱源管芯和熱源集成外殼組成，采用了先進(jìn)的厚金技術(shù)。熱源管芯的背面可以與任意熱沉進(jìn)行金錫等焊料集成，同時(shí)滿足與外殼集成后，在任意熱沉進(jìn)行機(jī)械集成。這種靈活的設(shè)計(jì)使得熱源可以根據(jù)客戶的要求進(jìn)行定制，尺寸也可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整。這款高功率密度熱源產(chǎn)品適用于微系統(tǒng)或微電子領(lǐng)域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術(shù)開(kāi)發(fā)。此外，它還可以用于對(duì)熱管理技術(shù)進(jìn)行定量的表征和評(píng)估。根據(jù)客戶的需求，公司能夠設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)各種熱源微結(jié)構(gòu)及其功率密度。這款高功率密度熱源產(chǎn)品不僅具有高功率密度的特點(diǎn)，還具有良好的可定制性和適應(yīng)性。它的出色性能使其在微系統(tǒng)或微電子領(lǐng)域中具有較廣的應(yīng)用前景。芯片在航空航天領(lǐng)域的應(yīng)用，使得飛行器的性能和安全性得到了極大提升。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)，該芯片電路工作頻段達(dá)到1.5THz；適用于工作頻率0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲混頻、倍頻應(yīng)用。本公司提供定制化薄膜型SBD集成電路設(shè)計(jì)與加工服務(wù)，GaAs薄膜型SBD集成電路是目前主流的技術(shù)解決方案。研究院可根據(jù)客戶需求進(jìn)行定制化開(kāi)發(fā)，可應(yīng)用于太赫茲混頻、倍頻、檢波等技術(shù)方向。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司將不斷提高研發(fā)水平，為客戶提供更好的服務(wù)。隨著芯片技術(shù)的不斷進(jìn)步，電子設(shè)備的性能也在不斷提升，為用戶帶來(lái)更好的使用體驗(yàn)。山西硅基氮化鎵器件及電路芯片開(kāi)發(fā)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司提供異質(zhì)集成工藝服務(wù)，如晶圓鍵合、襯底減薄、表面平坦化等。江西金剛石芯片工藝技術(shù)服務(wù)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司致力于為客戶提供專(zhuān)業(yè)的異質(zhì)集成工藝服務(wù)。在晶圓鍵合方面，提供6英寸及以下的超高真空鍵合、表面活化鍵合、聚合物鍵合、熱壓鍵合、共晶鍵合等多種類(lèi)型的晶圓及非標(biāo)準(zhǔn)片鍵合服務(wù)，確保晶圓間的緊密結(jié)合。在襯底減薄方面，提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等多種材料的襯底減薄服務(wù)，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。在表面平坦化方面，提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等多種材料的表面亞納米級(jí)精細(xì)拋光服務(wù)，確保材料表面的平滑度和精度。公司的多種異質(zhì)集成技術(shù)服務(wù)，包括超高真空鍵合、襯底減薄和表面平坦化等，均基于先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)備，旨在滿足客戶的各種不同需求。公司憑借豐富的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)實(shí)力，為客戶提供定制化的解決方案，助力客戶在異質(zhì)集成工藝領(lǐng)域取得突出成果。江西金剛石芯片工藝技術(shù)服務(wù)