【2024年3月13日，德國慕尼黑訊】2023年9月15日，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體***英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）管理委員會(huì)經(jīng)監(jiān)事會(huì)批準(zhǔn)，決定通過證券交易所回購多達(dá)700萬股**（ISINDE），回購總價(jià)（不含附帶成本）高達(dá)3億歐元。此次回購由一家*****機(jī)構(gòu)**英飛凌通過法蘭克福證券交易所的Xetra交易進(jìn)行，定于2024年2月26日開始，并在2024年3月28日前（含當(dāng)日）完成。回購的目的是根據(jù)現(xiàn)行的員工持股計(jì)劃，向公司或關(guān)聯(lián)公司員工、公司管理委員會(huì)成員以及關(guān)聯(lián)公司管理委員會(huì)和董事會(huì)成員發(fā)放**。此次回購根據(jù)2023年2月16日年度股東大會(huì)的授權(quán)進(jìn)行，并將根據(jù)歐盟第596/2014號(hào)條例第5條以及2016年3月8日歐盟委員會(huì)第2016/1052號(hào)授權(quán)條例的規(guī)定（歐盟第2016/1052號(hào)授權(quán)條例）執(zhí)行。該授權(quán)條例補(bǔ)充了歐盟第596/2014號(hào)條例（回購計(jì)劃和穩(wěn)定措施適用條件的監(jiān)管技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)）。更多詳情，請(qǐng)參閱根據(jù)歐盟第596/2014號(hào)條例第5（1））條和歐盟第2016/1052號(hào)授權(quán)條例第2（1）條發(fā)布的公告。該公告也發(fā)布于英飛凌網(wǎng)站。回購計(jì)劃中的所有交易都將根據(jù)歐盟第2016/1052號(hào)授權(quán)條例的要求予以公布。英飛凌將在其網(wǎng)站定期更新**回購的進(jìn)展情況。 英飛凌infineon一級(jí)分銷商，商品批發(fā)價(jià)格。TO-263-7TLE9461ESV33XUMA1INFINEON英飛凌

    英飛凌通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，持續(xù)推出滿足市場需求的高性能半導(dǎo)體產(chǎn)品。積極拓展業(yè)務(wù)領(lǐng)域，加強(qiáng)在汽車電子、工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用等領(lǐng)域的市場份額。還通過戰(zhàn)略收購，如 2019 年收購美國賽普拉斯公司，進(jìn)一步擴(kuò)大了自己的業(yè)務(wù)范圍和市場份額，增強(qiáng)了公司在全球半導(dǎo)體市場的競爭力。英飛凌的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品應(yīng)用推動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。其 300mm 氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)的推出，為 gan 功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展提供了強(qiáng)大的動(dòng)力，促進(jìn)了 gan 在工業(yè)、汽車、消費(fèi)、計(jì)算和通信等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。超薄硅功率晶圓技術(shù)的突破，也為半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展提供了新的思路和方向，帶領(lǐng)了行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。 LQFP64TLD5095ELXUMA1INFINEON英飛凌INFINEON英飛凌時(shí)鐘和計(jì)時(shí)器IC、驅(qū)動(dòng)器IC運(yùn)用范圍。

    5G 乃至未來 6G 通信的蓬勃發(fā)展，離不開英飛凌半導(dǎo)體的支撐。在基站端，其射頻（RF）芯片負(fù)責(zé)信號(hào)的發(fā)射與接收，高線性度、低噪聲特性確保信號(hào)傳輸清晰、穩(wěn)定，即便在復(fù)雜電磁環(huán)境下也能滿足海量用戶同時(shí)接入需求。手機(jī)等終端設(shè)備中，英飛凌芯片同樣關(guān)鍵，既保障 5G 高速數(shù)據(jù)傳輸，又兼顧低功耗續(xù)航要求。同時(shí)，在物聯(lián)網(wǎng)通信模塊里，它讓智能穿戴設(shè)備、智能家居傳感器等低功耗廣域網(wǎng)（LPWAN）設(shè)備實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程、可靠連接，為萬物互聯(lián)筑牢根基，幕后推動(dòng)通信變革。

    集成電路設(shè)計(jì)是一門綜合性的藝術(shù)與科學(xué)。在設(shè)計(jì)過程中，首先要考慮的是功能需求，根據(jù)芯片的應(yīng)用場景確定其需要具備的各種功能模塊，如處理器、存儲(chǔ)單元、接口電路等，并進(jìn)行合理的架構(gòu)設(shè)計(jì)，以優(yōu)化芯片的性能和功耗。電路設(shè)計(jì)則需要精心規(guī)劃各個(gè)晶體管之間的連接和信號(hào)傳輸路徑，確保信號(hào)的完整性和準(zhǔn)確性。同時(shí)，為了提高芯片的可靠性，需要進(jìn)行大量的冗余設(shè)計(jì)和容錯(cuò)機(jī)制的構(gòu)建。在創(chuàng)新理念方面，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的興起，集成電路設(shè)計(jì)開始注重針對(duì)特定應(yīng)用的優(yōu)化，如專門為人工智能算法設(shè)計(jì)的加速芯片（AI 芯片），采用特殊的架構(gòu)和計(jì)算單元，能夠大幅提高人工智能任務(wù)的處理效率。此外，異構(gòu)集成設(shè)計(jì)理念也逐漸流行，將不同功能、不同工藝制造的芯片集成在一起，實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢互補(bǔ)，滿足復(fù)雜系統(tǒng)的需求。infineon/英飛凌處理器專門應(yīng)用TLE75008-ESD。

    集成電路的出現(xiàn)堪稱電子技術(shù)領(lǐng)域的一次偉大變革。20 世紀(jì) 50 年代末，杰克?基爾比和羅伯特?諾伊斯等先驅(qū)者的智慧結(jié)晶，開啟了集成電路的新紀(jì)元。早期的集成電路只包含少量的晶體管和簡單電路元件，功能相對(duì)單一。然而，隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷演進(jìn)，光刻精度逐步提高，芯片上能夠集成的晶體管數(shù)量呈指數(shù)級(jí)增長。從一開始的幾十上百個(gè)，到如今高級(jí)芯片集成數(shù)十億甚至上百億個(gè)晶體管。這一發(fā)展歷程不只見證了科技的飛速進(jìn)步，更為現(xiàn)代電子設(shè)備的微型化、高性能化奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。如今，集成電路廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子等各個(gè)領(lǐng)域，成為推動(dòng)全球數(shù)字化進(jìn)程的重要力量，每一次技術(shù)突破都在重塑著我們的生活方式和經(jīng)濟(jì)格局。INFINEON英飛凌均衡器芯片組集成電路。TO-263-7TLE9461ESV33XUMA1INFINEON英飛凌

infineon/英飛凌CPLD復(fù)雜可編程邏輯器件TLE4921-5U。TO-263-7TLE9461ESV33XUMA1INFINEON英飛凌

    集成電路制造是一個(gè)高度復(fù)雜且精密的過程，面臨著諸多技術(shù)挑戰(zhàn)。首先，光刻技術(shù)是制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，它需要將設(shè)計(jì)好的電路圖案精確地轉(zhuǎn)移到硅片上，隨著芯片集成度的提高，對(duì)光刻分辨率的要求越來越高，目前已進(jìn)入極紫外光刻（EUV）時(shí)代，但仍面臨著設(shè)備昂貴、技術(shù)難度大等問題。其次，芯片制造過程中的材料純度要求極高，哪怕是極其微小的雜質(zhì)都可能影響芯片的性能和可靠性。此外，在晶體管制造過程中，如鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）等新型晶體管結(jié)構(gòu)的制備，需要精確控制工藝參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)良好的電學(xué)性能和穩(wěn)定性。集成電路制造還需要解決芯片散熱問題，隨著芯片功率密度的不斷增加，如何有效地將熱量散發(fā)出去，防止芯片過熱導(dǎo)致性能下降甚至損壞，是亟待攻克的難題。TO-263-7TLE9461ESV33XUMA1INFINEON英飛凌