光電探測(cè)器，屬于光線傳感器的一種，它常用于攝像頭和其他成像設(shè)備中。它們可以感知稱為“光子”的基本粒子的圖案，并通過(guò)這些圖案創(chuàng)造出圖像。不同的光電探測(cè)器用于感知光譜的不同部分。例如，夜視眼鏡中使用的光電探測(cè)器就是用于感知肉眼不可見的熱輻射。還有一些光電探測(cè)器應(yīng)用于攝像頭，這些攝像頭通過(guò)環(huán)境中化學(xué)物質(zhì)反射光線的方式來(lái)辨別它們。光電探測(cè)器的多功能程度主要取決于三個(gè)因素：運(yùn)行速度、感知低強(qiáng)度光線的能力、感知的頻譜范圍。通常來(lái)說(shuō)，如果工程師們改善了這三個(gè)因素中的某一個(gè)，那么另外兩個(gè)因素中就會(huì)至少有一個(gè)變得惡化。線性度和靈敏度是衡量PIN型光電探測(cè)器性能的兩個(gè)重要參數(shù)。高轉(zhuǎn)換效率光電探測(cè)器交易價(jià)格
光電導(dǎo)探測(cè)器主要是通過(guò)電陰值的變化來(lái)檢測(cè)，以下我將以光敏電阻為例介紹其工作原理。光敏電阻又稱光導(dǎo)管,它沒(méi)有極性,純粹是一個(gè)電阻器件,使用時(shí)既可加直流電壓,也可以加交流電壓。無(wú)光照時(shí),光敏電阻值（暗電阻）很大,電路中電流（暗電流）很小。當(dāng)光敏電阻受到一定波長(zhǎng)范圍的光照時(shí),它的阻值（亮電阻）急劇減少,電路中電流迅速增大。一般希望暗電阻越大越好,亮電阻越小越好,此時(shí)光敏電阻的靈敏度高。實(shí)際光敏電阻的暗電阻值一般在兆歐級(jí),亮電阻在幾千歐以下。廣東相干接收機(jī)光電探測(cè)器工作原理光電探測(cè)器是光接收器的主要器件之一，用來(lái)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。
在數(shù)字傳輸系統(tǒng)中，DPSK和DQPSK的使用已經(jīng)非常普遍，這就標(biāo)志著采用相位敏感的編碼和傳輸技術(shù)將成為一種趨勢(shì)。而檢測(cè)靈敏度和頻譜效率是這種趨勢(shì)的關(guān)鍵所在。其他影響選擇檢測(cè)方案的因素還包括物理層的安全可靠性和網(wǎng)絡(luò)的自適應(yīng)性，兩者都可得益于采用相干光技術(shù)的幅度，頻率和偏振編碼。相干模擬傳輸與非相干傳輸相比，也同樣具有很大的優(yōu)勢(shì)，其中在動(dòng)態(tài)范圍方面較為很大。雖然模擬通信不及數(shù)字通信應(yīng)用較廣，但是模擬傳輸在很多特殊環(huán)境應(yīng)用上有很重要的作用。
當(dāng)光線照在物體上，使物體的電導(dǎo)率發(fā)生變化，或產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象叫內(nèi)光電效應(yīng)。利用這種現(xiàn)象可以制成陰極射線管、光電倍增管和攝像管的光陰極等。半導(dǎo)體材料的價(jià)帶與導(dǎo)帶間有一個(gè)帶隙，其能量間隔為Eg。一般情況下，價(jià)帶中的電子不會(huì)自發(fā)地躍遷到導(dǎo)帶，所以半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性遠(yuǎn)不如導(dǎo)體。但如果通過(guò)某種方式給價(jià)帶中的電子提供能量，就可以將其激發(fā)到導(dǎo)帶中，形成載流子，增加導(dǎo)電性。光照就是一種激勵(lì)方式。當(dāng)入射光的能量hν≥Eg(Eg為帶隙間隔)時(shí)，價(jià)帶中的電子就會(huì)吸收光子的能量，躍遷到導(dǎo)帶，而在價(jià)帶中下一個(gè)空穴，形成一對(duì)可以導(dǎo)電的電子——空穴對(duì)。這里的電子并未逸出形成光電子，但顯然存在著由于光照而產(chǎn)生的電效應(yīng)。因此,這種光電效應(yīng)就是一種內(nèi)光電效應(yīng)。從理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析,要使價(jià)帶中的電子躍遷到導(dǎo)帶,也存在一個(gè)入射光的極限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低頻限(即極限頻率ν0=Egh)。這個(gè)關(guān)系也可以用長(zhǎng)波限表示,即λ0=hcEg。入射光的頻率大于ν0或波長(zhǎng)小于λ0時(shí),才會(huì)發(fā)生電子的帶間躍遷。當(dāng)入射光能量較小,不能使電子由價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶時(shí),有可能使電子吸收光能后,在一個(gè)能帶內(nèi)的亞能級(jí)結(jié)構(gòu)間躍遷。光生伏特的效應(yīng)是指光照使不均勻半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬結(jié)合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。
光電探測(cè)器是光接收器的主要器件之一，用來(lái)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。根據(jù)系統(tǒng)的性能目標(biāo)，可以選用PIN或APD（雪崩光電二極管）光電探測(cè)器。誤碼率（BER）是用于指定通信傳輸系統(tǒng)可靠性的主要指標(biāo)，通常與接收機(jī)靈敏度值相關(guān)，該值定義了必須到達(dá)光電探測(cè)器的較小平均光功率，以實(shí)現(xiàn)所需的BER性能。另外，信道的Q值可以從采樣的信號(hào)統(tǒng)計(jì)中計(jì)算出來(lái)，并用于估計(jì)系統(tǒng)的誤碼率。光電探測(cè)器在定義基本通信系統(tǒng)的較終靈敏度方面起著重要的作用，因?yàn)樗陨椩肼暫蜔嵩肼暤男问教峁┙y(tǒng)計(jì)擾動(dòng)，并引入了暗電流及定義響應(yīng)率來(lái)衡量每單位輸入功率獲得多少電輸出。這些特性取決于入射光的波長(zhǎng)和傳感器的材料特性和物理設(shè)計(jì)。光電導(dǎo)效應(yīng)是指在光線作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過(guò)度到自由狀態(tài)，而引起材料電導(dǎo)率的變化的象。廣東7GHZ APD光電探測(cè)器價(jià)格對(duì)比
光子型探測(cè)器是有選擇性響應(yīng)波長(zhǎng)的探測(cè)器件。高轉(zhuǎn)換效率光電探測(cè)器交易價(jià)格
1873年，英國(guó)W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導(dǎo)效應(yīng)，但是這種效應(yīng)長(zhǎng)期處于探索研究階段，未獲實(shí)際應(yīng)用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導(dǎo)體的發(fā)展，各種新的光電導(dǎo)材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測(cè)器都已投入使用。60年代初，中遠(yuǎn)紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導(dǎo)探測(cè)器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導(dǎo)探測(cè)器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進(jìn)展。工作原理和特性光電導(dǎo)效應(yīng)是內(nèi)光電效應(yīng)的一種。當(dāng)照射的光子能量hv等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度Eg時(shí)，光子能夠?qū)r(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶，從而產(chǎn)生導(dǎo)電的電子、空穴對(duì),這就是本征光電導(dǎo)效應(yīng)。這里h是普朗克常數(shù)，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導(dǎo)體的響應(yīng)長(zhǎng)波限λc為λc=hc/Eg=1.24/Eg(μm)式中c為光速。本征光電導(dǎo)材料的長(zhǎng)波限受禁帶寬度的限制。高轉(zhuǎn)換效率光電探測(cè)器交易價(jià)格
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