焊機(jī)晶閘管模塊故障維修1、松下焊機(jī)晶閘管模塊的型號(hào)及組成結(jié)構(gòu)：松下焊機(jī)維修KR1系列焊機(jī)模塊型號(hào)見(jiàn)下表;2、松下焊機(jī)模塊的測(cè)量模塊的陰陽(yáng)極電阻一般為兆歐極，陰控極電阻為幾歐至十幾歐。測(cè)量方法如下圖所示：KR1系列焊機(jī)模塊陰控極阻值見(jiàn)下表：另外請(qǐng)注意：在焊機(jī)上測(cè)量模塊陰控極電阻時(shí)，需將與其相連的觸發(fā)信號(hào)線拔下：測(cè)量陰陽(yáng)極的電阻時(shí)，也需將與其相連的主電纜拆掉。模塊故障簡(jiǎn)介：（1）陰控極或陰陽(yáng)極斷路：如果某一組晶閘管的陰控極斷路或阻值變**于幾十歐），該組晶閘管就不能被觸發(fā)：而某一組晶閘管的陰、陽(yáng)極發(fā)生斷路時(shí)，即便有觸發(fā)信號(hào)，該組晶閘管也不能導(dǎo)通。以上兩種情況會(huì)造成焊機(jī)輸出缺相，所表現(xiàn)出的現(xiàn)象為：空載電壓低，焊接時(shí)焊機(jī)發(fā)生振動(dòng)，并發(fā)出很大的噪聲。（2）陰控極或陰陽(yáng)極斷路：當(dāng)某一組晶閘管的陰、控極發(fā)生短路時(shí)，會(huì)同時(shí)造成改組晶閘管的陰陽(yáng)極擊穿。如果*有一組晶閘管4穿，在交流接觸器吸合但未進(jìn)行焊接的情況下，主變壓器次級(jí)會(huì)通過(guò)主電路中的電阻R2形成回路，此時(shí)主電路中有電流產(chǎn)生，電流表電壓表有指示。如果一個(gè)模塊中有兩組以上的晶閘管擊穿的話，會(huì)造成主變壓器次級(jí)短路。當(dāng)交流接觸器吸合后。正高電氣產(chǎn)品質(zhì)量好，收到廣大業(yè)主一致好評(píng)。南京穩(wěn)壓模塊配件

    晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù)；4、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷；7、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號(hào)說(shuō)明：三、技術(shù)參數(shù)：型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式：五、產(chǎn)品應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制；2、各種整流電源；3、工業(yè)加熱控制；4、調(diào)光；5、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)；6、電機(jī)軟起動(dòng)；7、靜止無(wú)功補(bǔ)嘗；8、電焊機(jī)；9、變頻器；10、UPS電源；11、電池充放電。說(shuō)明：，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值，表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;，在50HZ頻率下，I2t(10ms)=(A2S);d.當(dāng)使用在電流為60HZ情況下，Itsm()=(10ms),I2t()=。南京穩(wěn)流模塊正高電氣秉承團(tuán)結(jié)、奮進(jìn)、創(chuàng)新、務(wù)實(shí)的精神，誠(chéng)實(shí)守信，厚德載物。

    硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí)，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過(guò)電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過(guò)后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示。標(biāo)稱電壓：指壓敏電阻流過(guò)1mA直流電流時(shí)，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標(biāo)稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來(lái)表示。因?yàn)檎５膲好綦娮枇＝鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù)，標(biāo)稱電壓值不僅會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一電流時(shí)，標(biāo)稱電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。

    當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)晶閘管是很危險(xiǎn)的。由開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類：（1）交流電源接通、斷開(kāi)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如，交流開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過(guò)電壓，這些過(guò)電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過(guò)電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開(kāi)閉速度越快過(guò)電壓越高，在空載情況下斷開(kāi)回路將會(huì)有更高的過(guò)電壓。。2）直流側(cè)產(chǎn)生的過(guò)電壓如切斷回路的電感較大或者切斷時(shí)的電流值較大，都會(huì)產(chǎn)生比較大的過(guò)電壓。這種情況常出現(xiàn)于切除負(fù)載、正在導(dǎo)通的晶閘管開(kāi)路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場(chǎng)合。?！百|(zhì)量?jī)?yōu)先，用戶至上，以質(zhì)量求發(fā)展，與用戶共創(chuàng)雙贏”是正高電氣新的經(jīng)營(yíng)觀。

晶閘管模塊也被稱為晶體閘流管，也被稱為可控硅模塊：它是一種功率半導(dǎo)體器件。它具有容量大、效率高、可控性好、使用壽命長(zhǎng)、體積小等優(yōu)點(diǎn)。它是弱電控制與受控強(qiáng)電之間的橋梁。從節(jié)能的角度看，電力電子技術(shù)被稱為新的電氣技術(shù)。我國(guó)能源利用率相對(duì)較低。按國(guó)民生產(chǎn)單位產(chǎn)值能耗計(jì)算。因此，所以晶閘管為**的電控裝置是我國(guó)有效節(jié)能的重要措施。

晶閘管模塊是過(guò)去市場(chǎng)上常用的一種集成模塊。根據(jù)不同的電流規(guī)格，它可以形成各種形式和電流規(guī)格的電路。MTC模塊是一種單臂橋式模塊。根據(jù)芯片電流規(guī)格，它可以形成三個(gè)不同功率的（單）交（整）流電路。 正高電氣公司自成立以來(lái)，一直專注于對(duì)產(chǎn)品的精耕細(xì)作。南京穩(wěn)壓模塊配件

正高電氣從國(guó)內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。南京穩(wěn)壓模塊配件

    簡(jiǎn)稱過(guò)零型）和隨機(jī)導(dǎo)通型（簡(jiǎn)稱隨機(jī)型）；按輸出開(kāi)關(guān)元件分有雙向可控硅輸出型（普通型）和單向可控硅反并聯(lián)型（增強(qiáng)型）；按安裝方式分有印刷線路板上用的針插式（自然冷卻，不必帶散熱器）和固定在金屬底板上的裝置式（靠散熱器冷卻）；另外輸入端①直流恒流控制型（D3），電壓為3-36Vdc寬范圍，驅(qū)動(dòng)電流為5-15mA；②直流抗干擾控制型（D2），電壓為18-30Vdc；③串電阻限流型（D1），電壓為4-8Vdc，**于隨機(jī)型LSR；④交流控制型（A3），電壓為90-430Vac寬范圍。⑴過(guò)零型(Z型)與隨機(jī)型(P型)LSR的區(qū)別由于觸發(fā)信號(hào)方式不同，過(guò)零型和隨機(jī)型之間的區(qū)別主要在于負(fù)載交流電流導(dǎo)通的條件不同。當(dāng)輸入端施加有效的控制信號(hào)時(shí)，隨機(jī)型LSR負(fù)載輸出端立即導(dǎo)通（速度為微秒級(jí)），而過(guò)零型LSR則要等到負(fù)載電壓過(guò)零區(qū)域(約±15V)時(shí)才開(kāi)啟導(dǎo)通。當(dāng)輸入端撤消控制信號(hào)后，過(guò)零型和隨機(jī)型LSR均在小于維持電流時(shí)關(guān)斷，這兩種類型的關(guān)斷條件相同。雖然過(guò)零型LSR有可能造成比較大半個(gè)周期的延時(shí)，但卻減少了對(duì)負(fù)載的沖擊和產(chǎn)生的射頻干擾，在負(fù)載上可以得到一個(gè)完整的正弦波形，成為理想的開(kāi)關(guān)器件，在“單刀單擲”的開(kāi)關(guān)場(chǎng)合中應(yīng)用**為。隨機(jī)型LSR的特點(diǎn)是反應(yīng)速度快。南京穩(wěn)壓模塊配件

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