晶閘管智能模塊的選擇

晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關(guān)鍵的功率器件，整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對(duì)晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機(jī)時(shí)溫度很低，額定電流會(huì)很大或加熱到比較高溫度時(shí)，額定電流會(huì)很大或加熱到比較高溫度時(shí)，額定電流會(huì)很大），必須考慮加熱絲整個(gè)工作狀態(tài)的比較大電流值，作為加熱絲的額定電流值來確定晶閘管智能模塊的規(guī)格大小。 正高電氣以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命，傾力為客戶創(chuàng)造更大利益！聊城MTDC400晶閘管智能模塊哪家好

    限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無接觸的。非機(jī)械式的，這就為微電子技術(shù)打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng)是完全相同的。說磁飽和軟起動(dòng)能實(shí)現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動(dòng)所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動(dòng)的快速性比晶閘管慢一個(gè)數(shù)量級(jí)。對(duì)于電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)的大慣性來說，磁控軟起動(dòng)的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動(dòng)不產(chǎn)生高次諧波，這是錯(cuò)誤的。只要飽和。就一定會(huì)有非線性，就一定會(huì)引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會(huì)比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些。磁控軟起動(dòng)裝置需要有相對(duì)較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動(dòng)晶閘管軟起動(dòng)產(chǎn)品的問世是當(dāng)今電力電子器件長(zhǎng)足進(jìn)步的結(jié)果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動(dòng)將引發(fā)軟起動(dòng)行業(yè)的一場(chǎng)**。晶閘管軟啟動(dòng)器主要性能優(yōu)于液阻軟起動(dòng)。與液阻軟起動(dòng)相比，它體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，維護(hù)量小，功能齊全，菜單豐富，起動(dòng)重復(fù)性好，保護(hù)周全，這些都是液阻軟起動(dòng)難以望其項(xiàng)背的。山東MTAC350晶閘管智能模塊品牌公司實(shí)力雄厚，產(chǎn)品質(zhì)量可靠。

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會(huì)在無門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽(yáng)極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時(shí)，陽(yáng)極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下，晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對(duì)加到晶閘管(可控硅)上的陽(yáng)極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運(yùn)行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。

    可以自動(dòng)調(diào)節(jié)負(fù)載阻抗的匹配，達(dá)到恒功率輸出，可以制成“快速熔煉”的中頻電源，達(dá)到節(jié)時(shí)、節(jié)電、提高網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)的目的（此功能也可被送掉）。逆變部分的主要電路均在QXPU-1大規(guī)模集成電路的內(nèi)部，亦是數(shù)字電路。QXPU-1控制板全板*有7只集成電路、6只晶體管、6只微調(diào)電位器、32個(gè)引出端子，安裝十分方便，適用于各種晶閘管并聯(lián)諧振中頻電源。MPU-2控制板在設(shè)計(jì)中征求了多方面的意見，采取了有效措施，使得調(diào)試極為方便，大多數(shù)參數(shù)的都由電路內(nèi)部自動(dòng)設(shè)定，需要用戶調(diào)整的只有6只電位器的參數(shù)設(shè)定，所以具有極強(qiáng)的通用性和互換性。2、產(chǎn)品名稱產(chǎn)品名稱：恒功率晶閘管中頻電源控制板3、適用裝置適用于400HZ-10KHZ各種晶閘管并聯(lián)諧振中頻電源。4、正常使用條件?！?，不高于+40℃。比較大相對(duì)濕度不超過90%（20℃±5℃時(shí)）。，無腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽。。5、主要技術(shù)參數(shù)：100V~660V（50HZ）（注意R3、R7、R11的匹配）：?jiǎn)蜗?7V/2A。：AC12V/15mA。：AC12V/5mA三相輸入。：α=0~130°。：小于1°。：≥600μS、雙窄、間隔60°。：觸發(fā)脈沖峰值電壓：≥12V觸發(fā)脈沖峰值電流：≥1A觸發(fā)脈沖前沿陡度：≥μS：400HZ~10KHZ。：1/16×逆變頻率。正高電氣產(chǎn)品**國(guó)內(nèi)。

晶閘管智能模塊的輸出特性

模塊的控制電壓與控制角α的關(guān)系因負(fù)載性質(zhì)和電路形式的不同而有所區(qū)別：

單相交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～ 180°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～9.5V。

單相整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～9.5V；感性負(fù)載時(shí)α范圍為0°～90°，控制電壓對(duì)應(yīng)于5V～9.5V。

三相全控整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～120°，控制電壓對(duì)應(yīng)2V～8V；感性負(fù)載時(shí)α范圍為0°～90°，控制電壓對(duì)應(yīng)于3.5V～8V。

三相半控整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～9.5V。

三相全控交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～150°，控制電壓對(duì)應(yīng)1.5V～9V。

三相半控交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～210°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～9.5V。

三相整流充放電模塊逆變放電時(shí)，α有效范圍為90°～180°，控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V～5V；整流充電時(shí)，α有效范圍為0°～90°，控制電壓對(duì)應(yīng)5V～9.5V。

注：交流調(diào)壓模塊用于感性負(fù)載時(shí)α應(yīng)大于負(fù)載阻抗角Ψ，即α≥Ψ；當(dāng)α≤Ψ時(shí)，模塊已輸出較大電壓，且不再隨α的改變而變化。 正高電氣銳意進(jìn)取，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。聊城MTDC400晶閘管智能模塊哪家好

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    水冷裝置在作此項(xiàng)調(diào)試時(shí)，必須通水冷卻。當(dāng)調(diào)試場(chǎng)地的電源供不出裝置的額定電流時(shí)，額定電流的整定，可放在現(xiàn)場(chǎng)滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)進(jìn)行。但是，應(yīng)先在小電流的狀況下，判定一下電流取樣回路的工作是否正常。（W5）主控板上的DIP開關(guān)均撥在OFF位置，面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋至**小。把示波器接在Q5或Q6的管殼上，測(cè)逆變觸發(fā)脈沖的它激頻率（它激頻率可以通過W6來調(diào)節(jié)），調(diào)節(jié)W5微調(diào)電位器，使頻率表的讀數(shù)與示波器測(cè)得的相一致。若中頻電源用的是**中頻頻率表，則可免去此步調(diào)試。但還是推薦使用直流毫安表頭改制的頻率表，這一方面是可以測(cè)得比較高它激頻率，另一方面是價(jià)格便宜。（W6）首先檢查逆變晶閘管的門級(jí)線連接是否正確，逆變未級(jí)上的LED亮度是否正常，不亮則說明逆變末級(jí)的E和C接線端子接反了；再把主控板上CON3-5對(duì)外的連線解掉，看熄滅的LED逆變末級(jí)是否處在逆變橋的對(duì)角線位置。把主控板上的DIP開關(guān)均撥在OFF位置，把面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋到底，調(diào)節(jié)控制板上的W6微調(diào)電位器，使比較高它激頻率高于槽路諧振頻率的，W3、W4微調(diào)電位器旋在中間位置。把面板上的“給定”電位器順時(shí)針稍微旋大，這時(shí)它激頻率開始從高往底掃描（從頻率表中可以看出）。聊城MTDC400晶閘管智能模塊哪家好

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