單向可控硅的檢測
萬用表選用電阻R×1檔,用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳,此時黑筆接的引腳為控制極G,紅筆接的引腳為陰極K,另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A,紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G,此時萬用表指針應向右偏轉,阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆,陰極K接紅表筆時,萬用表指針發(fā)生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。 淄博正高電氣有限公司產(chǎn)品**國內。山西快恢復可控硅模塊組件
您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎?
可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓,只有當正向觸發(fā)電壓時,可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應使陽極電流達到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流,即高于電流IL。可控硅導通后的電壓降很小。
接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值,即保持電流IH。有兩種方法:
1.將正極電壓降低至數(shù)值,或添加反向陽極電壓。
2.增加負載電路中的電阻。
以上是可控硅模塊的導通狀態(tài),希望能幫助您 陜西小功率可控硅模塊報價淄博正高電氣有限公司團隊從用戶需求出發(fā)。
可控硅模塊的接線方法
可控硅模塊在電力工業(yè)中占有重要地位。很多人知道可控硅模塊的優(yōu)點和使用方法,但不知道如何連接可控硅模塊。我們來談談可控硅模塊的連接方法。
單個晶閘管反向并聯(lián)。記得增加RC保護電路。控制交流電,單向晶閘管一定要反向并聯(lián),因此2和3應短接使用。
可控硅的介紹:
這是一種由三個晶閘管引起的共正晶閘管模塊,主要用于三相半波整流電路。
或者三相全控橋可以由一個普通的負三相半波整流器構成。
調速器:紅色,藍色,黑色,3根電線,紅色電池正極,黑色電池負極,藍色連接電機負極,電機正極帶一根線到電池正極。
可控硅模塊散熱條件的好壞直接關系到商品的運用壽數(shù)和短時過載才華,溫度越低模塊的輸出電流越大,所以在運用中有必要裝備散熱器和風機,主張選用帶有過熱維護功用的商品,有水冷散熱條件的優(yōu)先挑選水冷散熱。咱們經(jīng)過嚴肅測算,斷定了不一樣類型的商品所大概裝備的散熱器類型,推薦選用廠家配套的散熱器和風機,用戶自備時按以下準則挑選:
1、軸流風機的風速應大于6m/s ;
2、有必要能確保模塊正常作業(yè)時散熱底板溫度不大于80℃;
3、模塊負載較輕時,可減小散熱器的大小或選用天然冷卻;
4、選用天然辦法冷卻時散熱器周圍的空氣能結束對流并恰當增大散熱器面積;
5、悉數(shù)緊固模塊的螺釘有必要擰緊,壓線端子聯(lián)接強健,以削減次生熱量的發(fā)生,模塊底板和散熱器之間有必要要涂敷一層導熱硅脂或墊上一片底板大小的導熱墊,以抵達良好散熱作用。 淄博正高電氣有限公司不斷完善自我,滿足客戶需求。
可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時,如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號,BG2便有基流ib2流過,經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環(huán)的結果,兩個管子的電流劇增,可控硅使飽和導通。
由于BG1和BG2所構成的正反饋作用,所以一旦可控硅導通后,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導通狀態(tài),由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,沒有關斷功能,所以這種可控硅是不可關斷的。
由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化 淄博正高電氣有限公司產(chǎn)品適用范圍廣,產(chǎn)品規(guī)格齊全,歡迎咨詢。內蒙古快恢復可控硅模塊價格
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可控硅模塊的使用注意事項
1.在選擇可控硅模塊的額定電流時,應注意的是,除考慮通過元件的平均電流外,還必須注意正常運行過程中傳導角的大小、散熱和通風條件等因素,同時,管殼的溫度不得超過相應電流的允許值。
2.使用可控硅模塊時,使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài),如有短路或斷路,應立即更換。
3.嚴禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。
4.率大于5A的可控硅模塊,應安裝散熱器,并保證規(guī)定的冷卻條件。同時,為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好,應在兩者之間涂一層有機硅油或硅脂,以利于更好的散熱。
5.根據(jù)規(guī)定,主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護裝置。
6.防止控制極正向過載和反向擊穿。 山西快恢復可控硅模塊組件
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