晶閘管模塊

晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線(xiàn)簡(jiǎn)單、互換性好、維護(hù)安裝方便等優(yōu)點(diǎn)，自誕生以來(lái)就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞，并得到了極大的發(fā)展。

晶閘管模塊一般對(duì)錯(cuò)正弦電流有疑問(wèn)，存在導(dǎo)通角，負(fù)載電流具有一定的波動(dòng)和不穩(wěn)定因素，晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差，因此在選擇模塊的電流標(biāo)準(zhǔn)時(shí)一定要留出一定的余量。

模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過(guò)載能力。溫度越低，模塊輸出電流越大。因此，在運(yùn)行中必須配備散熱器和風(fēng)扇。建議選擇具有過(guò)熱維護(hù)功能的商品，有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 正高電氣經(jīng)營(yíng)理念：前列的設(shè)備、前列的產(chǎn)品、前列的服務(wù)。鞍山穩(wěn)流模塊哪家好

    晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù)；4、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷；7、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號(hào)說(shuō)明：三、技術(shù)參數(shù)：型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式：五、產(chǎn)品應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制；2、各種整流電源；3、工業(yè)加熱控制；4、調(diào)光；5、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)；6、電機(jī)軟起動(dòng)；7、靜止無(wú)功補(bǔ)嘗；8、電焊機(jī)；9、變頻器；10、UPS電源；11、電池充放電。說(shuō)明：，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值，表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;，在50HZ頻率下，I2t(10ms)=(A2S);d.當(dāng)使用在電流為60HZ情況下，Itsm()=(10ms),I2t()=。陜西大功率晶閘管模塊報(bào)價(jià)正高電氣以更積極的態(tài)度，更新、更好的產(chǎn)品，更質(zhì)量的服務(wù)，迎接挑戰(zhàn)。

    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中，任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接，并在晶閘管單元的控制下對(duì)所在電路進(jìn)行投切控制。所述晶閘管單元包括：壓塊7、門(mén)極壓接式組件8、導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11。其中，所述壓塊7設(shè)置于所述門(mén)極壓接式組件8上，并通過(guò)所述門(mén)極壓接式組件8對(duì)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11施加壓合作用力，所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實(shí)現(xiàn)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11與銅底板3的固定連接。

    以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。（2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果*供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱(chēng)反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開(kāi)關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只，不僅使用方便，而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào)、等效電路如圖1(a)、(b)所示。其伏安特性見(jiàn)圖2。由圖顯見(jiàn)，逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱(chēng)性，正向特性與普通晶閘管SCR相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標(biāo)位置不同）。逆導(dǎo)晶閘管的典型產(chǎn)品有美國(guó)無(wú)線(xiàn)電公司（RCA）生產(chǎn)的S3900MF，其外形見(jiàn)圖1(c)。它采用TO-220封裝，三個(gè)引出端分別是門(mén)極G、陽(yáng)極A、陰極K。S3900MF的主要參數(shù)如下：斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM：>。正高電氣竭誠(chéng)為您服務(wù)，期待與您的合作，歡迎大家前來(lái)！

    5光控晶閘管是通過(guò)光信號(hào)控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件，它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過(guò)電壓承受能力，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無(wú)功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A。6逆變晶閘管因具有較短的關(guān)斷時(shí)間(10～15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中，它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前，其比較大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。7非對(duì)稱(chēng)晶閘管是一種正、反向電壓耐量不對(duì)稱(chēng)的晶閘管。而逆導(dǎo)晶閘管不過(guò)是非對(duì)稱(chēng)晶閘管的一種特例，是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。與普通晶閘管相比，它具有關(guān)斷時(shí)間短、正向壓降小、額定結(jié)溫高、高溫特性好等優(yōu)點(diǎn)，主要用于逆變器和整流器中。目前，國(guó)內(nèi)有廠家生產(chǎn)3000V/900A的非對(duì)稱(chēng)晶閘管。正高電氣提供周到的解決方案，滿(mǎn)足客戶(hù)不同的服務(wù)需要。廣西工業(yè)窯爐蓄電池充放電整流模塊

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    紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無(wú)窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號(hào)，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開(kāi)G極，只要GTO維持通態(tài)，就說(shuō)明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào)，如果表Ⅰ的指針向左擺到無(wú)窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí)，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1；再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷，記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù)；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是。不需要具體計(jì)算IAT、IG之值，只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值。晶體閘流管注意事項(xiàng)編輯（1）在檢查大功率GTO器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′。鞍山穩(wěn)流模塊哪家好

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