如果所裝的中頻電源不需要復(fù)位功能、報(bào)警功能、內(nèi)接頻率表的話，端子CON2-6、CON2-1、CON3-8、CON3-9便可不用。11、應(yīng)用舉例圖示為一臺(tái)KGPS-160KW中頻電源的電氣原理圖，可作為其它裝置原理設(shè)計(jì)的參考，由于控制電路已經(jīng)對(duì)開機(jī)，關(guān)機(jī)的邏輯進(jìn)行了設(shè)計(jì)，因此，不必考慮主回路與控制回路的上電順序。12、調(diào)試一臺(tái)20M示波器，若示波器的電源是三芯插頭時(shí)，注意“地線”千萬不能接，示波器外殼對(duì)地需絕緣，*使用一蹤探頭，示波器的X軸、Y軸均需較準(zhǔn)，探頭需在測(cè)試信號(hào)下補(bǔ)償好。若無高壓示波器探頭，應(yīng)用電阻做一個(gè)分壓器，以適應(yīng)600V以上電壓的測(cè)量。一個(gè)≤500Ω、≥500W的電阻性負(fù)載。為了調(diào)試的安全，調(diào)試前，應(yīng)該使逆變橋不工作。例如：把平波電抗器的一端斷開，再在整流橋直流口接入一個(gè)≤500Ω、≥500W的電阻性負(fù)載。電路板上的IF微調(diào)電位器W1順時(shí)針旋至比較**（調(diào)試過程發(fā)生短路時(shí)，可以提供過流保護(hù)）。主控板上的DIP-1開關(guān)撥在ON位置；用示波器做好測(cè)量整流橋輸出直流電壓波形的準(zhǔn)備；把面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋至**小。送上三相供電（可以不分相序），檢查是否有缺相報(bào)警報(bào)示，若有，可以檢查進(jìn)線快速熔斷器是否損壞。把面板上的“給定”電位器順時(shí)針旋大。正高電氣具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。山東MTDC400晶閘管智能模塊哪家好

    構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖2當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)銅，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門機(jī)電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)。山東MTDC400晶閘管智能模塊哪家好正高電氣不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。

    可控硅與接觸器的選型可控硅投切開關(guān)與接觸器的選型無功補(bǔ)償中一個(gè)重要器件就是電容器投切開關(guān)。早期多采用的是接觸器，隨后呈現(xiàn)的是可控硅投切開關(guān)，希拓小編帶你了解下兩者如何選型。接觸器在投入過程中涌流大，嚴(yán)重時(shí)，會(huì)發(fā)作觸頭熔焊現(xiàn)象。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切**接觸器，在無功負(fù)荷動(dòng)搖大，電容器投切頻繁的狀況下，也存在運(yùn)用壽命短，需求經(jīng)常停止檢修的問題。一般使用于負(fù)荷穩(wěn)定，投切次數(shù)較少的場(chǎng)合?？煽毓柰肚虚_關(guān)，具有零電壓投入、零電流切除，投切過程無涌流，對(duì)電網(wǎng)無沖擊，反響速度快等特性，會(huì)產(chǎn)生很高的溫升，需求運(yùn)用**散熱器，來處理其通風(fēng)散熱問題，一般應(yīng)用于負(fù)荷急劇變化的需頻繁投切的場(chǎng)合。希拓電氣（常州）有限公司是專業(yè)的可控硅投切開關(guān)生產(chǎn)供應(yīng)廠商，嚴(yán)格把控產(chǎn)品細(xì)節(jié)，努力為客戶提供完善的服務(wù)。我司**產(chǎn)品主要包含德國進(jìn)口可控硅、可控硅觸發(fā)模塊（自主研發(fā)）、溫控開關(guān)、鋁合金散熱器、冷卻風(fēng)機(jī)等，能實(shí)現(xiàn)可控硅的智能散熱及智能溫度保護(hù)的功能，可提高可控硅的運(yùn)行穩(wěn)定性。

晶閘管智能模塊導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系

晶閘管模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的較大電流有直接關(guān)系，模塊的標(biāo)稱電流是較大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的較大電流。在小導(dǎo)通角（輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽?，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值小），但是輸出電流的有效值很大，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在極較大導(dǎo)通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上。 正高電氣嚴(yán)格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個(gè)環(huán)節(jié)，保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問題。

    電壓很容易對(duì)晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過電壓保護(hù)，保護(hù)晶閘管模塊，不讓其受過電壓損壞。要保護(hù)晶閘管，就要知道過電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對(duì)過電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管模塊就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)晶閘管模塊是很危險(xiǎn)的。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓例如，交流開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉速度越快過電壓越高。正高電氣傾城服務(wù)，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。山東MTDC400晶閘管智能模塊哪家好

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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會(huì)在無門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時(shí)，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下，晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對(duì)加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運(yùn)行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。山東MTDC400晶閘管智能模塊哪家好

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