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濟南行車集成智能調(diào)壓模塊

來源: 發(fā)布時間:2025-01-26

    1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司**開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強電的電力調(diào)控功能。2(2)晶閘管智能模塊采用進口方形芯片、高級芯片支撐板,模塊壓降小、功耗低,效率高,節(jié)電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,經(jīng)獨特處理方法和特殊焊接工藝,保證焊接層無空洞,導(dǎo)熱性能好。熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國家標(biāo)準(zhǔn)近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用高級導(dǎo)熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優(yōu)良。6(6)晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導(dǎo)熱底板相互隔離,導(dǎo)熱底板不帶電.絕緣強度≥2500V(RMS),保證人身安全。正高電氣以更積極的態(tài)度,更新、更好的產(chǎn)品,更質(zhì)量的服務(wù),迎接挑戰(zhàn)。濟南行車集成智能調(diào)壓模塊

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晶閘管模塊的類型

晶閘管模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

根據(jù)封裝工藝的不同,晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。

晶閘管模塊可分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX);普通整流模塊(MDC);普通晶閘管、整流混合模塊(MFC);快速晶閘管、整流混合模塊(MKC\MZC);非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(通常稱為電焊機**模塊MTG\MDG);三相整流橋輸出晶閘管模塊(MDS);單相(三相)整流橋模塊(MDQ);單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)。 武漢單相整流調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家正高電氣與廣大客戶攜手并進,共創(chuàng)輝煌!

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    所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。此外,所述晶閘管單元中,所述壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管。其中,所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類似地,所述第二晶閘管單元中,所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中,所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。為了實現(xiàn)門極銅排的安裝,所述外殼1上還設(shè)置有門極銅排安裝座。綜上所述,本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制,有效保證了電力系統(tǒng)的正常運行。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細(xì)節(jié),而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此,無論從哪一點來看,均應(yīng)將實施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定,因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此外,應(yīng)當(dāng)理解,雖然本說明書按照實施方式加以描述,但并非每個實施方式*包含一個**的技術(shù)方案。

    它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強大的生命力??申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極。正高電氣以質(zhì)量為生命”保障產(chǎn)品品質(zhì)。

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    強型120A增強型150A增強型200A增強型300A增強型400A型號LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P400D1H3400Z㈤技術(shù)參數(shù)輸入?yún)?shù)輸入電壓范圍D3:3-36Vdc,D2:18-30Vdc,A3:90-430Vac,D1:4-8Vdc輸入電流5mA-15mA反接保護有LED指示有輸出參數(shù)額定工作電壓4:48~480Vac,3:36-430Vac,2:24-265Vac,1:12-135Vac輸出通態(tài)壓降<2Vac斷態(tài)峰值截止電壓Vp4:≥1100Vpk,3:≥900Vpk,2:≥600Vpk,1:≥400Vpk浪涌電流(電網(wǎng)一周)800%**小負(fù)載電流100mA輸出漏電流16A及以下<2mA,16A以上<12mA靜態(tài)電壓上升率dVs/dt100V/μs(普通型)、200V/μs(增強型)換向電壓上升率dVc/dt10V/μs(普通型)、200V/μs(增強型)開啟比較大響應(yīng)時間10ms關(guān)斷比較大延時10ms其它參數(shù)介質(zhì)耐壓(輸入、輸出及外殼間)≥2000Vac絕緣電阻(輸入、輸出及外殼間)>1000MΩ。正高電氣竭誠為您服務(wù),期待與您的合作,歡迎大家前來!武漢單相整流調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

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    紅表筆接K極時,電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無窮大;然后用黑表筆尖也同時接觸G極,加上正向觸發(fā)信號,表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通;脫開G極,只要GTO維持通態(tài),就說明被測管具有觸發(fā)能力。3.檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負(fù)向觸發(fā)信號,如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,證明GTO具有關(guān)斷能力。4.估測關(guān)斷增益βoff進行到第3步時,先不接入表Ⅱ,記下在GTO導(dǎo)通時表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1;再接上表Ⅱ強迫GTO關(guān)斷,記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù);K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點是。不需要具體計算IAT、IG之值,只要讀出二者所對應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),即可迅速估測關(guān)斷增益值。晶體閘流管注意事項編輯(1)在檢查大功率GTO器件時,建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′。濟南行車集成智能調(diào)壓模塊

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