所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。此外，所述晶閘管單元中，所述壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類似地，所述第二晶閘管單元中，所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。為了實(shí)現(xiàn)門極銅排的安裝，所述外殼1上還設(shè)置有門極銅排安裝座。綜上所述，本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式*包含一個(gè)**的技術(shù)方案。正高電氣從國內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。青海雙向晶閘管模塊報(bào)價(jià)

    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，但應(yīng)當(dāng)說明的是，這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中，任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接，并在晶閘管單元的控制下對(duì)所在電路進(jìn)行投切控制。所述晶閘管單元包括：壓塊7、門極壓接式組件8、導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11。其中，所述壓塊7設(shè)置于所述門極壓接式組件8上，并通過所述門極壓接式組件8對(duì)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11施加壓合作用力，所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實(shí)現(xiàn)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11與銅底板3的固定連接。穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊供應(yīng)商正高電氣迎接挑戰(zhàn)，推陳出新，與廣大客戶攜手并進(jìn)，共創(chuàng)輝煌！

晶閘管模塊的工作原理

在晶閘管模塊T的工作過程中，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載相連，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路。

從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程：

晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。

當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽極電壓時(shí)，為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅，承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí)，兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會(huì)形成較強(qiáng)的正反饋，從而導(dǎo)致兩個(gè)晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。

    VDRM）的計(jì)算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計(jì)算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對(duì)器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對(duì)器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng)：l電力半導(dǎo)體模塊屬于溫度敏感性器件，使用時(shí)必須安裝于散熱器上。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后，在模塊底板上均勻涂上（采用滾柱來回滾動(dòng)涂抹）導(dǎo)熱硅脂，導(dǎo)熱硅脂剛好能夠覆蓋整個(gè)底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊，檢查模塊底板整個(gè)區(qū)域是否完全沾潤。l手冊(cè)中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器、強(qiáng)通風(fēng)冷(風(fēng)速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負(fù)載下得出的。若使用條件發(fā)生變化(如感性負(fù)載)額定電流就會(huì)下降。l散熱器與模塊接觸面應(yīng)平整，散熱器的平面度≤（1）,確保良好的熱傳導(dǎo)，電極與銅排連接時(shí)。正高電氣永遠(yuǎn)是您身邊的行業(yè)**！

    漏電流：指加一半標(biāo)稱直流電壓時(shí)測(cè)得的流過壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低，過電壓能力強(qiáng)；平時(shí)漏電流小，放電后不會(huì)有續(xù)流，元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多，便于用戶選擇；伏安特性是對(duì)稱的，可用于交、直流或正負(fù)浪涌；因此用途較廣。2、過電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制，否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時(shí)，熱量來不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，**終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負(fù)載過載或短路，相鄰設(shè)備故障影響等。晶閘管過電流保護(hù)方法**常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動(dòng)作太慢，在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞；所以不能用來保護(hù)晶閘管。正高電氣尊崇團(tuán)結(jié)、信譽(yù)、勤奮。內(nèi)蒙古三相交流調(diào)壓模塊組件

正高電氣注重于產(chǎn)品的環(huán)保性能，將應(yīng)用美學(xué)與環(huán)保健康結(jié)合起來。青海雙向晶閘管模塊報(bào)價(jià)

晶閘管模塊

晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線簡(jiǎn)單、互換性好、維護(hù)安裝方便等優(yōu)點(diǎn)，自誕生以來就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞，并得到了極大的發(fā)展。

晶閘管模塊一般對(duì)錯(cuò)正弦電流有疑問，存在導(dǎo)通角，負(fù)載電流具有一定的波動(dòng)和不穩(wěn)定因素，晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差，因此在選擇模塊的電流標(biāo)準(zhǔn)時(shí)一定要留出一定的余量。

模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過載能力。溫度越低，模塊輸出電流越大。因此，在運(yùn)行中必須配備散熱器和風(fēng)扇。建議選擇具有過熱維護(hù)功能的商品，有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 青海雙向晶閘管模塊報(bào)價(jià)

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