我國碳化硅產業(yè)雖起步較晚，但近年來，在國家政策推動和地方積極產業(yè)布局下，我國逐步形成了覆蓋襯底、外延、器件等環(huán)節(jié)的完整的第三代半導體產業(yè)鏈，并形成了以京津冀、長三角、珠三角等區(qū)域的第三代半導體產業(yè)集群。其中，京津冀區(qū)域集中了清華大學、北京大學、中科院半導體所等相關科研院所，并擁有天科合達、同光晶體、泰科天潤、世紀金光等第三代半導體企業(yè)，初步形成較為完整的碳化硅產業(yè)鏈；長三角區(qū)域目前形成了以蘇州為中心的氮化鎵全產業(yè)鏈集群和以上海為中心的碳化硅功率半導體企業(yè)集群；珠三角區(qū)域作為國內集成電路產業(yè)資源集中地區(qū)，成立了多個研究基地，擁有包括東莞天域、東莞中鎵、亞迪半導體等在內的第三代半導體相關企業(yè)。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！敬請關注中國?國際先進陶瓷展覽會，品牌精英齊聚盛會，傾情見證行業(yè)新輝煌，2025年3月10日上海見！2025年3月10至12日中國上海市先進陶瓷高峰論壇

碳化硅單晶材料按電學性能分導電型和半絕緣型，而導電型對應同質外延，半絕緣型對應異質外延。同質外延制成SBD（肖特基勢壘二極管）、MOSFET（縮寫為MOS，金屬氧化物半導體場效應晶體管）等功率器件，適用于電子電力領域如新能源汽車、軌道交通、智能電網、光伏發(fā)電等；在導電型SiC襯底上生長SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環(huán)境如5G通訊、雷達、國?防jun工等領域；在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！中國上海市先進陶瓷專題論壇2025年3月10-12日，讓我們相聚中國?國際先進陶瓷展覽會，共同探索先進陶瓷行業(yè)的萬千可能！

AlN有兩個非常重要的性能值得注意：一個是高的熱導率，一個是與Si相匹配的膨脹系數。缺點是即使在表面有非常薄的氧化層也會對熱導率產生影響，只有對材料和工藝進行嚴格控制才能制造出一致性較好的AlN基板。AlN生產技術國內像斯利通這樣能大規(guī)模生產的少之又少，相對于Al2O3，AlN價格相對偏高許多，這個也是制約其發(fā)展的小瓶頸。不過隨著經濟的提升，技術的升級，這種瓶頸終會消失。綜合以上原因，可以知道，氧化鋁陶瓷由于比較優(yōu)越的綜合性能，在微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等領域還是處于主導地位而被大量運用?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。誠邀您蒞臨參觀！

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關產業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。誠邀您蒞臨參觀！中國?國際先進陶瓷展覽會將于2025年3月10-12日在上海隆重舉辦，行業(yè)人士齊聚一堂，共襄盛會！

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實現離子注入區(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設備是SiC產線難度較高的設備，全球設備廠商少、交期長，國產化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應用材料（收購瓦里安），日本愛發(fā)科及日清公司，國內廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！賦能前沿智造，智領行業(yè)未來，“中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10日上海共創(chuàng)無限商機！3月10日至12日中國上海市國際先進陶瓷行業(yè)技術峰會

“中國?國際先進陶瓷展”覆蓋先進陶瓷全產業(yè)鏈，云集中外杰出企業(yè)亮相展會，2025年3月10日上海世博館見！2025年3月10至12日中國上海市先進陶瓷高峰論壇

在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導體封裝到模塊中，實現芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓撲方式，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉模塑封結構和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結構。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結構，難以發(fā)揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10至12日中國上海市先進陶瓷高峰論壇